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学会発表　（★・・・招待講演）

2018--2017--2016--2015--2014--2013--2012--2011--2010--2009--2008 --2007--2006--2005--2004--2003--2002 --2001--2000--1999〜

2019
●国際学会 ★"Machine Learning for SiC top-seeded solution growth- Prediction, Optimization and Visualization", Toru Ujihara, Yosuke Tsunooka, Goki Hatasa, Can Zhu, Kentaro Kutsukake, Taka Narumi, Shunta Harada, Miho Tagawa, May 2, CS-MANTECH in Hyatt Regency Minneapolis, Minneapolis, April 29 - May 2(2019), 17.3(Invited Presentation). "Thermal Conduction in Titanium Oxide with an Ordered Arrangement of Planar Faults in Nanoscale", Shunta Harada, April 25, MRS Spring Meeting & Exhibit,Phoenix Convention Center, Phoenix, April 25(2019), QN04.12.03. "Lithium Intercalation-Induced Thermal Conductivity Change of AmorphousWO3 Films", Shunta Harada, April 23, MRS Spring Meeting & Exhibit,Phoenix Convention Center, Phoenix, April 23(2019), QN04.04.38. ●国内学会 "機械学習モデルと実験結果の比較による物性値推定手法のSiC溶液成長における融液物性への適用"， 安藤圭理, 林宏益, 角岡洋介, 鳴海大翔, 朱燦, 沓掛健太朗, 原田俊, 松井孝太, 竹内一郎, 小山幸典, 宇治原徹, 日本金属学会 2019年春期講演大会，2019年3月22日，東京電機大学 東京千住キャンパス，2019年3月20日〜22日, (口頭). "機械学習を用いた SiC 溶液成長法の熱流動の高速予測と育成条件の最適化に関する基礎検討"， 鳴海大翔, 林宏益, 角岡洋介, 安藤圭理, 朱燦, 沓掛健太朗, 原田俊太, 宇治原徹, 日本金属学会 2019年春期講演大会，2019年3月22日，東京電機大学 東京千住キャンパス，2019年3月20日〜22日, (口頭). "SiC 溶液成長過程における転位変換現象を利用した高品質結晶成長"， 原田俊太, 朱燦, 遠藤友樹, 小泉晴比古, 鳴海大翔, 田川美穂, 宇治原徹, 日本金属学会 2019年春期講演大会，2019年3月22日，東京電機大学 東京千住キャンパス，2019年3月20日〜22日, (口頭). "ワイドギャップ結晶の材料学と高温プロセッシング"， 吉川健, 福山博之, 宇治原徹, 美濃輪武久, 日本金属学会 2019年春期講演大会，2019年3月22日，東京電機大学 東京千住キャンパス，2019年3月20日〜22日, (口頭). "炭化珪素結晶成長シミュレーションに対する機械学習"， 小山幸典, 角岡洋介, 沓掛健太朗, 宇治原徹, 日本金属学会 2019年春期講演大会，2019年3月21日，東京電機大学 東京千住キャンパス，2019年3月20日〜22日, (口頭). "機械学習を用いた昇華法SiC結晶成長シミュレーションの高速予測"， 江逸群, 角岡洋介, 畑佐豪記, 鳴海大翔, 沓掛健太朗, 原田俊太, 田川美穂, 宇治原徹, 2019年 第66回応用物理学会春季学術講演会，2019年3月11日，東京工業大学 大岡山キャンパス，2019年3月9日〜12日, [11p-70A-5], (口頭). "大口径化にむけた機械学習によるSiC溶液成長の最適成長条件の決定"， 宇治原徹, 角岡洋介, 遠藤友樹, 朱燦, 沓掛健太朗, 鳴海大翔, 三谷武志, 加藤智久, 田川美穂, 原田俊太, 2019年 第66回応用物理学会春季学術講演会，2019年3月11日，東京工業大学 大岡山キャンパス，2019年3月9日〜12日, [11p-70A-4], (口頭). "3インチ4度オフ種結晶上へのSiC溶液成長における貫通転位変換とインクルージョン抑制の両立"， 海野高天, 朱燦, 原田俊太, 小泉晴比古, 田川美穂, 宇治原徹, 2019年 第66回応用物理学会春季学術講演会，2019年3月11日，東京工業大学 大岡山キャンパス，2019年3月9日〜12日, [11p-70A-2], (口頭). "高熱伝導樹脂を実現するAlNウィスカーフィラーの開発とベンチャー"， 宇治原徹, 2019年 第66回応用物理学会春季学術講演会，2019年3月10日，東京工業大学 大岡山キャンパス，2019年3月9日〜12日, [10p-W351-4], (招待講演). "機械学習によって構築した温度分布予測モデルによる熱伝導率推定"， 樋口雄介, 角岡洋介, 沓掛健太朗, 鳴海大翔, 原田俊太, 田川美穂, 宇治原徹, 2019年 第66回応用物理学会春季学術講演会，2019年3月9日，東京工業大学 大岡山キャンパス，2019年3月9日〜12日, [9p-W321-8], (口頭). "SiC結晶成長シミュレーションの機械学習"， 小山幸典, 角岡洋介, 沓掛健太朗, 宇治原徹, 2019年 第66回応用物理学会春季学術講演会，2019年3月9日，東京工業大学 大岡山キャンパス，2019年3月9日〜12日, [9p-W321-7], (口頭). "機械学習による結晶成長シミュレーション回帰モデルの構築とその応用"， 宇治原徹, 角岡洋介, 朱燦, 沓掛健太朗, 鳴海大翔, 田川美穂, 原田俊太, 2019年 第66回応用物理学会春季学術講演会，2019年3月9日，東京工業大学 大岡山キャンパス，2019年3月9日〜12日, [9p-W321-6], (口頭). "Doc2Vecを用いた学会発表概要集の検索手法の検討"， 石川晃平, 沓掛健太朗 , 原田俊太, 田川美穂, 宇治原徹, 2019年 第66回応用物理学会春季学術講演会，2019年3月9日，東京工業大学 大岡山キャンパス，2019年3月9日〜12日, [9p-W321-5], (口頭). "Li挿入によるWO3薄膜の構造及び熱伝導率の変化"， 小林竜大, 沈統, 中村彩乃, 原田俊太, 田川美穂, 宇治原徹, 2019年 第66回応用物理学会春季学術講演会，2019年3月9日，東京工業大学 大岡山キャンパス，2019年3月9日〜12日, [9p-W371-16], (口頭). "逆解析によるRF-TSSG 法によるSiC 結晶成長時のるつぼ温度最適化"， 岡野泰則, 堀内鷹之, 関本敦, 宇治原徹, 2019年 第66回応用物理学会春季学術講演会，2019年3月9日，東京工業大学 大岡山キャンパス，2019年3月9日〜12日, [9p-S422-10], (口頭). ★"顕微ラマン分光法によるGaN中の転位欠陥解析と機械学習の活用"， 宇治原徹, 小久保信彦, 角岡洋介, 藤榮文博, 井爪将, 恩田正一, 山田永, 清水三聡, 原田俊太, 田川美穂, 2019年 第66回応用物理学会春季学術講演会，2019年3月9日，東京工業大学 大岡山キャンパス，2019年3月9日〜12日, [9p-W541-2], (招待講演). topへ戻る
2018
●国際学会 "Change in thermal conductivity of rutile-type TiO2 by introducing periodic planar faults"， N. Kosaka, T. Yagi, K. Tanaka, H. Inui, M. Tagawa, T. Ujihara, S. Harada, December 4-5, NMHT-VI: Nanoscale and Microscale Heat Transfer 2018 ，Finland, December 4-5(2018), poster. "Dehydration stability analysis of DNA-guided nanoparticle superlattices"， H. Sumi, T. Isogai, S. Kojima, S. Harada, T. Ujihara, M. Tagawa, November 28, 2018 MRS fall meeting(MATERIALS RESEARCH SOSIETY)，Boston, November 25-30(2018), poster. "Nondestructive Visualization of Threading Dislocations in GaN by Micro Raman Mapping"， N. Kokubo, Y. Tsunooka, F. Fujie, J. Ohara, S. Onda, H. Yamada, M. Shimizu, S. Harada, M. Tagawa, T. Ujihara, November 13, International Workshop on Nitride Semiconductors 2018(IWN2018)，Kanazawa, Japan, November 11-16(2018). "Machine learning for SiC crystal growth (modeling, optimization and visualization)"， T. Ujihara, November 3-7, International Symposium & School on Crystal Growth Fundamentals(ISSCGF)，Convention Hall of Hotel Sakan, Akiu, Sendai, Japan, November 3-7(2018). "Structural change and stability analysis of DNA-guided nanoparticle fcc superlattice by dehydration"， H. Sumi, T. Isogai, S. Kojima, N. Ohta, H. Sekiguchi, S. Harada, T. Ujihara, M. Tagawa, November 3-7, International Symposium & School on Crystal Growth Fundamentals(ISSCGF)，Convention Hall of Hotel Sakan, Akiu, Sendai, Japan, November 3-7(2018), poster. ★"Solution Growth of High-Quality SiC Crystals for Power Devices"， S. Harada, October 23, 第６回日中結晶成.結晶工学討論会(日中シンポ)，千里ライフサイエンスセンター サイエンスホール, October 21-24(2018), invited. "Numerical Investigation of Optimal Crystal Growth Furnace Design in the RF-heating TSSG Process"， T. Horiuchi, L. Wang, T. Yamamoto, A. Sekimoto, Y. Okano, T. Ujihara, October 23, International Workshop on Modeling in Crystal Growth (IWMCG-9)，Sheraton Kona Resort & Spa, Hawaii Island，October 21-24(2018), oral. "Numerical Analysis of Three-dimensional Marangoni Convection During SiC Crystal Growth by the RF-TSSG Method"， L. Wang, T. Horiuchi, A. Sekimoto, Y. Okano, T. Ujihara, S, Dost, October 22, International Workshop on Modeling in Crystal Growth (IWMCG-9)，Sheraton Kona Resort & Spa, Hawaii Island，October 21-24(2018), poster. "Prediction System of CFD Simulation in Solution Growth Constructed by Machine Learningapplication for Sic Top-seeded Solution Growth"， T. Ujihara, Y. Tsunooka, T. Endo, C. Zhu, S. Harada, October 22, International Workshop on Modeling in Crystal Growth (IWMCG-9)，Sheraton Kona Resort & Spa, Hawaii Island，October 21-24(2018), oral. "High-quality SiC crystal grown with solution method by controlling macro-step structure"， T. Ujihara, October 18, Mathematical Aspects of Surface and Interface Dynamics 16，Tokyo University，October 17-19(2018). "Change in Thermal Conductivity By Hydrogen Intercalation in Amorphous WO3 Film"， A. Nakamura, S. Harada, R. Kobayashi, M. Tagawa, T. Ujihara, October 3, AiMES 2018 ECS and SMEQ Joint International Meeting，The Moon Palace Resort, Cancun，September 30-October 4(2018),1110 G04 . "Effect of Crystal Orientation of Cu Current Collectors on Cycling Stability of Li Metal Anodes"， K. Ishikawa, Y. Ito, S. Harada, M. Tagawa, T. Ujihara, October 3, AiMES 2018 ECS and SMEQ Joint International Meeting，The Moon Palace Resort, Cancun，September 30-October 4(2018),114 A02 . "In-situ synchrotron X-ray topography observation of stacking faults in SiC"， F. Fujie, S. Harada, H. Suo, H. Koizumi, T. Kato, M. Tagawa, T. Ujihara, September 4,6, the 14th Biennial Conference on High-Resolution X-Ray Diffraction and Imaging (XTOP 2018)，Villa Romanazzi Carducci, Italy，September 3-7(2018), poster. "Application of C face dislocation conversion technique to 2-inch SiC crystal growth"， X. Liu, C. Zhu, S. Harada, M. Tagawa, T. Ujihara, September 5, European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM 2018)， International Convention Centre，September 2-6(2018),WE.01a.02, oral. "Efficient search technique of ideal conditions in high quality SiC solution growth using prediction mogel made by machine learing"， Y. Tsunooka, S. Harada, M. Tagawa, T. Ujihara, September 3, European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM 2018)， International Convention Centre，September 2-6(2018), MO.P.SG9, poster. "Control of macrostep eight by switching solution flow during solution growth of SiC"， T. Endo, C. Zhu, S. Harada, H. Koizumi, M. Tagawa, T. Ujihara, September 3, European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM 2018)， International Convention Centre，September 2-6(2018), MO.P.SG4, poster. "Evaluation of Basal Plane Dislocation Behavior in the Epitaxial Layer on a 4H-SiC Wafer Fabricated by the Solution Growth Method"， K. Seki, K. Kusunoki, S. Harada, T. Ujihara, September 3, European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM 2018)， International Convention Centre，September 2-6(2018), MO.P.SG5, poster. "Present status of machine learning technology for high quality crystal growth and the collaboration with student startups"， T.Ujihara, August 17, The 3rd Academic Seminar on Material Science and Engineering，national university of singapore，August 17(2018). "Real-time visualization for temperature and fluid flow distributions in SiC solution growth using a prediction model constructed with machine learning"， G. Hatasa, August 16, NUS-NU JOINT STUDENT SEMINAR，national university of singapore，August 16(2018). "The effect of crystal orientation of Cu current collectors on electrodeposition morphology of Li metal"， K. Ishikawa, August 16, NUS-NU JOINT STUDENT SEMINAR，national university of singapore，August 16(2018). "DNA-controlled assembly of 2D nanoparticle lattices on lipid bilayers"， T. Isogai, H. Sumi, R. Tero, S. Harada, T. Ujihara, M. Tagawa, July, 17th International Conference on Organized Molecular Films（ICOMF17），NYU Tandon School of Engineering，July 23-27(2018), poster. ★"Process Design of SiC Solution Growth with Machine Learning Technology"， T. Ujihara, July 10, Asia-Pacific Conference on Silicon Carbide and Related Materials（APCSCRM2018），Beijing，July 9-11(2018), invited. ●国内学会 "シミュレーションと機械学習を用いた結晶成長プロセスの最適化"， 角岡洋介, 原田俊太, 田川美穂, 宇治原徹, オープンCAEシンポジウム2018，2018年12月7日，大阪府立国際会議場，2018年12月7日, [A11], (口頭). ★"Thermal conduction in Magneli phase titanium oxides with an ordered arrangement of planar defects"， 原田俊太, 第30回 相変化研究会シンポジウム(PCOS2018)，2018年12月6日〜7日，黒部市宇奈月国際会館，2018年12月7日, (招待). "金属 Li 負極における単結晶 Cu 集電体の結晶方位とサイクル特性の関係"， 石川晃平, 原田俊太, 田川美穂, 宇治原徹, 第59回 電池討論会，2018年11月29日，大阪府立国際会議場，2018年11月27日〜29日, [3E06], (口頭). "金属 Zn 負極の方位配向がデンドライト状析出の形成に及ぼす影響"， 森仁志, 石川晃平, 原田俊太, 田川美穂, 宇治原徹, 第59回 電池討論会，2018年11月28日，大阪府立国際会議場，2018年11月27日〜29日, [2G03], (口頭). "ラマン分光法と機械学習によるGaN単結晶における貫通転位の歪み場解析"， 小久保信彦, 角岡洋介, 藤榮文博, 大原淳士, 恩田正一, 山田永, 清水三聡, 原田俊太, 田川美穂, 宇治原徹, 先進パワー半導体分科会 第5回講演会，2018年11月7日，京都テルサ，2018年11月6日〜7日, (研究奨励賞記念講演). "SiC溶液成長における機械学習を用いた成長条件の最適化"， 角岡洋介, 鳴海大翔 , 安藤圭理, 沓掛健太朗, 朱燦, 林宏益, 原田俊太, 田川美穂, 宇治原徹, 先進パワー半導体分科会 第5回講演会，2018年11月6日，京都テルサ，2018年11月6日〜7日,[IA-2S], (ポスター). "DNA修飾ナノ粒子の結晶化における溶媒組成の結晶構造への影響"， 磯貝卓巳, 鷲見隼人, 小島憧子, 太田昇, 関口博史, 原田俊太, 宇治原徹, 田川美穂, 第47回結晶成長国内会議, 2018年11月2日, 仙台市戦災復興記念館, 2018年10月31日〜11月2日, [02a-C08], (口頭). "DNA修飾ナノ粒子を用いたコロイド単結晶の脱水に伴う構造変化と安定性の解析"， 鷲見隼人, 磯貝卓巳, 小島憧子, 太田昇, 関口博史, 原田俊太, 宇治原徹, 田川美穂, 第47回結晶成長国内会議, 2018年11月2日, 仙台市戦災復興記念館, 2018年10月31日〜11月2日, [02a-C07], (口頭). "TSSG法SiC結晶成長におけるるつぼ温度分布最適化に向けた逆解析"， 堀内鷹之, 関本敦, 岡野泰則, 宇治原徹, 第47回結晶成長国内会議, 2018年11月1日, 仙台市戦災復興記念館, 2018年10月31日〜11月2日, [01p-P32], (口頭). "機械学習により最適化されたSiCウエハのX線侵入深さに着眼した深さ方向の歪み分布の定量化"， 小泉晴比古, 花田賢志, 長田圭一, 成田潔, 原田俊太, 田川美穂, 宇治原徹, 第47回結晶成長国内会議, 2018年11月1日, 仙台市戦災復興記念館, 2018年10月31日〜11月2日, [01p-P31], (口頭). "タンパク質をモデルとした溶液成長における溶媒和構造と結晶性との相関"， 小泉晴比古, 宇田聡, 塚本勝男, 橘勝, 小島謙一, 宇治原徹, 第47回結晶成長国内会議, 2018年10月31日, 仙台市戦災復興記念館, 2018年10月31日〜11月2日, [31a-A06], (口頭). "窒素・ボロン共添加SiC結晶における積層欠陥挙動のX線トポグラフィーその場観察"， 藤榮文博, 原田俊太, 周防裕政, 加藤智久, 田川美穂, 宇治原徹, 公益社団法人 日本金属学会 2018 年秋期講演（第 163 回）, 2018年9月21日, 東北大学, 2018年9月19日〜21日, [S8.24]. "還元熱処理により作製した Magneli 相酸化チタンの周期構 造と熱伝導特性"， 原田俊太, 小坂直輝, 八木貴志, 田中克志, 乾晴行, 田川美穂, 宇治原徹, 公益社団法人 日本金属学会 2018 年秋期講演（第 163 回）, 2018年9月20日, 東北大学, 2018年9月19日〜21日, [S3.27], (口頭). "プロジェクションマッピングと機械学習を用いた結晶成長プロセスにおける熱流動の可視化システムの構築"， 畑佐豪記, 角岡洋介, 李相一, 村山健太, 朱燦, 原田俊太, 田川美穂, 石黒祥生, 宇治原徹, 第23回日本バーチャルリアリティ学会大会, 2018年9月20日, 東北大学青葉山新キャンパス 青葉山コモンズ, 2018年9月19日〜21日, [21E-4],(口頭). "High quality and inclusion suppression by switching flow in 3-inch SiC solution growth"， C. Zhu, T. Endo , S. Harada, M. Tagawa, T. Ujihara, 2018年 第79回応用物理学会秋季学術講演会, 2018年9月20日, 名古屋国際会議場, 2018年9月18日〜21日, [20p-221C-7],(口頭). "ルチル型TiO2単結晶への周期的な面欠陥導入に伴う熱伝導率の変化"， 小坂直輝, 八木貴志, 田中克志, 乾晴行, 田川美穂, 宇治原徹, 原田俊太, 2018年 第79回応用物理学会秋季学術講演会, 2018年9月20日, 名古屋国際会議場, 2018年9月18日〜21日, [20a-234B-8],(口頭). "ベイズ最適化を用いたSiC研削条件の探索"， 長田圭一, 角岡洋介, 成田潔, 小泉晴比古, 沓掛健太朗, 原田俊太, 田川美穂, 宇治原徹, 2018年 第79回応用物理学会秋季学術講演会, 2018年9月20日, 名古屋国際会議場, 2018年9月18日〜21日, [20p-221C-10],(口頭). "SiC溶液成長における熱流体解析の機械学習を用いたパラメータ影響の可視化"， 沓掛健太朗, 角岡洋介, 長田圭一, 安藤圭理, 林宏益, 朱燦, 鳴海大翔, 原田俊太, 田川美穂, 宇治原徹, 2018年 第79回応用物理学会秋季学術講演会, 2018年9月20日, 名古屋国際会議場, 2018年9月18日〜21日, [20p-221C-9],(口頭). "機械学習によるGaN MOVPE結晶成長シミュレーション結果の予測"， 富澤巧, 川上賢人, 角岡洋介, 洗平昌晃, 岡本直也, 原田俊太, 芳松克則, 宇治原徹, 白石賢二, 2018年 第79回応用物理学会秋季学術講演会, 2018年9月19日, 名古屋国際会議場, 2018年9月18日〜21日, [19p-PA4-21],(ポスター). "枯渇効果を利用したDNA修飾ナノ粒子結晶のサイズ向上"， 小島憧子, 鷲見隼人, 磯貝卓巳, 太田昇, 関口博史, 原田俊太, 宇治原徹, 田川美穂, 2018年 第79回応用物理学会秋季学術講演会, 2018年9月19日, 名古屋国際会議場, 2018年9月18日〜21日, [19p-231C-7],(口頭). ★"ラマン分光法によるGaN単結晶における貫通転位の歪み場解析"， 小久保信彦, 角岡洋介, 藤榮文博, 大原淳士, 恩田正一,山田永, 清水三聡, 原田俊太, 田川美穂, 宇治原徹, 2018年 第79回応用物理学会秋季学術講演会, 2018年9月18日, 名古屋国際会議場, 2018年9月18日〜21日, [18a-146-7],(招待講演). "GaN基板からエピタキシャル膜へ伝播する転位の分類と挙動の解明"， 井爪将, 小久保信彦, 山田永, 恩田正一, 大原淳士, 原田俊太, 田川美穂, 宇治原徹, 2018年 第79回応用物理学会秋季学術講演会, 2018年9月18日, 名古屋国際会議場, 2018年9月18日〜21日, [18a-146-5],(口頭). "カチオンによるDNA修飾ナノ粒子の配列制御"， 磯貝卓巳, 鷲見隼人, 小島憧子, 太田昇, 関口博史, 原田俊太, 宇治原徹, 田川美穂, 2018年 第79回応用物理学会秋季学術講演会, 2018年9月18日, 名古屋国際会議場, 2018年9月18日〜21日, [18p-222-8],(口頭). ★"AI技術で結晶成長研究開発を桁違いに高速にする -SiC結 晶成長を例にして-"， 宇治原徹, 2018年 第79回応用物理学会秋季学術講演会, 2018年9月18日, 名古屋国際会議場, 2018年9月18日〜21日, [18p-CE-4],(招待講演). "随伴感度解析を用いたTSSG法SiC結晶成長におけるるつぼ内熱対流の最適化"， 堀内鷹之, 関本敦, 岡野泰則, 宇治原徹, 化学工学会 第50回秋季大会, 2018年9月19日, 鹿児島大学　郡元キャンパス, 2018年9月19日〜20日. "AlN分散樹脂における分散剤表面修飾による熱伝導率向上"， 安田拓実, 宇治原徹, 原田俊太, 竹内幸久, 日本セラミックス協会　第31回秋季シンポジウム, 2018年9月6日, 名古屋工業大学, 2018年9月5日〜7日, (ポスター). "溶液成長法による高品質SiC結晶成長と機械学習の活用"， 原田俊太, 第2回フォノンエンジニアリング研究グループ研究会, 2018年7月14日, KKRホテル熱海, 2018年7月13日〜14日, (口頭). "高断熱性熱スイッチ開発に向けたLi挿入によるWO3薄膜の熱伝導率制御"， 小林竜大, 第2回フォノンエンジニアリング研究グループ研究会, 2018年7月13日, KKRホテル熱海, 2018年7月13日〜14日, (ポスター). ★"溶液成長法による高品質SiC結晶成長と機械学習の活用"， 宇治原徹, 大阪電気通信大学エレクトロニクス基礎研究所ワークショップ, 2018年7月1日, 大阪電気通信大学, 2018年7月1日, (招待講演). "SiC溶液成長における最適成長条件の自動探索"， 角岡洋介, 大阪電気通信大学エレクトロニクス基礎研究所ワークショップ, 2018年7月1日, 大阪電気通信大学, 2018年7月1日, (口頭). "機械学習を用いた拡張現実その場観察炉の開発"， 畑佐豪記, 大阪電気通信大学エレクトロニクス基礎研究所ワークショップ, 2018年7月1日, 大阪電気通信大学, 2018年7月1日, (口頭). ★"機械学習を活用した最適成長条件の探索と大口径化に向けた検討"， 宇治原徹, 日本結晶成長学会第102回バルク成長分科会研究会, 2018年3月28日, 名古屋大学, 2018年3月28日, (招待講演). ★"SiC溶液成長における欠陥変換による高品質化"， 原田俊太, 日本結晶成長学会第102回バルク成長分科会研究会, 2018年3月28日, 名古屋大学, 2018年3月28日, (招待講演). "機械学習による流体シミュレーション結果の高速予測と SiC 溶液成長への応用"， 宇治原徹, 角岡洋介, 畑佐豪記, 林宏益, 遠藤友樹, 朱燦, 村井良多, 原田俊太, 田川美穂, 日本金属学会 2018年春期(第162回)講演大会, 2018年3月20日, 千葉工業大学 新習志野キャンパス, 2018年3月19日〜21日, (セッション). "NEA半導体光陰極から放出される電子のもつエミッタン スと高い空間コヒーレンス"， 桑原真人, 浅野秀文, 宇治原徹, 田中信夫, 齋藤晃, 第65回応用物理学会 春季学術講演会, 2018年3月20日, 早稲田大学 早稲田キャンパス, 2018年3月17日〜20日, [20p-B303-6], (口頭). "還元熱処理により作製した酸化チタン自然超格子の周期構造解析"， 原田俊太, 田中克志, 乾晴行, 田川美穂, 宇治原徹, 第65回応用物理学会 春季学術講演会, 2018年3月20日, 早稲田大学 早稲田キャンパス, 2018年3月17日〜20日, [20a-C304-5], (口頭). "ラマン分光法によるGaN単結晶における貫通転位の歪み場解析"， 小久保信彦, 角岡洋介, 藤榮文博, 大原淳士, 恩田正一, 山田永, 清水三聡, 原田俊太, 田川美穂, 宇治原徹, 第65回応用物理学会 春季学術講演会, 2018年3月19日, 早稲田大学 早稲田キャンパス, 2018年3月17日〜20日, [19a-E202-1], (口頭). "SiC溶液成長における成長中の溶液流れ切り替えによる結晶全面のステップフローの安定化"， 遠藤友樹, 朱燦, 村山健太, 原田俊太, 田川美穂, 宇治原徹, 第65回応用物理学会 春季学術講演会, 2018年3月19日, 早稲田大学 早稲田キャンパス, 2018年3月17日〜20日, [19a-D103-4], (口頭). "SiC溶液成長における熱流体解析と機械学習を用いた最適化手法の提案"， 角岡洋介, 小久保信彦, 原田俊太, 田川美穂, 宇治原徹, 第65回応用物理学会 春季学術講演会, 2018年3月19日, 早稲田大学 早稲田キャンパス, 2018年3月17日〜20日, [19a-D103-5], (口頭). "放射光トポグラフィーによる溶液法ウエハ上へのエピ成長過程における転位伝播挙動の評価"， 関和明, 楠一彦, 原田俊太, 宇治原徹, 第65回応用物理学会 春季学術講演会, 2018年3月19日, 早稲田大学 早稲田キャンパス, 2018年3月17日〜20日, [19a-D103-8], (口頭). "RF-TSSG法によるSiC結晶成長時の移動現象の3次元解析"， 岡野泰則, ワンライ, 堀内鷹之, 関本敦, 宇治原徹, 第65回応用物理学会 春季学術講演会, 2018年3月17日, 早稲田大学 早稲田キャンパス, 2018年3月17日〜20日, [17a-B301-9], (口頭). "焼結助材を用いない窒化アルミニウム基板作製法"， 清水啓希, 宇治原徹, 原田俊太, 竹内幸久, 公益社団法人日本セラミックス協会　2018年年会, 2018年3月15日, 東北大学, 2018年3月15日〜17日, [1P202], (セッション). ★"結晶成長プロセスにおける高速最適化と可視化技術"， 宇治原徹, 金属学会シンポジウム 材料評価・プロセスにおける「使える」インフォマティクス, 2018年2月9日, 名古屋大学 野依記念学術記念交流館, 2018年2月9日, (招待講演). topへ戻る
2017
●国際学会 "Two-dimensional assembly of DNA-functionalized gold nanoparticles on lipid bilayer"， T. Isogai, H. Sumi, R. Tero, S. Harada, T. Ujihara, M. Tagawa, December 21, The first International Workshop by the 174th Committee JSPS “Symbiosis of Biology and Nanodevices”，Kyoto Terrsa , Kyoto，December 21(2017), P16, poster. "Smooth Li Electrodeposition on Single Crystal Cu Current Collectors"， K. Ishikawa, Y. Ito, S. Harada, M. Tagawa, T. Ujihara, October 3, The Electrochemical Society (232nd ECS Meeting)，Gaylord National Resort & Convention Center, Washington，October 1-5(2017), poster. "Two-Step Sic Solution Growth with Extremely Low-Dislocation-Density 4h-SiC Crystal for Suppression of Polytype Transformation"， K. Murayama, S. Harada, F. Fujie, X. Liu, R. Murai, C. Zhu, K. Hanada, M. Tagawa, T. Ujihara, September 21, The International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 2017)，the Marriott Wardman Park, Washington, D.C.，September 17-22(2017), TH.AP.12, poster. "High-Speed Prediction Model for Supersaturation and Flow Distribution by CFD Simulation and Machine Learning in SiC Solution Growth"， Y. Tsunooka, N. Kokubo, G. Hatasa, S. Harada, M. Tagawa, T. Ujihara, September 21, The International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 2017)，the Marriott Wardman Park, Washington, D.C.，September 17-22(2017), TH.AP.5, poster. "Real-Time Visualization System for Temperature and Fluid Flow Distributions in SiC Solution Growth Using Prediction Model Constructed by Machine Learning"， G. Hatasa, Y. Tsunooka, S. Lee, K. Murayama, R. Murai, S. Harada, M. Tagawa, T. Ujihara, September 20, The International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 2017)，the Marriott Wardman Park, Washington, D.C.，September 17-22(2017), WE.AP.7, poster. "Direct Observation of Stacking Faults Expansion in 4H-SiC at High Temperatures by In Situ X-Ray Topography"， F. Fujie, S. Harada, K. Murayama, K. Hanada, P. Chen, T. Kato, M. Tagawa, T. Ujihara, September 19, The International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 2017)，the Marriott Wardman Park, Washington, D.C.，September 17-22(2017), TU.BP.4, poster. "Evaluation of 2-Inch Wafer by Solution Growth Method Using Synchrotron X-Ray Topography"， K. Seki, K. Kusunoki, Y. Kishida, H. Kaido, K. Moriguchi, M. Kado, H. Daikoku, T. Shirai, M. Akita, A. Seki, H. Saito, S. Harada, T. Ujihara, September 19, The International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 2017)，the Marriott Wardman Park, Washington, D.C.，September 17-22(2017), TU.AP.5, poster. "High-Quality SiC Solution Growth Using Dislocation Conversion on C Face"， S. Xiao, S. Harada, X. Liu, K. Murayama, R. Murai, M. Tagawa, T. Ujihara, September 18, The International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 2017)，the Marriott Wardman Park, Washington, D.C.，September 17-22(2017), MO.A1.3, oral. "Trial of Informatics in Crystal Growth -SiC Solution Growth-"， T. Ujihara, September 19, 2017 International Conference on Solid State Devices and Materials (ssdm 2017)，Sendai International Center，September 19(2017), 講演. "Controlling thermal conductivity in tungsten trioxide by ion-intercalation"， T. Ujihara, July 4, The 9th US-Japan Joint Seminar on Nanoscale Transport Phenomena，Tokyo Japan，July 2-5(2017), VI-2, session. "Hydrogen-Induced Thermal Conductivity Change across Metal-Insulator Transition in Amorphous WO3 Film"， A. Nakamura, S. Harada, M. Tagawa, T. Ujihara, April 18, 2017 MRS Spring Meeting，Phoenix Convention Center and Sheraton Grand Phoenix，April 17-21(2017), NM2, poster. "Numerical simulation of the transport phenomena occurring during the growth of SiC crystals by the RF-heating TSSG method"， T. Yamamoto, J. Sakamoto, Y. Okano, T. Ujihara, S. Dost, March 28, Asian Conference on Thermal Sciences 2017 (ACTS2017)，Jeju Korea，March 26-29(2017), P00078, poster. ●国内学会 "機械学習を活用したSiC溶液成長プロセス・ビュジュアライゼーション"， 宇治原徹, 畑佐豪記, 角岡洋介, 村山健太, 原田俊太, 田川美穂, 第46回結晶成長国内会議（JCCG-46）, 2017年11月29日, ホテルコンコルド浜松, 2017年11月27日〜29日, [29p-B04], (一般講演). "結晶光学軸方位分布からみたGaNやSiCの光学異常"， 塚本勝男, 今西正幸, 村山健太, 森勇介, 第46回結晶成長国内会議（JCCG-46）, 2017年11月29日, ホテルコンコルド浜松, 2017年11月27日〜29日, [29p-B03], (一般講演). "キラルな光場中でのキラル結晶化におけるキラリティの偏り"， 新家寛正, 杉山輝樹, 田川美穂, 宇治原徹, 丸山美帆子, 森勇介, 宮本克彦, 尾松孝茂, 第46回結晶成長国内会議（JCCG-46）, 2017年11月29日, ホテルコンコルド浜松, 2017年11月27日〜29日, [29a-A02]． "数値解析を用いた誘導加熱TSSG法によるSiC結晶成長製造装置の最適化条件の探索"， 堀内鷹之, Wang Lei, 山本卓也, 宇治原徹, 岡野泰則, 第46回結晶成長国内会議（JCCG-46）, 2017年11月28日, ホテルコンコルド浜松, 2017年11月27日〜29日, [28p-P32], (ポスター)． "機械学習による結晶成長条件の予測を用いたSiC溶液成長"， 林宏益, 村井良多, 朱燦, 村山健太, 角岡洋介, 畑佐豪記, 原田俊太, 田川美穂, 宇治原徹, 第46回結晶成長国内会議（JCCG-46）, 2017年11月28日, ホテルコンコルド浜松, 2017年11月27日〜29日, [28p-P14], (ポスター)． "気相法AlNウィスカー成長における形状変化メカニズムの解明"， 齊藤廣志, 竹内幸久, 原田俊太, 田川美穂, 宇治原徹, 第46回結晶成長国内会議（JCCG-46）, 2017年11月28日, ホテルコンコルド浜松, 2017年11月27日〜29日, [28p-P16], (ポスター)． "SiC溶液成長におけるプロセス・インフォマティクス"， 宇治原徹，角岡洋介，畑佐豪記，村山健太，村井良多，朱燦，原田俊太，田川美穂, 第46回結晶成長国内会議（JCCG-46）, 2017年11月28日, ホテルコンコルド浜松, 2017年11月27日〜29日, [28a-C06], (口頭講演)． "4H-SiC溶液成長法二段階成長における異種多形の析出抑制"， 村山健太, 原田俊太, 藤栄文博, 劉欣博, 村井良多, 朱燦, 花田賢志, 田川美穂, 宇治原徹, 第46回結晶成長国内会議（JCCG-46）, 2017年11月28日, ホテルコンコルド浜松, 2017年11月27日〜29日, [28a-A05], (一般講演)． "SiC溶液成長過程における転位伝播方向制御による高品質化"， 原田俊太, 村山健太, 村井良多, 朱燦, 田川美穂, 宇治原徹, 第46回結晶成長国内会議（JCCG-46）, 2017年11月27日, ホテルコンコルド浜松, 2017年11月27日〜29日, [27p-C04], (招待講演)． "機械学習による熱流体解析の高速化における予測精度"， 畑佐豪記, 角岡洋介, 村井良多, 村山健太, 朱燦, 原田俊太, 田川美穂, 宇治原徹, 第46回結晶成長国内会議（JCCG-46）, 2017年11月27日, ホテルコンコルド浜松, 2017年11月27日〜29日, [27p-A02], (一般講演)． "貫通らせん転位が極めて少ない 4H-SiC の溶液成長における多形安定化手法"， 村山健太, 原田俊太, 藤栄文博, 劉欣博, 村井良多, 朱燦, 花田賢志, 田川美穂, 宇治原徹, 先進パワー半導体分科会 第4回講演会，2017年11月2日，名古屋国際会議場 ，2017年11月1日〜2日, [IIB-2], (ポスター)． "溶液成長における溶液状態の高速予測と 網羅的探索により最適化した条件での結晶成長"， 村井良多, 村山健太, 原田俊太, 畑佐豪記, 角岡洋介, 林宏益, 朱燦, 田川美穂, 宇治原徹, 先進パワー半導体分科会 第4回講演会，2017年11月2日，名古屋国際会議場 ，2017年11月1日〜2日, [IIA-3], (ポスター)． "SiC 溶液成長法における溶媒中の Cr 組成に対する 成長ポリタイプの面内分布及び相対存在割合の評価"， 鈴木皓己, 高橋大, 土本直道, 玄光龍, 太子敏則, 村山健太, 原田俊太, 宇治原徹, 先進パワー半導体分科会 第4回講演会，2017年11月2日，名古屋国際会議場 ，2017年11月1日〜2日, [IIA-2], (ポスター)． "ラマン分光法による GaN 単結晶における貫通転位の刃状成分の解析"， 小久保信彦, 角岡洋介, 藤榮文博, 大原淳士, 原一都, 恩田正一, 山田永, 清水三聡, 原田俊太, 田川美穂, 宇治原徹, 先進パワー半導体分科会 第4回講演会，2017年11月1日，名古屋国際会議場 ，2017年11月1日〜2日, [IB-17], (ポスター)． " X 線トポグラフィーその場観察による 4H-SiC 積層欠陥挙動の窒素濃度依存性評価"， 藤榮文博, 原田俊太, 周防裕政, 加藤智久, 田川美穂, 宇治原徹, 先進パワー半導体分科会 第4回講演会，2017年11月1日，名古屋国際会議場 ，2017年11月1日〜2日, [IB-14], (ポスター)． " 溶液法 SiC 基板を用いて作製した MOS キャパシタの評価"， 古庄智明, 川畑直之, 古橋壮之, 渡辺友勝, 渡邊寛, 山川聡, 村山健太, 原田俊太, 宇治原徹, 先進パワー半導体分科会 第4回講演会，2017年11月1日，名古屋国際会議場 ，2017年11月1日〜2日, [IA-25], (ポスター)． "SiCにおける積層欠陥拡張・収縮挙動の高温その場観察"， 藤榮 文博, 原田 俊太, 花田 賢志, 村山 健太, 田川 美穂, 加藤 智久, 宇治原 徹, 日本金属学会 2017年秋期講演会，2017年9月6日，北海道大学，2017年9月6日〜8日, (口頭)． "単結晶Cu集電体を用いた金属Li負極の不均一析出抑制"， 石川 晃平, 原田 俊太, 田川 美穂, 宇治原 徹, 日本金属学会 2017年秋期講演会，2017年9月6日，北海道大学，2017年9月6日〜8日, (ポスター)． "DNA被覆ナノ粒子によるDDAB脂質二重膜の指組みゲル相形成の促進"， 磯貝 卓巳, 鷲見 隼人, 手老 龍吾, 原田 俊太, 宇治原 徹, 田川 美穂, 2017年第78回応用物理学会秋季学術講演会，2017年9月7日，福岡国際会議場，2017年9月5日〜8日, [7p-A503-6], (口頭)． "Investigation of high-temperature annealing process ofsputtered AlN films"， S. Xiao, Y. Liu, R. Suzuki, H. Miyake, K. Hiramatsu, S. Harada,T. Ujihara, 2017年第78回応用物理学会秋季学術講演会，2017年9月7日，福岡国際会議場，2017年9月5日〜8日, [7p-A301-6], (口頭)． "機械学習を用いたSiC結晶成長実験条件の最適化"， 村井 良多, 畑佐 豪記, 角岡 洋介, 林 宏益, 村山 健太, 朱 燦, 原田 俊太, 田川 美穂, 宇治原 徹, 2017年第78回応用物理学会秋季学術講演会，2017年9月6日，福岡国際会議場，2017年9月5日〜8日, [6p-A201-13], (口頭)． "SiC溶液法C面成長における貫通らせん転位の低減"， 劉 欣博, 原田 俊太, 村山 健太, 村井 良多, 肖 世玉, 田川 美穂, 宇治原 徹, 2017年第78回応用物理学会秋季学術講演会，2017年9月6日，福岡国際会議場，2017年9月5日〜8日, [6p-A201-11], (口頭)． "4H-SiC 溶液成長における積層欠陥との相互作用により生じる貫通らせん転位の変換挙動"， 加渡 幹尚, 原田 俊太, 関 和明, 大黒 寛典, 楠 一彦, 宇治原 徹, 2017年第78回応用物理学会秋季学術講演会，2017年9月6日，福岡国際会議場，2017年9月5日〜8日, [6p-A201-10], (口頭)． "X線その場観察によりメニスカス高さ制御したSiC溶液成長"， 酒井 武信, 秋田 光俊, 加度 幹尚, 大黒 寛典, 原田 俊太, 宇治原 徹, 2017年第78回応用物理学会秋季学術講演会，2017年9月6日，福岡国際会議場，2017年9月5日〜8日, [6p-A201-8], (口頭)． "Li挿入によるWO3薄膜の熱伝導率の変化"， 小林 竜大, 中村 彩乃, 原田 俊太, 田川 美穂, 宇治原 徹, 2017年第78回応用物理学会秋季学術講演会，2017年9月6日，福岡国際会議場，2017年9月5日〜8日, [6a-C22-11], (口頭)． "溶液成長SiC基板上に作製した酸化膜の評価"， 古庄 智明, 川畑 直之, 古橋 壮之, 渡辺 友勝, 渡邊 寛, 山川 聡, 村山 健太, 原田 俊太, 宇治原 徹, 2017年第78回応用物理学会秋季学術講演会，2017年9月5日，福岡国際会議場，2017年9月5日〜8日, [5p-PB8-6], (ポスター)． "SiC溶液成長における機械学習を用いた閉鎖空間の溶液温度・流速分布の予測"， 畑佐 豪記, 角岡 洋介, 村山 健太, 村井 良太, 原田 俊太, 田川 美穂, 宇治原 徹, 第40回結晶成長討論会，2017年8月30日，浜名湖ロイヤルホテル，2017年8月30日〜9月1日, (ポスター)． "DNA修飾ナノ粒子超格子を前駆体としたウルフ多面体型コロイド結晶の形成"， 鷲見 隼人, 磯貝 卓巳, 吉田 直矢, 原田 俊太, 宇治原 徹, 田川 美穂, 2017年第64回応用物理学会春季学術講演会，2017年3月17日，パシフィコ横浜，2017年3月14日〜17日, [17a-F206-3], (口頭)． ★"SiC溶液成長における最適条件高速探索手法の提案"， 角岡 洋介, 小久保 信彦, 原田 俊太, 田川 美穂,宇治原 徹, 2017年第64回応用物理学会春季学術講演会，2017年3月16日，パシフィコ横浜，2017年3月14日〜17日, [15p-MH-4], (招待講演)． "水素挿入・脱離によるWO3薄膜の熱伝導率制御"， 中村 彩乃, 小林 竜太, 原田 俊太, 田川 美穂, 宇治原 徹, 2017年第64回応用物理学会春季学術講演会，2017年3月15日，パシフィコ横浜，2017年3月14日〜17日, [15p-F206-12], (口頭)． "酸化タングステンの酸化還元による可逆的熱伝導率制御"， 原田 俊太, 弓削 勇輔, 田川 美穂, 宇治原徹, 2017年第64回応用物理学会春季学術講演会，2017年3月15日，パシフィコ横浜，2017年3月14日〜17日, [15p-F206-11], (口頭)． "4H-SiC中1SSF・PD起因フォトルミネッセンス減衰時間の温度依存性"， 片平 真哉, 市川 義人, 原田 俊太, 木本 恒暢, 加藤 正史, 2017年第64回応用物理学会春季学術講演会，2017年3月15日，パシフィコ横浜，2017年3月14日〜17日, [15a-F204-12], (口頭)． "X線透過法により溶液形状制御したSiC溶液成長"， 酒井 武信, 加渡 幹尚, 大黒 寛典, 原田 俊太, 宇治原 徹, 2017年第64回応用物理学会春季学術講演会，2017年3月15日，パシフィコ横浜，2017年3月14日〜17日, [15a-F204-4], (口頭)． "後方反射X線トポグラフィによる4H-SiC積層欠陥拡張挙動のその場観察"， 藤榮 文博, 原田 俊太, 村山 健太, 花田 賢志, 陳鵬磊, 加藤 智久, 田川 美穂, 宇治原 徹, 2017年第64回応用物理学会春季学術講演会，2017年3月15日，パシフィコ横浜，2017年3月14日〜17日, [15a-F204-3], (口頭)． "誘導加熱TSSG法によるSiC成長時の融液内対流現象に関する数値解析"， 山本 卓也, 岡野 泰則, 宇治原 徹, 2017年第64回応用物理学会春季学術講演会，2017年3月14日，パシフィコ横浜，2017年3月14日〜17日, [14-B5-5], (口頭)． "TSSG法によるSiC結晶成長の数値シミュレーション"， 阪本 純基, 山本 卓也, 岡野 泰則, 宇治原 徹, 第１９回化学工学会学生発表会，2017年3月4日，大阪大学 豊中キャンパス，2017年3月4日, [IQ3], (口頭)． topへ戻る
2016
●国際学会 ★"High Quality SiC Single Crystal Grown by Soltion Growth Method"， T. Ujihara, November 24, 2016 Fall Meeting of the Korean Ceramics Society, soul Korea, November 23-25(2016), invited. "Evaluation of conduction mini-bands in semiconductor superlattice by visible-light photoelectron spectroscopy"， T. Ujihara, October 11, 13th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures(ACSIN 2016)，Rome Italy, October 9-15(2016), Tu4T, oral. ★"Trial of Process Informatics in SiC Solution Growth"， T. Ujihara, S. Harada, Y. Tsunooka, N. Kokubo, K. Murayama, R. Murai, M. Tagawa, October 7, The 3rd International Conference on Universal Village (UV 2016)，Nagoya Japan，October 6-8(2016), invited. "Effect of Crystal Orientation of Cu Current Collector on Morphology of Li Electrodeposition"， K. Ishikawa, Y. Ito, S. Harada, M. Tagawa, T. Ujihara, September 27, Nucleation and Growth Research Conference (NGRC 2016)，Kyoto Japan，September 27-29(2016), PP-13, poster. "Formation Mechanism of AlN Whiskers by Reacting N2 Gas and Al Vapor"， M. Matsumoto, H. Saitou, Y. Takeuchi, S. Harada, M. Tagawa, T. Ujihara, September 27, Nucleation and Growth Research Conference (NGRC 2016)，Kyoto Japan, September 27-29(2016), PP-19, poster. "Reduction of all types of dislocation in 4H-SiC crystal by two-step solution growth"， K. Murayama, T. Hori, S. Harada, S. Xiao, M. Tagawa, T. Ujihara, September 27, The 11th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM) ，Halkidiki，September 25-29(2016), Tu2b.03, oral. "Solvent design for high-purity SiC solution growth"， S. Harada, G. Hatasa, K. Murayama, T. Kato, M. Tagawa, T. Ujihara, September 27, The 11th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM) ，Halkidiki，September 25-29(2016), Tu2b.05, oral. "Formation of basal plane dislocations introduced by collision of macrosteps on growth surface during SiC solution growth"， T. Hori, K. Murayama, S. Harada, S. Xiao, M. Tagawa, T. Ujihara, September 26, The 11th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM) ，Halkidiki，September 25-29(2016), TuP.40, poster. "In-situ observation during solution growth of SiC by X-ray transmission method"， T. Sakai, M. Kado, H. Daikoku, S. Harada, T. Ujihara, September 26, The 11th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM) ，Halkidiki，September 25-29(2016), LN.15, poster. "Controlling two-dimensional structuer of DNA-linked Au nanoparticle lattices on supported lipid bilayer"， T. Isogai, N. Yoshida, H. Sumi, R. Tero, S. Harada, T. Ujihara, M. Tagawa, September 4-8, The 22nd International Conference on DNA Computing and Molecular Programming (DNA22)，Munchen, September 4-8(2016), P36, poster. ★"Control of Macrostep Structure for High-Quality SiC Grown by Liquid Phase Epitaxy", T. Ujihara, C. Zhu, K. Murayama, S. Harada, M.Tagawa, August 8, 2016, the 18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-18), Nagoya Japan, August 7-12, Mo1-G04-1, invited. "Phase transition process in DDAB supported lipid bilayer", T. Isogai, S. Nakada, N. Yoshida, H. Sumi, R. Tero, S. Harada, T. Ujihara, M. Tagawa, August 9, 2016, the 18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-18), Nagoya Japan, August 7-12, Tu1-G02-7, oral. "Crystal orientation dependence of precipitate structure of electrodeposited Li metal on Cu current collectors", K. Ishikawa, Y. Ito, S. Harada, M. Tagawa, T. Ujihara, August 9, 2016, the 18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-18), Nagoya Japan, August 7-12, Tu2-G02-2, oral. "Prediction of solution flow combined with computational fluid dynamics simulation and sparse modeling", N. Kokubo, Y. Tsunooka, S. Harada, M. Tagawa, T. Ujihara, August 9, 2016, the 18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-18), Nagoya Japan, August 7-12, TuP-J01-18, poster. "Morphology of AlN whiskers grown by reacting N2 gas and Al vapor", M. Matsumoto, H. Saitou, Y. Takeuchi, S. Harada, M. Tagawa, T. Ujihara, August 9, 2016, the 18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-18), Nagoya Japan, August 7-12, TuP-T01-19, poster. "Threading Screw Dislocation Conversion by Macrosteps during SiC Solution Growth for High-quality Crystals", S. Harada, K. Murayama, S. Xiao, F. Fujie, T.Sakai, M. Tagawa, T. Ujihara, August 11, 2016, the 18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-18), Nagoya Japan, August 7-12, Th2-T10-4, oral. "Two-step growth of SiC solution growth for reduction of dislocations", K. Murayama, T. Hori, S. Harada, S. Xiao, M.Tagawa, T. Ujihara, August 11, 2016, the 18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-18), Nagoya Japan, August 7-12, Th2-T10-5, oral. "Numerical Investigation of Transport Phenomenaduring Crystal Growth of SiC by the Induction Heating TSSG Method", N. Adkar, T. Yamamoto, Y. Okano, T. Ujihara, S. Dost , August 11, 2016, the 18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-18), Nagoya Japan, August 7-12, ThP-T10-1, poster. "Effect of Crystal Shape on Solution Flow and Surface Morphology in Solution Growth of SiC", D. Koike, T. Umezaki, K. Murayama, K. Aoyagi, S.Harada, M. Tagawa, T. Sakai, T. Ujihara, August 11, 2016, the 18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-18), Nagoya Japan, August 7-12, ThP-T10-2, poster. "The realization of high-quality 4H-SiC C-face grown crystals by controlling the macrosteps formation during solution growth", S. Y. Xiao, S. Harada, P. L. Chen, K. Murayama, T.Ujihara, August 11, 2016, the 18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-18), Nagoya Japan, August 7-12, ThP-T10-10, poster. ★"Enantioselective bias on circularly polarized laser-induced chiral crystallization from NaClO3 solution with plasmonic Ag nanoparticles", H. Niinomi, T. Sugiyama, M. Tagawa, M. Maruyama, T. Omatsu, T. Ujihara, Y. Mori, August 12, 2016, the 18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-18), Nagoya Japan, August 7-12, Fr-G09-2, invited. "Spectroscopy of electrons emitting from conduction mini-band of semiconductor superlattice through negative-electron-affinity surface", T. Ujihara, July 5, 2016, the 39th International conference on Vacuum Ultraviolet and X-ray Physics (VUVX2016), Zurich, July 3-8, P_242, poster. "Chiral bias on circularly polarized laser-induced chiral crystallization from NaClO3 solution containing plasmonic Ag nanoparticles", H. Niinomi, T. Sugiyama, M. Tagawa, K. Murayama, S. Harada, K. Miyamoto, T. Omatsu, T. Ujihara, May 20, 2016, Optical manipulation and its satellite topics (OMC'16), Kanagawa Japan, May 18-20, OMC5-4, oral. "Direct observation of electrons transported in second conduction mini-band of a semiconductor superlattice by visible-light photoemission spectroscopy", F. Ichihashi, K. Nishitani, X. Dong, T. Kawaguchi, M. Kuwahara, T. Ito, S. Harada, M. Tagawa, T. Ujihara, February 15, SPIE Photonics West 2016, The Moscone Center San Francisco, CA, USA, February 13-18(2016), 9743-10, oral. "Thermal conductivity changes in WO3 films caused by hydrogen intercalation/deintercalation" A. Nakamura, K. Aoyagi, S. Harada, M. Tagawa, T. Ujihara, January 27, 40th International Conference & Exposition on Advanced Ceramics & Composites(ICACC16), Hilton Daytona Beach Resort and Ocean Center, Daytona Beach, Florida, USA, January 24-29(2016), ICACC-S6-P023-2016, poster. ●国内学会 "半導体伝導帯構造を明らかにする可視光電子光電子分光法の提案"， 宇治原 徹, 市橋 史朗, 董 キン宇, 井上 明人, 川口 昂彦, 桑原 真人, 伊藤 孝寛, 原田 俊太, 田川 美穂, 2016年真空・表面科学合同講演会 第 36 回表面科学学術講演会 第 57 回真空に関する連合講演会，2016年12月1日，名古屋国際会議場，2016年11月29日〜12月1日, [3Ca03], (口頭). "金属 Li 負極における Cu 集電体の結晶方位と析出形状の関係"， 石川 晃平, 伊藤 靖仁, 原田 俊太, 田川 美穂, 宇治原 徹, 第57回電池討論会，2016年12月1日，幕張メッセ国際会議場，2016年11月29日〜12月1日, [3B04], (口頭). "Optically induced crystallization of NaClO3 metastable phase on plasmonic gold nanostructures immersed in unsaturated mother solution"， H. Niinomi, T. Sugiyama, M. Tagawa, T. Ujihara, Y. Mori, S. Harada, K. Murayama, K. Miyamoto, T. Omatsu, Institute for Global Prominent Research Kickoff Symposium，2016年11月14日, 千葉大学，2016年11月14日, [R-2-2], (ポスター). "X線透過法による SiC 溶液成長の溶液流れと溶液形状のその場観察"， 酒井 武信, 加渡 幹尚, 大黒 寛典, 原田 俊太, 宇治原 徹, 先進パワー半導体分科会 第3回講演会，2016年11月9日，つくば国際会議場，2016年11月8日〜11日, [�U-2], (口頭)． "溶液成長法二段階成長による SiC 結晶内の欠陥密度の低減"， 村山 健太, 堀 司紗, 原田 俊太, 田川 美穂, 宇治原 徹, 先進パワー半導体分科会 第3回講演会，2016年11月8日，つくば国際会議場，2016年11月8日〜11日, [P-9], (ポスター)． "SiC 溶液成長においてルツボ口径が多結晶析出に及ぼす影響"， 岡島 鎮記, 村井 良多, 村山 健太, 原田 俊太, 田川 美穂, 宇治原 徹, 先進パワー半導体分科会 第3回講演会，2016年11月8日，つくば国際会議場，2016年11月8日〜11日, [P-10], (ポスター)． "透過電子顕微鏡による窒素添加 SiC 積層欠陥の高温その場観察"， 陳 鵬磊, 原田 俊太, 荒井 重勇, 藤榮 文博, 肖 世玉, 加藤 智久, 田川 美穂, 宇治原 徹, 先進パワー半導体分科会 第3回講演会，2016年11月8日，つくば国際会議場，2016年11月8日〜11日, [P-38], (ポスター)． "窒素添加した 4H-SiC における積層欠陥拡張・収縮挙動の高温その場観察"， 藤榮 文博, 原田 俊太, 村山 健太, 花田 賢志, 陳 鵬磊, 田川 美穂, 加藤 智久, 宇治原 徹, 先進パワー半導体分科会 第3回講演会，2016年11月8日，つくば国際会議場，2016年11月8日〜11日, [P-41], (ポスター)． "Crystallization of NaClO3 metastable phase from unsaturated mother solution achieved by excitation of plasmonic Au nanoarray"， H. Niinomi, T. Sugiyama, M. Tagawa, T. Ujihara, Y. Mori, S. Harada, K. Murayama, K. Miyamoto, T. Omatsu, Optics & Photonics Japan 2016，2016年10月30日, 筑波大学，2016年10月30日- 11月8日, [31Popp3], (ポスター). "半導体光陰極を用いた次世代透過電子顕微鏡の開発"， 桑原 真人, 青木 幸太, 鈴木 潤士, 宇治原 徹, 齋藤 晃, 田中 信夫, 2016年第77回応用物理学会秋季学術講演会，2016年9月15日, 朱鷺メッセ，2016年9月13日〜16日, [15p-B5-1], (口頭). "AlN 溶液成長における機械学習を用いた溶液流動の高効率予測"， 小久保 信彦, 角岡 洋介, 原田 俊太, 田川 美穂, 宇治原 徹, 2016年第77回応用物理学会秋季学術講演会，2016年9月15日, 朱鷺メッセ，2016年9月13日〜16日, [15a-A21-7], (口頭). "X 線透過法による溶液法 SiC 結晶成長のその場観察"， 酒井 武信, 加渡 幹尚, 大黒 寛典, 原田 俊太, 宇治原 徹, 2016年第77回応用物理学会秋季学術講演会，2016年9月15日, 朱鷺メッセ，2016年9月13日〜16日, [15a-C302-1], (口頭). "X 線透過法による溶液法 SiC 結晶成長の溶液表面形状の経時変化の観察"， 酒井 武信, 加渡 幹尚, 大黒 寛典, 原田 俊太, 宇治原 徹, 2016年第77回応用物理学会秋季学術講演会，2016年9月15日，朱鷺メッセ，2016年9月13日〜16日, [15a-C302-2], (口頭). "機械学習を用いた溶液成長における過飽和度分布の予測"， 角岡 洋介, 小久保 信彦, 原田 俊太, 田川 美穂, 宇治原 徹, 2016年第77回応用物理学会秋季学術講演会，2016年9月15日，朱鷺メッセ，2016年9月13日〜16日, [15a-C302-3], (口頭). "n 型 4H-SiC 中 SSF 起因フォトルミネッセンスの時間分解測定"， 加藤 正史, 片平 真哉, 市川 義人, 市村 正也, 原田 俊太, 2016年第77回応用物理学会秋季学術講演会，2016年9月15日，朱鷺メッセ，2016年9月13日〜16日, [15p-C302-11], (口頭). "TSSG 法による SiC 結晶成長炉内移動現象に関する数値シミュレーション"， 山本 卓也、岡野 泰則、宇治原 徹, 化学工学第48回秋季大会，2016年9月6日，徳島大学 常三島キャンパス，2016年9月6日〜8日, [O121], (口頭). "塩素酸ナトリウム水溶液中の銀ナノ粒子円偏光光学捕捉により誘起されるキラル結晶化におけるキラリティの偏り"， 新家 寛正, 杉山 輝樹, 田川 美穂, 村山 健太, 原田 俊太, 宇治原 徹, 日本地球惑星科学連合2016年大会，幕張メッセ，2016年5月22日〜26日, [MIS12-05], (口頭). ★"溶液法による高品質 SiC 結晶成長とその必要性"， 松本 利希，川口 昂彦，畑野 敬史，原田 俊太，飯田 和昌，宇治原 徹，生田 博志， 第27回シリサイド系半導体研究会，2016年3月22日，小山台会館，2016年3月22日，(招待講演). "強磁場スパッタ法によるマンガン窒化物薄膜の作製"， 松本 利希，川口 昂彦，畑野 敬史，原田 俊太，飯田 和昌，宇治原 徹，生田 博志， 2016年第63回応用物理学会春季学術講演会，2016年3月22日，東工大大岡山キャンパス，2016年3月19日〜22日，[22p-H103-2]，(口頭). "SiC溶液成長における基底面転位と表面モフォロジーの関係"， 堀 司紗，村山 健太，原田 俊太，肖 世玉，田川 美穂，宇治原 徹， 2016年第63回応用物理学会春季学術講演会，2016年3月20日，東工大大岡山キャンパス，2016年3月19日〜22日，[20a-H101-4]，(口頭). "SiC溶液法における溶媒への金属添加による炭素溶解度変化の熱力学計算"， 畑佐 豪記，原田 俊太，田川 美穂，村山 健太，加藤 智久，宇治原 徹， 2016年第63回応用物理学会春季学術講演会，2016年3月20日，東工大大岡山キャンパス，2016年3月19日〜22日，[20a-H101-2]，(口頭). "可視光励起光電子分光法を用いたGaPにおけるキャリア散乱の温度依存性評価"， 市橋 史朗，川口 昂彦，董 キン宇，井上 明人，桑原 真人，伊藤 孝寛，原田 俊太，田川 美穂，宇治原 徹， 2016年第63回応用物理学会春季学術講演会，2016年3月20日，東工大大岡山キャンパス，2016年3月19日〜22日，[20a-S011-8]，(口頭). "溶液法による4H-SiCバルク結晶成長と結晶品質評価"， 楠 一彦，関 和明，岸田 豊，海藤 宏志，森口 晃治，岡田 信宏，大黒 寛典，加渡 幹尚，土井 雅喜，旦野 克典，関 章憲，佐藤 和明，別所 毅，原田 俊太，宇治原 徹， 2016年第63回応用物理学会春季学術講演会，2016年3月20日，東工大大岡山キャンパス，2016年3月19日〜22日，[20a-H101-6]，(口頭). "DDAB平面脂質二重膜の相転移過程の直接観察"， 磯貝 卓巳，中田 咲子，赤田 英里，吉田 直矢，鷲見 隼人，手老 龍吾，原田 俊太，宇治原 徹，田川 美穂， 2016年第63回応用物理学会春季学術講演会，2016年3月19日，東工大大岡山キャンパス，2016年3月19日〜22日，[19p-W323-12]，(口頭). "超格子構造中のDNA被覆金ナノ粒子の融合に向けた粒子間距離収縮とナノ粒子融合"， 鷲見 隼人，磯貝 卓巳，中田 咲子，吉田 直矢，原田 俊太，宇治原 徹，田川 美穂， 2016年第63回応用物理学会春季学術講演会，2016年3月19日，東工大大岡山キャンパス，2016年3月19日〜22日，[19p-W323-1]，(口頭). "超高品質SiC溶液成長法の最前線"， 原田 俊太，宇治原 徹， 日本結晶成長学会・バルク成長分科会　第98回研究会「機能性単結晶材料の最新動向--パワーデバイスから光・圧電まで--」，2016年3月4日，早稲田大学　西早稲田キャンパス，(口頭). ★"成長過程における転位変換現象を利用した高品質 SiC 溶液成長"， 宇治原 徹， 材料の微細組織と機能性第133委員会　第230回研究会，2016年1月30日，東京理科大学　森戸記念館，(招待講演). topへ戻る
2015
●国際学会 "Temperature Dependence of the Energy Distribution of the Conduction Electrons in GaP Single Crystal", Fumiaki Ichihashi, X. Dong, T. Kawaguchi, M. Kuwahara, T. Ito, S. Harada, M. Tagawa and T. Ujihara, October 27, 10th International Symposium on Atomic Level Characterizations for New Materials and Devices'15 (ALC’15), Kunibiki Messe, Matsue, Shimane, October 25-30, 27p-P-43, poster. ★　"Introduction of SiC Solution Growth‐in comparison with other growth methods", T. Ujihara, October 4, 16th International Conference on Silicon Carbide and Related Materials(ICSCRM2015), Giardini Naxos, Italy, October 4-9(2015), Tutorial Program, oral. "Consideration of threading dislocation conversion phenomena during SiC solution growth based on the elastic strain energy", S. Harada, S. Xiao, K. Murayama, K. Aoyagi, T. Sakai, M. Tagawa, T. Ujihara, October 5, 16th International Conference on Silicon Carbide and Related Materials(ICSCRM2015), Giardini Naxos, Italy, October 4-9(2015), Mo-2B-5, oral. "High‐speed solution growth of single crystal AlN from Cr‐Co‐Al solvent", S. Watanabe, M. Nagaya, Y. Takeuchi, K. Aoyagi, S. Harada, M. Tagawa, T. Ujihara, October 5, 16th International Conference on Silicon Carbide and Related Materials(ICSCRM2015), Giardini Naxos, Italy, October 4-9(2015), Mo-P-48, poster. "Distribution of nitrogen doping concentration in 4H‐SiC grown by solution method", Z. Wang, T. Kawaguchi, K. Murayama, K. Aoyagi, S. Harada, T. Sakai, M. Tagawa, T. Ujihara, October 7, 16th International Conference on Silicon Carbide and Related Materials(ICSCRM2015), Giardini Naxos, Italy, October 4-9(2015), We-P-7, poster. "Solution Growth of AlN Single Crystal on Sapphire using Multi-Component Solvent Designed by Thermodynamic Calculation", S. Harada, M. Nagaya, S. Watanabe, M. Chen, Y. Takeuchi, K. Aoyagi, M. Tagawa, T. Ujihara, September 29, 2015 International Conference on Solid State Devices and Materials(SSDM2015), Sapporo Convention Center, Sapporo, September 27-30(2015), PS-14-16, poster. "Effect of magnesium ion concentration on the two-dimensional structure of DNA-functionalized nanoparticles on supported lipid bilayer", T. Isogai,E. Akada, S. Nakada, N. Yoshida, R. Tero, S. Harada, T. Ujihara, M. Tagawa, June 22, 第8回有機分子・バイオエレクトロニクス国際会議(M&BE8), Tower Hall Funabori, Tokyo, Japan, June 22-24(2015), D-O01, oral. "Lipid diffusion and phase transition: Influence on DNA-functionalised nanoparticle adsorbates.", S. Nakada, E. Akada, T. Isogai, N. Yoshida, R. Tero, S. Harada, T. Ujihara, M. Tagawa, June 22, 5th International Colloids Conference, NH Amsterdam Grand Hotel Krasnapolsky, Amsterdam, The Netherlands, June 21-24(2015), P251, poster. "Measurement of Energy Distribution of Conduction Electrons in Superlattice by Visible-Light Photoemission Spectroscopy", F. Ichihashi, K. Nishitani, X. Dong, T. Kawaguchi, M. Kuwahara, T. Ito, S. Harada, M. Tagawa, T. Ujihara, June 16, 42nd IEEE Photovoltaic Specialists Conference, the Hyatt Regency - New Orleans, New Orleans, Louisiana, USA, June 14-19(2015), #298, oral. ★　"Ultra high quality SiC crystal grown by solution method", T. Ujihara, S. Harada, K. Aoyagi, M. Tagawa, T. Sakai, June 16, 11th CMCEE, Hyatt Regency Vancouver, BC Canada, June 14-19(2015), CMCEE-T4-S5-018-2015, Invited. ★　"Development of Visible-Light Photoemission Spectroscopy for the Evaluation of Conduction Bands in Semiconductors", T. Ujihara, May 29, BIT's 4th Annual World Congress of Advanced Materials-2015 (WCAM-2015), Chongqing International Convention & Exhibition Center, Chongqing, China, May 27-29(2015),Sector 10-1, oral. "Correlation Between Grown Polytypes and Activity Ratio During Solution Growth of SiC with Multi-Component Solvent", A. Horio, S. Harada, D. Koike, K. Murayama, K. Aoyagi, T. Sakai, M. Tagawa, T. Ujihara, March 27, ISPlasma2015 / IC-PLANTS2015, Nagoya University, Aichi, Japan, March 26-31(2015), B3-O-01, oral. ★　"High quality SiC crystal grown by solution method", T. Ujihara, January 10, International Conference on Chemical, Materials and Bio-Sciences for Sustainable Development(ICCMBSD-2015), Walchand College of Arts and Science, Solapur, Mumbai, India, January 8-10(2015), invited. ●国内学会 ★　“転位変換現象を利用した超高品質 SiC 結晶の溶液成長”， 宇治原徹， 2015年第35回表面科学学術講演会／第56回真空に関する連合講演会　真空・表面科学合同講演会　合同シンポジウム「パワーデバイスにおけるワイドキャップ半導体の最前線」，2015年12月1日、つくば国際会議場、2015年12月1日〜3日，1Bp01，依頼講演 “SiC溶液成長における溶媒不純物の取り込み　Impurity incorporation during solution growth of SiC”， 原田俊太，村山健太，青柳健大，酒井武信，田川美穂，加藤智久，宇治原徹， 先進パワー半導体分科会 第２回講演会，2015年11月9日，大阪国際交流センター，2015年11月9日〜10日，[P-7]，(ポスター). “4H-SiC溶液成長法Si面厚膜成長による貫通転位密度の低減　Growth of thick 4H-SiC crystal on Si face to reduce threading dislocation density by solution growth”， 村山健太，堀司紗，原田俊太、肖世玉，青柳健大，酒井武信，田川美穂，宇治原徹， 先進パワー半導体分科会 第２回講演会，2015年11月9日，大阪国際交流センター，2015年11月9日〜10日，[P-9]，(ポスター). “溶媒を用いたAlNウィスカーの直接窒化法における溶媒組成が生成量に与える影響”， 松本昌樹，渡邉将太，竹内幸久，青柳健大，原田俊太，田川美穂，宇治原徹， 第45回結晶成長国内会議（NCCG-45），2015年10月19日，北海道大学学術交流会館，2015年10月19日〜10月21日，[19pB02] Fe-Al，(口頭). “Agナノ粒子の光学捕捉により誘起されるNaClO3キラル結晶化過程その場観察”， 新家寛正，杉山輝樹，丸山美帆子，田川美穂，村山健太，原田俊太，宇治原徹，森勇介， 第45回結晶成長国内会議（NCCG-45），2015年10月19日，北海道大学学術交流会館，2015年10月19日〜10月21日，[19pC08]，(口頭). “脂質二重膜上のDNA被覆ナノ粒子の2次元配列に及ぼすマグネシウムおよび脂質膜形状の影響”， 磯貝卓巳，赤田英里，中田咲子，吉田直矢，手老龍吾，原田俊太，宇治原徹，田川美穂， 第45回結晶成長国内会議（NCCG-45），2015年10月19日，北海道大学学術交流会館，2015年10月19日〜10月21日，[19pC10]，(口頭). “4H-SiC溶液成長法Si面厚膜化による低転位密度結晶成長の実現”， 村山健太，原田俊太，肖世玉，堀司紗，青柳健大，酒井武信，田川美穂，宇治原徹， 第45回結晶成長国内会議（NCCG-45），2015年10月20日，北海道大学学術交流会館，2015年10月19日〜10月21日，[20aB01]，(口頭). “4H-SiCのSi面溶液成長における温度分布制御による異種多形混入の抑制”， 堀司紗，村山健太，肖世玉，青柳健大，原田俊太，酒井武信，田川美穂，宇治原徹， 第45回結晶成長国内会議（NCCG-45），2015年10月20日，北海道大学学術交流会館，2015年10月19日〜10月21日，[20PS03]，(ポスター). “DNAナノ構造体によるナノ粒子超構造の構造制御”， 田川美穂， 戦略目標「プロセスインテグレーションによる次世代ナノシステムの創製」３研究領域合同公開シンポジウム, 独立行政法人　科学技術振興機構, 2015年9月29日, 東京都, コクヨホール, [L-14], (ポスター). “可視光励起光電子分光によるGaP中伝導電子分布の温度変化の観測”, 川口昂彦, 市橋史朗, 董キン宇, �繻ｴ真人, 伊藤孝寛, 宇治原徹, 日本物理学会 2015 年秋季大会プログラム, 2015年9月16日, 大阪府, 関西大学千里山キャンパス, 2015年9月16日-9月19日, [16pCE-10], (口頭). “金属絶縁体転移に伴う WO3薄膜の熱伝導率変化”, 中村彩乃, 青柳健大, 原田俊太, 田川美穂・宇治原徹, 公益社団法人日本セラミックス協会　第 28 回秋季シンポジウム, 9月18日, 富山県, 富山大学（五福キャンパス）, 2015年9月16日-18日, [3Q08], (ポスター). “第６次産業革命とは・・「人と技術の融合」の必要性（趣旨説明）”, 宇治原徹, 2015年 第76回応用物理学会秋季学術講演会　特別シンポジウム「新第6次産業革命」〜人と技術の融合による未来産業と社会〜, 2015年9月16日, 愛知県, 名古屋国際会議場, 2015年9月13日〜16日, [16p-CE-1], (講演). “NEA表面の利用により実現した可視光励起光電子分光法”, 川口昂彦, 市橋史朗, 董キン宇, �繻ｴ 真人, 伊藤 孝寛, 宇治原 徹, 2015年 第76回応用物理学会秋季学術講演会, 2015年9月13日, 愛知県, 名古屋国際会議場, 2015年9月13日-16日, [13p-4E-12], (口頭). “可視光励起光電子分光法を用いたGaPにおける伝導電子エネルギー分布の温度依存性評価”, 董キン宇, 市橋史朗, 川口昂彦, �繻ｴ真人, 伊藤孝寛, 宇治原徹, 2015年 第76回応用物理学会秋季学術講演会, 2015年9月14日, 愛知県, 名古屋国際会議場, 2015年9月13日-16日, [14a-2W-6], (口頭). “2種のDNAを被覆したナノ粒子の構造体の粒子間距離分布”, 吉田直矢, 赤田絵里, 磯貝卓巳, 中田咲子, 原田俊太, 宇治原徹, 田川美穂, 2015年 第76回応用物理学会秋季学術講演会, 2015年9月15日, 愛知県, 名古屋国際会議場, 2015年9月13日-16日, [15p-2A-21], (口頭). “溶液法により成長したn型4H-SiC結晶のキャリア濃度分布の評価”, 王 振江, 川口昂彦, 村山健太, 青柳健大, 原田俊太, 酒井武信, 宇治原徹, 2015年 第76回応用物理学会秋季学術講演会, 2015年9月14日, 愛知県, 名古屋国際会議場, 2015年9月13日-16日, [14p-PB6-2]. (ポスター). “Agナノ粒子を含んだNaClO3溶液からの円偏光レーザー誘起キラル結晶化におけるエナンチオ選択的増幅”, 新家寛正, 杉山輝樹, 田川美穂, 村山健太, 原田俊太, 丸山美帆子, 森 勇介, 宇治原徹, 2015年 第76回応用物理学会秋季学術講演会, 2015年9月13日, 愛知県, 名古屋国際会議場, 2015年9月13日-16日, [13p-2E-7], (口頭). “脂質二重膜の性質が膜上のDNA被覆金ナノ粒子に及ぼす影響”, 中田咲子, 赤田英里, 磯貝卓巳, 吉田直矢, 手老龍吾, 原田俊太, 宇治原徹, 田川美穂, 2015年 第76回応用物理学会秋季学術講演会, 2015年9月15日, 愛知県, 名古屋国際会議場, 2015年9月13日-16日, [15p-2A-20], (口頭). “SiC溶液成長過程における欠陥変換メカニズムの解明と超高品質結晶の実現”, 宇治原徹, 第71回マテリアルズ・テーラリング研究会, 2015年8月8日, 長野県, （公財）加藤山崎教育基金　軽井沢研修所, 2015年8月8日-9日,（講演). “X線トポグラフィによるSiC溶液成長結晶の欠陥評価と高品質化”, 原田俊太, X線トポグラフィ研究会　2015年第１回会合, 大阪府, 大阪大学, 2015年8月7日, (口頭). “高熱伝導率AlNウィスカーの高効率合成”， 松本昌樹，陳鳴宇，永冶仁，渡邉将太，竹内幸久，原田俊太，田川美穂，宇治原徹，遠藤亮， 公益社団法人日本セラミックス協会 2015年 年会，3月18日，岡山大学 （津島キャンパス），岡山県，公益社団法人日本セラミックス協会，2015年 3月18日-20日，[1P013], (ポスター). “Synthesis of polycrystalline AlN with high thickness by an efficient method”， Pradip Ghosh, Kohei Mizuno, Makoto Hayashi, Yukihisa Takeuchi, Yuichi Aoki, Susumu Sobue, Yasuo Kitou, Jun Hasegawa, Makoto Kobashi, Toru Ujihara, 公益社団法人日本セラミックス協会 2015年 年会，3月18日，岡山大学 （津島キャンパス），岡山県，公益社団法人日本セラミックス協会，2015年 3月18日-20日，[1P015], (ポスター). “脂質二重膜上におけるDNA被覆金ナノ粒子のセルフアセンブリに対するイオンの効果”， 磯貝卓巳，赤田英理，中田咲子，吉田直矢，手老龍吾，原田俊太，宇治原徹，田川美穂, 2015年 第62回応用物理学会春季学術講演会，3月11日，東海大学　湘南キャンパス，神奈川県，（公社）応用物理学会，2015年3月11日-14日，[11a-D5-6], (口頭). “AlN溶液成長における熱力学計算を用いた成長速度の向上”， 渡邉将太，永冶仁，陳鳴宇，竹内幸久，青柳健大，原田俊太，田川美穂，宇治原徹 , 2015年 第62回応用物理学会春季学術講演会，3月11日，東海大学　湘南キャンパス，神奈川県，（公社）応用物理学会，2015年3月11日-14日， [11p-B1-12], (口頭). “4H-SiC溶液成長におけるSiCrAl溶媒へのSn微量添加効果”， 小松直佳，三谷武志，高橋徹夫，加藤智久，宇治原徹，松本祐司，蔵重和央，奥村元, 2015年 第62回応用物理学会春季学術講演会，3月12日，東海大学　湘南キャンパス，神奈川県，（公社）応用物理学会，2015年3月11日-14日，[12a-B4-1], (口頭). “SiC溶液成長における貫通転位変換と成長表面のマクロステップの関係”， 原田俊太，肖世玉，青柳健大，村山健太，酒井武信，田川美穂，宇治原徹, 2015年 第62回応用物理学会春季学術講演会，3月12日，東海大学　湘南キャンパス，神奈川県，（公社）応用物理学会，2015年3月11日-14日，[12a-B4-2], (口頭). “可視光励起光電子分光法を用いた半導体超格子における伝導電子のエネルギー分布測定”， 市橋史朗，西谷健治，董キン宇，川口昂彦，桑原真人，原田俊太，田川美穂，伊藤孝寛，宇治原徹, 2015年 第62回応用物理学会春季学術講演会，3月13日，東海大学　湘南キャンパス，神奈川県，（公社）応用物理学会，2015年3月11日-14日，[13a-A26-1], (口頭). topへ戻る
2014
●国際学会 "Microstructure Observation of CaFe2As2 Family Thin Films by Transmission Electron Microscopy", T. Kawaguchi, S. Harada, R. Fujimoto, Y. Mori, I. Nakamura, T. Hatano, T. Ujihara, H. Ikuta, November 27, 27th International Symposium on Superconductivity (ISS2014) , Tower Hall Funabori, Tokyo, November 25-27, (2014), FDP-9.poster "Two-dimensional assembly of Au nanoparticles through DNA hybridization on supported lipid bilayer", T. Isogai, E. Akada, S. Nakada, R. Tero, S. Harada, T. Ujihara and M. Tagawa, 20th International Conference on DNA Computing and Molecular Programming(DNA20), Kyoto university, Kyoto, Japan, September 22-26(2014), (Track(C)), poster. "Heavily Al doped 4H-SiC growth by the top-seeded solution growth technique using Si-Al-Cu melt as a solvent", S. Harada, S.Y. Xiao, M. Tagawa, Y. Yamamoto, S. Arai, N. Tanaka and T. Ujihara, September 22, 10th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials(ECSCRM 2014), the congress center of World Trade Center, Grenoble, France, September 22(2014), MO-P-04, poster. "Change in surface morphology by the addition of impurity elements in 4H-SiC solution growth with Si solvent", N. Komatsu, T. Mitani, T. Takahashi, T. Kato, K. Kurashige, Y. Matsumoto, T. Ujihara, H. Okumura, September 22, 10th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials(ECSCRM 2014), the congress center of World Trade Center, Grenoble, France, September 21-25(2014), MO-P-06, poster. ★　"Dislocation conversion during SiC solution growth for high-quality crystal", S. Harada, Y. Yamamoto, S. Xiao, N. HARA, D. Koike, T. Mutoh, M. Tagawa, T. Sakai, T. Ujihara, September 23, 10th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials(ECSCRM 2014), the congress center of World Trade Center, Grenoble, France, September 21-25(2014), TU1-IS-01, oral invited. "4H-SiC growth from Si-Cr-C solution under Al and N co-doping conditions", T. Mitani, N. Komatsu, T. Takahashi, T. Kato, T. Ujihara, Y. Matsumoto, K. Kurashige, H. Okumura, September 23, 10th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials(ECSCRM 2014), the congress center of World Trade Center, Grenoble, France, September 21-25(2014), TU1-OR-04, oral. "Threading screw dislocations conversion behavior on C face with different surface morphology during 4H-SiC solution growth", S. Xiao, N. Hara, S. Harada, T. Sakai, T. Ujihara, September 23, 10th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials(ECSCRM 2014), the congress center of World Trade Center, Grenoble, France, September 21-25(2014), TU-P-05, poster. "Effect of forced convection by crucible design in solution growth of SiC single crystal", K. Kurashige, M. Aoshima, K. Takei, K. Fujii, M. Hiratani, N. Senguttuvan, T. Kato, T. Ujihara, Y. Matsumoto, H. Okumura, September 23, 10th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials(ECSCRM 2014), the congress center of World Trade Center, Grenoble, France, September 21-25(2014), TU-P-06, poster. "Control of Interface Shape by Non-Axisymmetric Solution Convection in Top-Seeded Solution Growth for SiC Crystal", D. Koike, T. Umezaki, S. Harada, M. Tagawa, T. Sakai, T. Ujihara, September 23, 10th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials(ECSCRM 2014), the congress center of World Trade Center, Grenoble, France, September 21-25(2014), TU-P-09, poster. "3C-SiC crystal on sapphire by solution growth method", K. Shibata, S. Harada, T. Ujihara, September 23, 10th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials(ECSCRM 2014), the congress center of World Trade Center, Grenoble, France, September 21-25(2014), TU-P-11, poster. "Improvement of surface morphology by solution flow control in solution growth of SiC on off-axis seeds", T. Umezaki, D. Koike, S. Harada, T. Ujihara, September 24, 10th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials(ECSCRM 2014), the congress center of World Trade Center, Grenoble, France, September 21-25(2014), WE-P-01, poster. "Influences of solution flow and lateral temperature distribution on surface morphology in solution growth of SiC", K. Fujii, K. Takei, M. Aoshima, N. Senguttuvan, M. Hiratani, T. Ujihara, Y. Matsumoto, T. Kato, K. Kurashige, H. Okumura, September 24, 10th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials(ECSCRM 2014), the congress center of World Trade Center, Grenoble, France, September 21-25(2014), WE-P-06, poster. "Structure of basal plane defects formed by the conversion of threading screw dislocation during solution growth of SiC", S. Harada, S.Y. Xiao, M. Tagawa, Y. Yamamoto, S. Arai, N. Tanaka and T.Ujihara, September 9,2014, Solid State Devices and Materials 2014, Fukuoka, Japan, September 8-11(2014), N-1-3. poster. "Characterization of Newly Generated Defects during Solution Growth of 4H-SiC", S. XIAO, August 29, International Union of Materials Research Societies- International Conference in Asia 2014, Fukuoka, Japan, August 24-30(2014), A11-O29-015. oral. "Correlation between Surface Morphology and Threading Dislocation Conversion in Solution Growth of SiC", S. HARADA, August 28, International Union of Materials Research Societies- International Conference in Asia 2014, Fukuoka, Japan, August 24-30(2014), A11-P28-009.poster. "Defect evolution in high-qualit 4H-SiC grown by solution method", S. Harada, M. Tagawa, T. Ujihara, August 9, International Union of Crystallography 2014, Quebec, Canada, August 5-12(2014), MS94.O05. oral. ★　"DNA-mediated Nanoparticle Crystallization", M. Tagawa, O.g Gang, T. Isogai, S. Nakada, E.i Akada, S. Harada, T. Ujihara, The International Symposium on Material Architectonics for Sustainable Action(MASA), Tsukuba, Japan, July 18th(2014).oral "Direct Measurement of Conduction Miniband Structure in Superlattice by Visible-Light Photoemission Spectroscopy" F.Ichihashi, D.Shimura, K.Nishitani, M.Kuwahara, T.Ito, S.Harada, H.Katsuno, M.Tagawa, T.Ujihara, Photovoltaic Specialists Conference(The PVSC-40), Colorado, USA, June 8th-13th(2014), poster ★　"Ultra-high quality SiC crystal grown by solution method", T.Ujihara, International Conference on Science and Engineering of Materials, India, January 6-8th(2014).oral ●国内学会 “結晶配向した多結晶タングステン上における金属リチウム負極の析出形状”, 石川晃平, 2014年11月20日，名古屋工業大学, 愛知県，2013年11月20日，日本金属学会・日本鉄鋼協会東海支部　第24回学生による材料フォーラム，【20】（ポスター） “脂質二重膜状におけるDNA被覆金ナノ粒子の拡散現象”， 中田咲子, 2014年11月20日，名古屋工業大学, 愛知県，2014年11月20日，日本金属学会・日本鉄鋼協会東海支部　第24回学生による材料フォーラム，【21】（ポスター） “Si-Al-Cu溶媒を用いた高Alドープ4H-SiC結晶の溶液成長 Heavily Al doped 4H-SiC growth by solution growth technique using Si-Al-Cu melt as a solvent”， 楠一彦，関和明，亀井一人，原田俊太，宇治原徹， 11月19日，先進パワー半導体分科会 第1回講演会 1st Meeting on Advanced Power Semiconductor 「未来を創る先進パワーエレクトロニクスと低炭素社会」，ウインクあいち，愛知県，（公社）応用物理学会 先進パワー半導体分科会，2014年11月19日-20日，P-4（ポスター） “非対称温度分布下でのSiC溶液成長法におけるマランゴニ対流を考慮した3次元数値シミュレーションと表面形状の相関　Relationship between Surface Morphology and Numerical Simulation in Consideration of Marangoni Convection during SiC Solution Growth under a Non-Axisymmetric Temperature Distribution”， 古池大輝，梅崎智典，村山健太，青柳健大，原田俊太，田川美穂，酒井武信，宇治原徹， 11月19日，先進パワー半導体分科会 第1回講演会 1st Meeting on Advanced Power Semiconductor 「未来を創る先進パワーエレクトロニクスと低炭素社会」，ウインクあいち，愛知県，（公社）応用物理学会 先進パワー半導体分科会，2014年11月19日-20日，P-5（ポスター） “Al-N 同時添加での4H-SiC溶液成長における成長表面安定性と伝導特性　4H-SiC growth from Si-Cr-C solution under Al and N co-doping conditions”， 三谷武志，小松直佳，高橋徹夫，加藤智久，宇治原徹，松本祐司，蔵重和央，奥村元， 11月19日，先進パワー半導体分科会 第1回講演会 1st Meeting on Advanced Power Semiconductor 「未来を創る先進パワーエレクトロニクスと低炭素社会」，ウインクあいち，愛知県，（公社）応用物理学会 先進パワー半導体分科会，2014年11月19日-20日，P-6（ポスター） “SiC溶液成長過程における貫通転位変換現象の成長表面との相互作用による考察　Consideration of threading dislocation conversion phenomena during the solution growth of SiC based on the interaction between the growth surface and the dislocation”， 原田俊太，肖世玉，村山健太，青柳健大，酒井武信，田川美穂，宇治原徹， 11月19日，先進パワー半導体分科会 第1回講演会 1st Meeting on Advanced Power Semiconductor 「未来を創る先進パワーエレクトロニクスと低炭素社会」，ウインクあいち，愛知県，（公社）応用物理学会 先進パワー半導体分科会，2014年11月19日-20日，P-9（ポスター） “円偏光レーザー誘起結晶化によるキラリティ制御の可能性”， 新家寛正，村山健太，原田俊太，田川美穂，宇治原徹， 11月6日，第44回結晶成長国内会議(NCCG-44)，学習院創立百周年記念会館, 東京都，2014年11月6日〜11月8日，06PS28（ポスター） “結晶表面の三次元過飽和度および成長速度分布の測定と対流が結晶表面形態に与える影響”， 村山健太，塚本勝男，横山悦郎，宇治原徹， 11月7日，第44回結晶成長国内会議(NCCG-44)，学習院創立百周年記念会館, 東京都，2014年11月6日〜11月8日，07aC06（口頭） “SiC溶液成長過程における貫通転位変換現象の弾性論的考察”， 原田俊太，肖世玉，村山健太，青柳健大，酒井武信，田川美穂，宇治原徹， 11月7日，第44回結晶成長国内会議(NCCG-44)，学習院創立百周年記念会館, 東京都，2014年11月6日〜11月8日，07aD08（口頭） “化学平衡計算に基づいた過飽和領域の制御によるAlN単結晶溶液成長”， 永冶仁，陳鳴宇，渡邉将太，竹内幸久，原田俊太，田川美穂，宇治原徹， 11月7日，第44回結晶成長国内会議(NCCG-44)，学習院創立百周年記念会館, 東京都，2014年11月6日〜11月8日，07PS08（ポスター） “4H-SiC溶液成長における各種添加物の成長表面への影響”, 小松直佳，三谷武志，高橋徹夫，加藤智久，蔵重和央，松本祐司，宇治原徹，奥村元， 11月7日，第44回結晶成長国内会議(NCCG-44)，学習院創立百周年記念会館, 東京都，2014年11月6日〜11月8日，07PS09（ポスター） “4H-SiC溶液成長におけるAl-N同時添加が成長表面及び伝導性へ及ぼす影響”， 三谷武志，小松直佳，高橋徹夫，加藤智久，宇治原徹，松本祐司，蔵重和央，奥村元， 11月7日，第44回結晶成長国内会議(NCCG-44)，学習院創立百周年記念会館, 東京都，2014年11月6日〜11月8日，07PS10（ポスター） “脂質二重膜上におけるDNA被覆金ナノ粒子の拡散現象”， 中田咲子，赤田英里， 磯貝卓巳，手老龍吾，原田俊太，宇治原徹，田川美穂， 9月19日, 第75回応用物理学会秋季学術講演会, 北海道大学札幌キャンパス, 北海道, 2014年9月17 日〜20日, [19p-A3-13] (口頭) “CaFe2As2系超伝導薄膜の透過電子顕微鏡観察”， 川口昂彦，原田俊太，藤本亮 祐，森康博，中村伊吹，畑野敬史，宇治原徹，生田博志， 9月19日, 第75回応用物理学会秋季学術講演会, 北海道大学札幌キャンパス, 北海道, 2014年9月17日〜20日, [19a-A20-7]（口頭） “SiCフラックス成長におけるSiC基板/フラックス界面の高温真空レーザー顕微鏡観察”， 小沼碧海，丸山伸伍，原田俊太，宇治原徹，加藤智久，蔵重和央，奥村 元，松本祐司， 9月18日, 第75回応用物理学会秋季学術講演会, 北海道大学札幌キャンパス, 北海道, 2014年9月17日〜20日, [18a-A11-10]（口頭） “AlN溶液成長における化学平衡計算を用いた実験条件の決定”， 永冶仁，陳鳴 宇，渡邉将太，竹内幸久，原田俊太，田川美穂，宇治原徹， 9月17日, 第75回応用物理学会秋季学術講演会, 北海道大学札幌キャンパス, 北海道, 2014年9月17日〜20日, [17p-C5-11]（口頭） “多元溶媒窒化法を用いた単結晶AlNウィスカーの合成”， 陳鳴宇，永冶仁，渡邉 将太，竹内幸久，原田俊太，荒井重勇，田川美穂，宇治原徹， 9月17日, 第75回応用物理学会秋季学術講演会, 北海道大学札幌キャンパス, 北海道, 2014年9月17日〜20日, [17p-C5-10]（口頭） “SiC溶液成長法における種結晶形状の成長表面への影響と貫通らせん転位変換”， 古池大輝，梅崎智典，原田俊太，田川美穂，酒井武信，宇治原徹， 9月17日, 第75回応用物理学会秋季学術講演会, 北海道大学札幌キャンパス, 北海道, 2014年9月17日〜20日, [17a-A17-4]（口頭） “The investigation of step structure with different TSDs conversion behavior during 4H-SiC solution growth”， 肖世玉，原奈津美，原田俊太，宇 治原徹， 9月17日, 第75回応用物理学会秋季学術講演会, 北海道大学札幌キャンパス, 北海道, 2014年9月17日〜20日, [17a-A17-3]（口頭） “高品質4H-SiC溶液成長における多形変化抑制メカニズム”， 原田俊太，山本祐 治，村山健太，青柳健大，酒井武信，田川美穂，宇治原徹， 9月17日, 第75回応用物理学会秋季学術講演会, 北海道大学札幌キャンパス, 北海道, 2014年9月17日〜20日, [17a-A17-2]（口頭） “ＤＮＡと基板担持脂質二重膜とを用いたナノ粒子の結晶化”， 田川美穂， 6月21日, 応用物理学会　有機分子・バイオエレクトロニクス分科会　研究会, キャンパスプラザ京都, 京都府（口頭） “NaClO3 溶液成長におけるアキラル-キラル多形転移を介したキラリティの発生と増幅”， 新家寛正, 原田俊太, 宇治原徹, 三浦均, 木村勇気, 上羽牧夫, 塚本勝男， 5月1日,日本地球惑星科学連合2014年大会, パシフィコ横浜, 神奈川県, 2014年4月28日-5月2日, [MIS36-05]（口頭) “基板担持脂質二重膜を用いたDNA被覆金ナノ粒子の2次元結晶化”， 磯貝卓巳, 赤田英里, 勝野弘康, Piednoir Agnes, 赤星祐樹, 手老龍吾, 原田俊太, 宇治原徹, 田川美穂， 2014年3月29日, 日本化学会第94春季年会, 名古屋大学　 東山キャンパス, 2014年3月27日-3月30日, [3C7-17] (口頭発表) “可視光励起光電子分光法による半導体中の伝導電子の直接観察”， 市橋史朗，志村大樹，西谷健治， 原真，伊藤孝寛，原田俊太，田川美穂，宇治原徹， 3月27日，日本物理学会 第69回年次大会，東海大学 湘南キャンパス，神奈川県，2014年3月27日〜30日，[27pAQ-5 1696]（口頭） “半導体光陰極を用いたTEMの空間コヒーレンス測定”， 桑原真人，南保由人，鮫島健介，楠聡一郎，齋藤晃，宇治原徹，浅野秀文，竹田美和，田中信夫， 3月28日，日本物理学会 第69回年次大会，東海大学 湘南キャンパス，神奈川県，2014年3月27日〜30日，[28pAL-7 198]（口頭） “SiC溶液法C面成長におけるTSD変換”， 肖世玉，原奈津美，原田俊太，宇治原徹， 3月17日，青山学院大学相模原キャンパス，神奈川県，2014年3月17日〜20日，2014年 第61回応用物理学会春季学術講演会，[17p-E5-9] (口頭) “SiC溶液成長における貫通らせん転位変換の弾性エネルギーによる考察”， 原田俊太，肖世玉，原奈都美，勝野弘康，田川美穂，宇治原徹， 3月17日，青山学院大学相模原キャンパス，神奈川県，2014年3月17日〜20日，2014年 第61回応用物理学会春季学術講演会，[17p-E5-10] (口頭) “4H-SiC溶液成長法における凸形状成長による貫通らせん転位の変換挙動”， 古池大輝，梅崎智典，堀尾篤史，原田俊太，田川美穂，宇治原徹， 3月17日，青山学院大学相模原キャンパス，神奈川県，2014年3月17日〜20日，2014年 第61回応用物理学会春季学術講演会，[17p-E5-12] (口頭) “可視光励起光電子分光法による半導体超格子ミニバンド構造の有効質量評価”， 西谷健治，志村大樹，市橋史朗，�繻ｴ真人，伊藤孝寛，原田俊太，田川美穂，宇治原徹， 3月19日，青山学院大学相模原キャンパス，神奈川県，2014年3月17日〜20日，2014年 第61回応用物理学会春季学術講演会，[19p-D7-12] (口頭) topへ戻る
2013
●国際学会 "Structure of basal plane defects formed by threading screw dislocation conversion during high quality SiC solution growth", S.Harada, R.Kunimatsu, Xiao Shiyu, Y.Yamamoto, M.Tagawa, Y.Yamamoto, S.Arai, N.Tanaka, T.Ujihara, December 14, ISETS '13, Nagoya university, Nagoya, Japan, December 13-15(2013), 14-7-8(1301).oral. "In-situ concentration measurement of zincate ion near zinc anode", K.Haginosaki, Y.Ito, T.Mitsuhashi, Y.Sakai, K.Nagata, O.Terashima, T.Ujihara, M.Shikida, H.Hida, December 14,ISETS '13, Nagoya university, Nagoya, japan, December 13-15(2013), P-3-51(1146).poster. "Evaluation of Mini-Bands Formed in Superlattice Structure for Intermediate-Band Solar Cell", D.Shimura, F.Ichihashi, K.Nishitani, S.Harada, T.Ito, M.Kuwahara, M.Matsunami, S.Kimura, M.Tagawa, T.Ujihara, December 14, ISETS '13, Nagoya university, Nagoya, japan, December 13-15(2013), P-7-13(1260). poster. "Aluminum Nitride Whiskers with High Aspect Ratio Grown from Multi-Component Melt", M.Y.Chen, H.Matsubara, K.Mizuno, M.Nagaya, Y.Takeuchi, S.Harada, T.Ujihara, Y.Aoki, K.Kohara, T.Kano, December 14, ISETS '13, Nagoya university, Nagoya, japan, December 13-15(2013), P-7-14(1288).poster. "Direct Observation of Conduction Band Structure and Conduction Electron Distribution in Semiconductor for Intermediate-band Solar Cells", F.Ichihashi, D.Shimura, K.Nishitani, M.Kuwahara, S.Harada, T.Ito, M.Tagawa, T.Ujihara, December 14, ISETS '13, Nagoya university, Nagoya, japan, December 13-15(2013), P-7-17(1325).poster. "Two-dimensional crystallization of DNA-functionalized Au nanoparticles using lipid diffusion", T.Isogai, E.Akada, A.Piednoir, Y.Akahoshi, R.Tero, S.Harada, T.Ujihara, M.Tagawa, December 14, ISETS '13, Nagoya university, Nagoya, japan, December 13-15(2013), P-7-18(1334).poster. "Observation of basal plane dislocations generated during solution growth in 4H-silicon carbide", S.Y.Xiao, S.Harada, T.Ujihara, December 14, ISETS '13, Nagoya university, Nagoyay, japan, December 13-15(2013), P-7-19(1346).poster. "Possibility of time-resolved measurement in spin-polarized TEM", M.Kuwahara, Y.Nambo, S.Kusunoki, K.Sameshima, K.Saitoh, T.Ujihara, H.Asano, Y.Takeda, N.Tanaka, December 14, ISETS '13, Nagoya university, Nagoya, japan, December 13-15(2013), P-8-10(1263).poster. "Observation of Conduction Electrons in Superlattice Structure by Visible Light Photoemission Spectroscopy", K. Nishitani, F. Ichihashi, D. Shimura, S. Harada, M. Kuwahara, M. Tagawa, T. Ito, T. Ujihara, October 30, the 23rd International Photovoltaic Science and Engineering Conference(PVSEC-23), Taipei International Conventional Center, Taipei, Taiwan, October 28-November 1(2013). 5-P-76 (1326), poster. ★　"DNA-mediated Nanoparticle Assembly", M. Tagawa, The 2nd International Workshop on Convergence in Condensed Matter and Nano Physics, Octover. 7- 9, Sungkyunkwan University, Korea(2013) "Increase in the Growth Rate by Rotating the Seed Crystal at a High Speed during the Solution Growth of SiC", T. Umezaki, D. Koike, S. Harada, and T. Ujihara, September 30, the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2013 (ICSCRM2013), Phoenix Seagaia Resort, Miyazaki, Japan, September 29 - October 4(2013). Mo-2A-2, oral "Dependence of Growth Rate and Surface Morphology of 4H-SiC Crystals Grown from Si-Cr-C and Si-Cr-Al-C Solutions under Various C Solubility and Supersaturation Conditions", T. Mitani, N. Komatsu, T. Takahashi, T. Kato, K. Fujii, I. Nagai, T. Ujihara, Y. Matsumoto, K. Kurashige, and H. Okumura, September 30, the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2013 (ICSCRM2013), Phoenix Seagaia Resort, Miyazaki, Japan, September 29 - October 4(2013). Mo-2A-3, oral "N-Type Doping of 4H-SiC by the Top-Seeded Solution Growth Technique", K. Kusunoki, K. Kamei, K. Seki, S. Harada, and T. Ujihara, September 30, the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2013 (ICSCRM2013), Phoenix Seagaia Resort, Miyazaki, Japan, September 29 - October 4(2013). Mo-P-3 p.26, poster "Control of Dislocation Conversion during Solution Growth by Changing Surface Step Structure", S. Harada, Y. Yamamoto, S. Xiao, A. Horio, M. Tagawa, and T. Ujihara, September 30, the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2013 (ICSCRM2013), Phoenix Seagaia Resort, Miyazaki, Japan, September 29 - October 4(2013). Mo-P-5 p.28, poster "The Suppression of the Trenches by the Control of Solution Flow above Growth Surface in the Solution Growth of SiC", C. Zhu, S. Harada, S. Xiao, K. Seki, M. Tagawa, Y. Matsumoto, T. Kato, K. Kurashige, H. Okamura, and T. Ujihara, September 30, the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2013 (ICSCRM2013), Phoenix Seagaia Resort, Miyazaki, Japan, September 29 - October 4(2013). Mo-P-7 p.30, poster "Evolution of threading screw dislocation conversion during solution growth of 4H-SiC", S. Harada, Y. Yamamoto, K. Seki, A. Horio, T. Mitsuhashi, M. Tagawa, T. Ujihara, August 15, 17th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-17), University of Warsaw, Warsaw, Poland, August 11-16(2013).oral "Growth of high quality 3C-SiC on hexagonal SiC seed using TSSG method", K. Seki, S. Yamamoto, S. Harada, T. Ujihara, August 15, 17th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-17), University of Warsaw, Warsaw, Poland, August 11-16(2013).oral "Effect of solution flow velocity on the step bunching in solution growth of SiC", C. Zhu, S. Harada, K. Seki, M. Tagawa, Y. Matsumoto, T. Kato, K. Kurashige, H. Okumura, T. Ujihara, August 15, 17th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-17), University of Warsaw, Warsaw, Poland, August 11-16(2013).poster "Growth rate and surface morphology of 4H-SiC crystals grown from Si-Cr-C based solutions under various temperature gradient conditions", T. Mitani, N. Komatsu, T. Takahashi, T. Kato, T. Ujihara, Y. Matsumoto, K. Kurashige, H. Okumura, August 15, 17th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-17), University of Warsaw, Warsaw, Poland, August 11-16(2013).oral "Two Pathways Determining Chirality in NaClO3 Crystals Grown from Solution via Achiral Precursors", H. Niinomi, H. Miura, Y. Kimura, T. Kuribayashi, M. Uwaha, S. Harada, T. Ujihara, K. Tsukamoto, August 14, 17th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-17), University of Warsaw, Warsaw, Poland, August 11-16(2013).oral "Forming two-dimensional structure of DNA-functionalized Au nanoparticles via lipid diffusion in supported lipid bilayers", T. Isogai, A. Piednoir, E. Akada, Y. Akahoshi, R. Tero, S. Harada, T. Ujihara, M. Tagawa, August 13, 17th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-17), University of Warsaw, Warsaw, Poland, August 11-16(2013).oral "Ultra-high quality SiC crystal grown by solution method utilizing the conversion from threading dislocations to basal plane defects", T. Ujihara, Y. Yamamoto, S. Harada, S. Xiao, K. Seki, August 12, 17th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-17), University of Warsaw, Warsaw, Poland, August 11-16(2013).oral "Two-dimensional crystallization of DNA-functionalized nanoparticles via lipid diffusion in supported lipid bilayers", T. Isogai, A. Piednoir, E. Akada, Y. Akahoshi, R. Tero, S. Harada, T. Ujihara, M. Tagawa, August 5-6, 15th International Summer School on Crystal Growth(ISSCG-15), Gdansk University of Technology Gdansk, Poland, August 4-10(2013).poster "Nanoparticle Assembly mediated by Designed DNA Nanostructures", M. Tagawa, O. Gang, K. Yager, T. Isogai, E. Akada, S. Harada, T. Ujihara, July 1, Programmable Self-Assembly of Matter Conference 2013, Courant Institute of NYU, New York City, USA, june 30- july 2(2013).poster "Ultrahigh-resolution direct observation of mini-bands formed in InGaAs/AlGaAs superlattice", D. Shimura, F. Ichihashi, K. Nishitani, S. Harada, M. Kuwahara, T. Ito, M. Matsunami, S. Kimura, T. Sakai, M. Tagawa, T. Ujihara, Jun 18, 39th IEEE Photovoltaic Specialists Conference, the Tampa Convention Center, Florida, USA, June 16-21(2013), (#100).poster "Electron Spectroscopy of Conduction Electrons Exited by Visible Light Utilizing NEA Surface", F. Ichihashi, D. Shimura, K. Nishitani, M. Kuwahara, T. Ito, S. Harada, M. Tagawa, T. Ujihara, Jun 18, 39th IEEE Photovoltaic Specialists Conference,the Tampa Convention Center, Florida, USA, June 16-21(2013), (#94).poster ★　"Solution growth of high quality 3C-SiC on a vicinal 6H-SiC", T. Ujihara, K. Seki, S. Yamamoto, S. Harada, M. Tagawa, June 17, HeteroSiC-WASMPE2013, La Maison du Seminaire, Nice, France, June 17-19(2013) . ●国内学会 ★　“高品質SiC溶液成長”, 宇治原徹, 原田俊太, 3月30日, 一般社団法人資源・素材学会　平成25年度春季大会, 千葉工業大学津田沼キャンパス, 2013年3月28日-30日, 3102. “AlGaAs/InGaAs超格子構造におけるミニバンドの超高分解能直接観察”, 志村大樹,市橋史朗,原田俊太,�繻ｴ真人,伊藤孝寛,松波雅治,木村真一,酒井武信,田川美穂,宇治原徹, 3月29日,公益社団法人応用物理学会　2012年春季 第60回 応用物理学関係連合講演会, 神奈川工科大学, 2013年3月27日-30日, 29a-G4-7. “BaFe2(As,P)2薄膜のMBE成長と接合作製”, 森康博,坂上彰啓,川口昂彦,田渕雅夫,宇治原徹,生田博志, 3月28日, 公益社団法人応用物理学会　2012年春季 第60回 応用物理学関係連合講演会, 神奈川工科大学, 2013年3月27日-30日, 28a-PB1-14. “脂質分子の拡散によるDNA被覆金ナノ粒子の2次元構造体形成”、 磯貝卓巳,Agnes Piednoir,赤田英里,祐樹赤星,手老龍吾,原田俊太,宇治原徹,田川美穂, 3月28日, 公益社団法人応用物理学会　2012年春季 第60回 応用物理学関係連合講演会, 神奈川工科大学, 2013年3月27日-30日, 28p-G16-6. “NEA表面を利用した伝導電子エネルギーの直接測定”, 市橋史朗,志村大樹,西谷健治,原田俊太,桑原真人,伊藤孝寛,田川美穂,宇治原徹, 3月28日, 公益社団法人応用物理学会　2012年春季 第60回 応用物理学関係連合講演会, 神奈川工科大学,神奈川県, 2013年3月27日-30日, 28p-G4-11. “SiCr系溶媒を用いた2インチ4H-SiCバルク成長”, 三谷武志,小松直佳,岡村雅之,高橋徹夫,加藤智久,蔵重和央,宇治原徹,松本祐司,奥村元, 3月28日, 公益社団法人応用物理学会　2012年春季 第60回 応用物理学関係連合講演会, 神奈川工科大学, 2013年3月27日-30日, 28a-G22-1. “4H-SiC溶液成長過程における貫通らせん転位変換により形成する欠陥の微細構造”, 原田俊太,國松亮太,田川美穂,山本悠太,荒井重勇,田中信夫,宇治原徹, 3月28日, 公益社団法人応用物理学会　2012年春季 第60回 応用物理学関係連合講演会, 神奈川工科大学, 2013年3月27日-30日, 28a-G22-3. “SiC溶液成長において流速の変化が表面モフォロジーに与える影響”, 朱燦,原田俊太,関和明,田川美穂,松本祐司,加藤智久,蔵重和央,奥村元,宇治原徹, 3月28日, 公益社団法人応用物理学会　2012年春季 第60回 応用物理学関係連合講演会, 神奈川工科大学, 2013年3月27日-30日, 28a-G22-4. ｢講演奨励賞受賞記念講演｣“3C-SiC 溶液成長における多形制御と欠陥抑制”, 関和明,山本翔太,原田俊太,宇治原徹, 3月28日, 公益社団法人応用物理学会　2012年春季 第60回 応用物理学関係連合講演会, 神奈川工科大学, 2013年3月27日-30日, 28a-G22-5. “NdFeAs(O,F)薄膜上のCaF2層の成長及び接合作製”、 角谷直紀,川口昂彦,田渕雅夫,宇治原徹,生田博志、 3月27日, 公益社団法人応用物理学会　2012年春季 第60回 応用物理学関係連合講演会, 神奈川工科大学,神奈川県, 2013年3月27日-30日, [27a-G2-5] “酸化タングステンの酸素欠損に伴う熱伝導率の変化”, 弓削勇輔,原田俊太,田川美穂,宇治原徹, 3月27日, 公益社団法人応用物理学会　2012年春季 第60回 応用物理学関係連合講演会, 神奈川工科大学, 2013年3月27日-30日, 27a-B9-4. “SiC溶液成長過程における基底面転位の形成”， 肖 世玉，原田俊太，宇治原徹， 12月9日，SiC及び関連半導体研究 第22回講演会, 埼玉会館，埼玉県，2013年12月9日〜10日, A-8（ポスター） “SiC溶液成長における過飽和度制御による凸形状成長”， 古池大輝，梅崎智典，堀尾篤史，原田俊太，田川美穂，宇治原徹， 12月9日，SiC及び関連半導体研究 第22回講演会, 埼玉会館，埼玉県， 2013年12月9日〜10日，A-9（ポスター） “4H-SiC溶液結晶成長における表面マクロ欠陥を抑制する溶媒組成の探索”， 小松直佳，三谷武志，岡村雅之，高橋徹夫，加藤智久，宇治原徹，松本祐司，蔵重和央，奥村元， 12月9日, SiC及び関連半導体研究 第22回講演会, 埼玉会館、埼玉県， 2013年12月9日〜10日，B-4（ポスター） “4H-SiC溶液成長における成長表面のステップ構造と貫通転位変換挙動の相関”， 原田俊太，山本祐治，肖世玉，堀尾篤史，田川美穂，宇治原徹， 12月9日，SiC及び関連半導体研究 第22回講演会, 埼玉会館，埼玉県， 2013年12月9日〜10日，B-5（口頭） “多元溶媒SiC溶液成長における成長多形と活量比aSi/aCの相関”， 堀尾篤史，原田俊太，田川美穂，宇治原徹， 12月9日，SiC及び関連半導体研究 第22回講演会, 埼玉会館，埼玉県， 2013年12月9日〜10日，C-9（ポスター） “溶液成長させた4H-SiC単結晶における放射光X線トポグラフィーによる欠陥分析”， 長井 一郎，青嶌真裕，八木康洋，武井康一，藤井邦治，N. Senguttuvan，蔵重和央，加藤智久，宇治原 徹，松本祐司，奥村元， 12月9日，SiC及び関連半導体研究 第22回講演会, 埼玉会館，埼玉県， 2013年12月9日〜10日，C-16（ポスター） “SiCr溶媒へのAl添加による4H-SiC溶液成長結晶表面のステップ形状変化”， 三谷武志，小松直佳，高橋徹夫，加藤智久，宇治原徹，松本祐司，蔵重和央，奥村元， 12月9日，SiC及び関連半導体研究 第22回講演会, 埼玉会館，埼玉県， 2013年12月9日〜10日，L-10（ポスター） “溶液対流および面内温度分布の表面形状への影響”， 藤井邦治，武井康一，長井一郎，N. Senguttuvan，平谷正彦，宇治原徹，松本祐司，加藤智久，蔵重和央，奥村元， 12月9日，SiC及び関連半導体研究 第22回講演会, 埼玉会館，埼玉県， 2013年12月9日〜10日, L-12（ポスター） ★　“溶液成長法による高品質3C-SiC(111)結晶の開発”， 関和明，山本翔太，原田俊太，宇治原徹， 12月10日，SiC及び関連半導体研究 第22回講演会, 埼玉会館，埼玉県， 2013年12月9日〜10日，V-2招待講演（口頭） “SiC溶液成長におけるSi溶媒の数値解析と成長結晶の表面形状制御”, 古池大輝， 12月6日, 一般社団法人オープンCAE学会　オープンCAEシンポジウム2013大阪産業創造館, 大阪府, 2013年12月5日〜6日,（口頭） “SiC溶液成長過程における基底面転位の形成”, 肖世玉,朱燦,原田俊太,宇治原徹, 11月16日,公益社団法人　応用物理学会 SC東海地区学術講演会2013(JSAP SCTS 2013), 名古屋大学 IB電子情報館, A1.（口頭） “第三世代太陽電池開発に向けた伝導電子エネルギーの測定”, 市橋史朗,志村大樹,西谷健治,�繻ｴ真人,伊藤孝寛,原田俊太,田川美穂,宇治原徹, 11月16日, 公益社団法人　応用物理学会 SC東海地区学術講演会2013(JSAP SCTS 2013),名古屋大学 IB電子情報館, A6.（口頭） “鉄系超伝導体NdFeAsO薄膜上への平坦なCaF2層成長”, 角谷直紀,千原真志,川口昴彦,田渕雅夫,宇治原徹,一瀬中,塚田一郎,生田博志, 11月16日, 公益社団法人　応用物理学会 SC東海地区学術講演会2013(JSAP SCTS 2013),名古屋大学 IB電子情報館, A7.（口頭） “InGaAs/GaAsP超格子における伝導キャリアの直接観察”, 西谷健治,市橋史朗,志村大樹,�繻ｴ真人,伊藤孝寛,原田俊太,田川美穂,宇治原徹, 11月16日,公益社団法人　応用物理学会 SC東海地区学術講演会2013(JSAP SCTS 2013), 名古屋大学 IB電子情報館, P10.（ポスター） “脂質二重膜を利用したDNA被覆金ナノ粒子の2次元結晶化”, 磯貝卓巳,赤田英里,Agnes Piednoir,赤星祐樹,手老龍吾,原田俊太,宇治原徹,田川美穂, 11月16日, 公益社団法人　応用物理学会 SC東海地区学術講演会2013(JSAP SCTS 2013),名古屋大学 IB電子情報館, P27.（ポスター） “4H-SiC溶液成長過程における貫通転位変換挙動と成長表面モフォロジーの相関”, 原田俊太，山本祐治，肖世玉，堀尾篤史, 田川美穂，宇治原徹, 11月7日, 日本結晶成長学会　第43回結晶成長国内会議（NCCG-43）, 長野市生涯学習センター （TOiGO内）, 長野県, 2013年11月6日〜8日, [07aA07]（口頭） “ブラウニアン動力学法を用いた2次元2成分結晶の構造形成シミュレーション”, 勝野弘康，田川美穂，宇治原徹, 11月8日，日本結晶成長学会　第43回結晶成長国内会議（NCCG-43）,長野市生涯学習センター （TOiGO内）, 長野県, 2013年11月6日〜8日, [08aC05]（口頭） “DNAと脂質二重膜を用いたナノ粒子の2次元結晶化”, 磯貝卓巳，赤田英里，Agnes Piednoir，赤星祐樹，手老龍吾，原田俊太，宇治原徹，田川美穂, 11月8日, 日本結晶成長学会　第43回結晶成長国内会議（NCCG-43）,長野市生涯学習センター （TOiGO内）, 長野県, 2013年11月6日〜8日, [08aC10]（口頭） “NaClO3溶液成長におけるアキラルな準安定相を介したキラル結晶形成過程”, 新家寛正，原田俊太，宇治原徹，三浦均，木村勇気，栗林貴弘，上羽牧夫，塚本勝男， 11月8日, 日本結晶成長学会　第43回結晶成長国内会議（NCCG-43）,長野市生涯学習センター （TOiGO内）, 長野県, 2013年11月6日〜8日, [08aC11]（口頭） “多元溶媒を用いたAlNウィスカーの成長”, 陳鳴宇，松原弘明，水野恒平，永冶仁，竹内幸久，原田俊太，青木祐一，小原公和，加納豊広，宇治原徹, 11月7日，日本結晶成長学会　第43回結晶成長国内会議（NCCG-43）,長野市生涯学習センター （TOiGO内）, 長野県, 2013年11月6日〜8日, [07PS13]（ポスター） “NaClO3溶液成長におけるアキラルな準安定相の溶解度測定”, 新家寛正，原田俊太，宇治原徹，三浦均，木村勇気，上羽牧夫，塚本勝男, 11月7日，日本結晶成長学会　第43回結晶成長国内会議（NCCG-43）,長野市生涯学習センター （TOiGO内）, 長野県, 2013年11月6日〜8日, [07PS29]（ポスター） “SiC溶液法による低密度ステップ構造の形成”, 武藤拓也, 2013年11月1日, 日本金属学会・日本鉄鋼協会東海支部　第23回学生による材料フォーラム, 豊田講堂, 愛知県, 2013年11月1日, [43](ポスター) “基板担持脂質二重膜上でのDNA被覆ナノ粒子の2次元結晶化”, 磯貝卓巳， 2013年11月1日, 日本金属学会・日本鉄鋼協会東海支部　第23回学生による材料フォーラム, 豊田講堂, 愛知県, 2013年11月1日, [44](ポスター) “AlN溶液成長における多元溶媒による成長速度向上”, 永冶仁, 2013年11月1日, 日本金属学会・日本鉄鋼協会東海支部　第23回学生による材料フォーラム, 豊田講堂, 愛知県, 2013年11月1日, [45](ポスター) “温度分布制御による一方向流れ環境下におけるSiC溶液成長”, 古池大輝, 2013年11月1日, 日本金属学会・日本鉄鋼協会東海支部　第23回学生による材料フォーラム, 豊田講堂, 愛知県, 2013年11月1日, [46](ポスター) “SiC溶液成長におけるN2-He雰囲気下での過飽和度と3C-SiC成長”, 山本翔太, 2013年11月1日, 日本金属学会・日本鉄鋼協会東海支部　第23回学生による材料フォーラム, 豊田講堂, 愛知県, 2013年11月1日, [47](ポスター) “NaClO3溶液成長におけるアキラルな準安定相を介したキラル結晶形成過程”, 新家寛正, 2013年11月1日, 日本金属学会・日本鉄鋼協会東海支部　第23回学生による材料フォーラム, 豊田講堂, 愛知県, 2013年11月1日, [48](ポスター) ★　“DNAセルフアセンブリによるナノ粒子超構造制御”, 田川 美穂, ガング オレグ, 磯貝 卓巳, 赤田 英里, 宇治原 徹, 10月29日, 第 51 回日本生物物理学会年会 シンポジウム　反応場デザインによる生命現象の再構成　-創って知る生物物理-, 国立京都国際会館, 京都府, 2013年10月28日-30日, 演題番号 2SBA-03（招待講演） “亜鉛負極近傍における亜鉛イオン濃度場の評価”, 萩ノ崎賢也, 伊藤靖仁, 三橋貴仁, 酒井康彦, 長田孝二, 寺島 修, 宇治原 徹, 式田光宏, 肥田博隆, 10月9日, 第54回電池討論会, 大阪国際会議場, 大阪府, 2013年10月7日-9日, [3C16]（口頭） “金属負極蓄電池の実現に向けた配向結晶集電体によるデンドライト抑制”, 三橋貴仁, 伊藤靖仁, 竹内幸久, 原田俊太, 田川美穂, 宇治原 徹, 10月9日, 第54回電池討論会, 大阪国際会議場, 大阪府, 2013年10月7日-9日, [3C17]（口頭） “多元溶媒SiC 溶液成長における多形決定機構の解明”, 堀尾篤史，原田俊太，田川美穂，宇治原徹, 9月25日, 第37回 結晶成長討論会,長野勤労者いこいの村アゼィリア飯綱, 長野県, 2013年9月25日-27日, 日本結晶成長学会, [1P09*](ポスター) “SiC 溶液成長における流れ制御によるトレンチ形成の抑制”, 朱燦，原田俊太，関和明，肖世玉，田川美穂，松本祐司，加藤智久，蔵重和央，奥村元，宇治原徹, 9月18日, 公益社団法人応用物理学会　2013年 第74回応用物理学会秋季学術講演会,同志社大学京田辺キャンパス, 京都府, 2013年9月16日-20日, [18a-B3-1] (口頭) “SiC溶液成長過程における貫通転位変換と成長表面のステップ構造”, 原田俊太，山本祐治，肖世玉，堀尾篤史，田川美穂，宇治原徹, 9月18日, 公益社団法人応用物理学会　2013年 第74回応用物理学会秋季学術講演会,同志社大学京田辺キャンパス, 京都府, 2013年9月16日-20日, [18a-B3-2] (口頭) “SiC溶液成長過程における基底面転位の形成”, 肖世玉，朱燦，原田俊太，宇治原徹, 9月18日, 公益社団法人応用物理学会　2013年 第74回応用物理学会秋季学術講演会,同志社大学京田辺キャンパス, 京都府, 2013年9月16日-20日, [18a-B3-3] (口頭) “SiCフラックス成長におけるSi-NiフラックスのAl添加効果”, 小沼碧海，丸山伸伍，原田俊太，宇治原徹，加藤智久，蔵重和央，奥村元，松本祐司, 9月18日, 公益社団法人応用物理学会　2013年 第74回応用物理学会秋季学術講演会,同志社大学京田辺キャンパス, 京都府, 2013年9月16日-20日, [18a-B3-4] (口頭) “IBAD-MgO/金属テープ上へのBaFe2(As,P)2薄膜のMBE成長と評価”, 森康博，Kruth Fritz，生田博志，川口昂彦，Hanisch J，Holzapfel B，飯田和昌，Tarantini C，田渕雅夫，宇治原徹，藤本亮祐, 9月18日, 公益社団法人応用物理学会　2013年 第74回応用物理学会秋季学術講演会,同志社大学京田辺キャンパス, 京都府, 2013年9月16日-20日, [18a-P4-32] (ポスター) “Fe 過剰BaFe2(As,P)2 薄膜の臨界電流密度増大の起源”, 森康博，藤本亮祐，坂上彰啓，原田俊太，宇治原徹，田渕雅夫，生田博志, 9月18日, 公益社団法人応用物理学会　2013年 第74回応用物理学会秋季学術講演会,同志社大学京田辺キャンパス, 京都府, 2013年9月16日-20日, [18a-P4-33] (ポスター) “脂質分子をキャリアとしたDNA被覆金ナノ粒子の2次元結晶化 ”, 磯貝卓巳，Agnes Piednoir，赤田英里，赤星祐樹，手老龍吾，原田俊太，宇治原徹，田川美穂, 9月16日, 公益社団法人応用物理学会　2013年 第74回応用物理学会秋季学術講演会,同志社大学京田辺キャンパス, 京都府, 2013年9月16日-20日, [16p-C6-2](口頭) “「講演奨励賞受賞記念講演」（15分）可視光励起光電子分光法による伝導電子の直接観察”, 市橋史朗，志村大樹，西谷健治，�繻ｴ真人，伊藤孝寛，原田俊太，田川美穂，宇治原徹, 9月17日, 公益社団法人応用物理学会　2013年 第74回応用物理学会秋季学術講演会,同志社大学京田辺キャンパス, 京都府, 2013年9月16日-20日, [17p-D6-11] (口頭) “可視光励起光電子分光法による半導体超格子構造の伝導キャリア観察”, 西谷健治，市橋史朗，志村大樹，�繻ｴ真人，伊藤孝寛，原田俊太，田川美穂，宇治原徹, 9月17日, 公益社団法人応用物理学会　2013年 第74回応用物理学会秋季学術講演会,同志社大学京田辺キャンパス, 京都府, 2013年9月16日-20日, [17p-D6-15] (口頭) “角度分解光電子分光法を用いた半導体超格子のミニバンド評価”, 志村大樹，市橋史朗，西谷健治，原田俊太，伊藤孝寛，�繻ｴ真人，松波雅治，木村真一，田川美穂，宇治原徹, 9月17日, 公益社団法人応用物理学会　2013年 第74回応用物理学会秋季学術講演会,同志社大学京田辺キャンパス, 京都府, 2013年9月16日-20日, [17p-D6-16] (口頭) “多元溶媒を用いた高アスペクト比AlN ウィスカーの成長”, 陳鳴宇, 松原弘明, 水野恒平, 永冶仁, 竹内幸久, 原田俊太, 宇治原徹, 青木祐一, 小原公和, 加納豊広, 9月5日, 公益社団法人日本セラミックス協会 第26回秋季シンポジウム, 信州大学, 長野県, 2013年9月4日-6日, 2P003, (ポスター) topへ戻る
2012
●国際学会 "Solution growth of AlN single crystal on sapphia", H. Matsubara, K. Mizuno, Y. Takeuchi, Y. Takeda, Y. Aoki, K. Kohara, and T. Ujihara, October 18, International Workshop on Nitride Semiconductors 2012(IWN2012), October 14-19, 2012, Sapporo, Japan, Thp-GR-59. ★　"Direct Observation of Mini-bands in AlGaAs/GaAs Superlattice for intermediate Band Solar Cell", D. Shimura, K. Hashimoto, F. Ichihashi, S. Harada, T. Ito, M. Kuwahara, M. Matsunami, S. Kimura, T. Sakai and T. Ujihara, September 27, International Union of Materials Research Societies International Conference on Electronic Materials (IUMRS-ICEM2012), PACIFICO YOKOHAMA, Yokohama, Japan, September 23-28(2012),A-1-I27-008. "Direct Observation of Defect Evolution during Solution Growth of SiC by Synchrotron X-ray Topography", S. Harada, Y. Yamamoto, K. Seki, A. Horio, T. Mitsuhashi, and T. Ujihara, September 25, International Union of Materials Research Societies International Conference on Electronic Materials (IUMRS-ICEM2012), PACIFICO YOKOHAMA, Yokohama, Japan, September 23-28(2012), D-7-P-25-001. "Evolution of Threading Edge Dislocation During Solution Growth of SiC", S. Harada, Y. Yamamoto, K. Seki, A. Horio, T. Mitsuhashi, and T. Ujihara, September 25, 2012 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2012), Kyoto International Conference Center, Kyoto, Japan, September 25-27(2012), L-2-2. "Solution growth of DPB-free 3C-SiC", K. Seki, S. Harada, T. Ujihara, September 4, The 9th European Conference on Silicon Carbide & Related Materials (ECSCRM-2012), Hotel Saint Petersburg, Saint-Petersburg, Russia, September 2-6(2012),TuP-20. "Reduction of threading screw dislocation density utilizing defect conversion during solution growth of 4H-SiC", S. Harada, Y. Yamamoto, K. Seki, T. Ujihara, September 4, The 9th European Conference on Silicon Carbide & Related Materials (ECSCRM-2012), Hotel Saint Petersburg, Saint-Petersburg, Russia, September 2-6(2012),TuP-28. "Influence of solution flow on step bunching in solution growth of SiC", C. Zhu, K. Seki, S. Harada, H. Niinomi, M. Tagawa, T. Ujihara, September 4, The 9th European Conference on Silicon Carbide & Related Materials (ECSCRM-2012), Hotel Saint Petersburg, Saint-Petersburg, Russia, September 2-6(2012),TuP-77LN. "Possibility for elimination of dislocations in SiC crystal: conversion of threading edge dislocations by solution growth", S. Harada, Y. Yamamoto, K. Seki, A. Horio, T. Mitsuhashi, C. Zhu, M. Tagawa, T. Ujihara, September 4, The 9th European Conference on Silicon Carbide & Related Materials (ECSCRM-2012), Hotel Saint Petersburg, Saint-Petersburg, Russia, September 2-6(2012),TuP-99LN. "Effect of surface polarity on the conversion of threading dislocations in solution growth", Y. Yamamoto, S. Harada, K. Seki, A. Horio, T. Mitsuhashi, T. Ujihara, September 4, The 9th European Conference on Silicon Carbide & Related Materials (ECSCRM-2012), Hotel Saint Petersburg, Saint-Petersburg, Russia, September 2-6(2012),We7-4. ★　"Spin-polarized and Pulsed TEM Using a Laser-driven Semiconductor Photocathode", N. Tanaka, M. Kuwahara, K. Saitoh, S. Kusunoki, T. Ujihara, H. Asano, Y. Takeda and T. Nakanishi, Microscopy & Microanalysis 2012, Phoenix, USA, July 30 - August 2(2012). "Spin-polarized TEM using an NEA photocathode", M. Kuwahara, S. Kusunoki, K. Saitoh, T. Ujihara, and N. Tanaka, The 3rd International Symposium on Advanced Microscopy and Theoretical Calculations (AMTC3), Gifu, Japan, May 9-11(2012). "Efficient Process for Ultrahigh Quality 4H-SiC Crystal Utilizing Solution Growth on Off-axis Seed Crystal", S. Harada, Y. Yamamoto, K. Seki, A. Horio, T. Mitsuhashi, T. Ujihara, April 10, 2012 MRS Spring Meeting & Exhibit, Moscone West Convention Center Martiott Marquis San Francisco, California, USA, April 9-13(2012). ●国内学会 “Al融液窒化法を用いたAlN多結晶の作製におけるMgによる窒化促進効果の検証”, 水野恒平, 松原弘明, 永冶仁, 竹内幸久, 原田俊太, 宇治原徹, 加納豊広, 青木祐一, 小原公和, 2013年3月19日, 日本セラミックス協会2013年　年会, 東京工業大学大岡山キャンパス, 2012年3月17日-19日, 3I07. "ＤＮＡナノテクノロジー：ＤＮＡガイドのナノ粒子結晶化", 田川美穂、Oleg Gang、磯貝卓巳、赤星祐樹、赤田英里、Piednoir Agnes、原田俊太、宇治原徹, 2月19日, 2012年度中部支部講演会, 名古屋大学　東山キャンパス, 愛知県. “Al融液窒化法において成長温度がAlN組織形成に与える影響”, 水野恒平, 11月22日, 第22回学生による材料フォーラム, 豊橋サイエンスコア, 2012年11月22日, 85. “高分解紫外光電子分光法による超格子ミニバンドの直接観察”, 市橋史朗, 11月22日, 第22回学生による材料フォーラム, 豊橋サイエンスコア, 2012年11月22日, 101 “溶液成長過程における貫通転位変換を利用した高品質4H-SiCの実現”, 原田俊太, 山本祐治, 関和明, 田川美穂, 宇治原徹, 11月19日, SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会　第21回講演会,大阪市中央公会堂, 2012年11月19日-20日, P2 “透過電子顕微鏡法によるSiC溶液成長における欠陥挙動解析”, 原田俊太, 國松亮太, 田川美穂, 山本悠太, 荒井重勇, 田中信夫, 宇治原徹, 11月19日, SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会　第21回講演会,大阪市中央公会堂, 2012年11月19日-20日, P3 “Si-C-X溶媒を用いたSiC溶液成長における結晶化多形の熱力学的考察”, 堀尾篤史, 原田俊太,宇治原徹, 11月19日, SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会　第21回講演会,大阪市中央公会堂, 2012年11月19日-20日, P4 “溶液成長法におけるSiC単結晶のキャリア密度および不純物濃度の測定”, 藤井邦治, 武井康一, 長井一郎, 三谷武史, 小松直佳, N.Senguttuvan, 高橋哲夫, 松本祐司, 宇治原徹, 加藤智久, 蔵重和央, 奥村元, 11月19日, SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会　第21回講演会,大阪市中央公会堂, 2012年11月19日-20日, P5 “Si-C溶液で成長される4H-SiC結晶の成長レート、表面形態の過飽和度依存性”, 小松直佳, 三谷武史, 岡村雅之, 高橋徹夫, 加藤智久, 宇治原徹, 松本祐司, 蔵重和央, 奥村元, 11月19日, SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会　第21回講演会,大阪市中央公会堂, 2012年11月19日-20日, P10 “TSSG法による高品質3C-SiC”, 関和明, 原田俊太, 宇治原徹, 11月19日, SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会　第21回講演会,大阪市中央公会堂, 2012年11月19日-20日, P11 “電流による4H-SiC溶液成長の成長速度制御”, 三谷武史, 岡村雅之, 高橋徹夫, 小松直佳, 加藤智久, 宇治原徹, 松本祐司, 蔵重和央, 奥村元, 11月19日, SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会　第21回講演会,大阪市中央公会堂, 2012年11月19日-20日, P13 “SiC溶液成長における窒素ドープによる積層欠陥の形成”, 原田俊太, 関和明, 楠一彦, 田川美穂, 宇治原徹, 11月10日, 第42回結晶成長国内会議(NCCG-42) ,九州大学, 2012年11月9日-11日, 10PS11. “一方向の溶液流れ下におけるSiCのステップバンチングの挙動”, 朱燦, 原田俊太, 関和明, 新家寛正, 田川美穂, 宇治原徹, 11月10日, 第42回結晶成長国内会議(NCCG-42) ,九州大学, 2012年11月9日-11日, 10PS09. “3C-SiC溶液成長における双晶抑制”, 関和明, 原田俊太, 宇治原徹, 11月10日, 第42回結晶成長国内会議(NCCG-42), 九州大学, 2012年11月9日-11日, 10PS10 “溶液法による高品質SiC結晶成長メカニズム”, 原田俊太, 山本祐治, 関和明, 堀尾篤史, 三橋貴仁, 田川美穂, 宇治原徹, 11月9日, 第42回結晶成長国内会議(NCCG-42) ,九州大学, 2012年11月9日-11日, 09aB01. “溶液法による3C-SiCバルク結晶成長”, 関和明, 原田俊太, 宇治原徹, 11月9日, 第42回結晶成長国内会議(NCCG-42) ,九州大学, 2012年11月9日-11日, 09aB02. “溶液法によるα-Al2O3上へのAlNヘテロエピタキシャル成長”, 松原弘明, 水野恒平, 竹内幸久, 原田俊太, 木藤泰男, 奥野英一, 宇治原徹, 11月9日, 第42回結晶成長国内会議(NCCG-42) ,九州大学, 2012年11月9日-11日, 09aB05. “紫外光電子分光法を用いた超格子ミニバンドの直接観察” 市橋史朗, 志村大樹, 桑原真人, 原田俊太, 伊藤孝寛, 松浪雅治, 木村真一, 宇治原徹, 9月24日, 公益社団法人応用物理学会・東海支部　第19回基礎セミナー「透明導電膜―基礎から応用―」,岐阜大学, 2012年9月24日, P-05. “Al融液窒化法において成長温度がAlN組織形成に与える影響”, 水野恒平, 松原弘明,竹内幸久, 原田俊太, 宇治原徹, 青木祐一, 小原公和, 9月20日, 公益社団法人日本セラミックス協会 第25回秋季シンポジウム,名古屋大学, 2012年 9月19日-21日, 2P10 “VS法による高アスペクト比AlNウィスカーの成長”, 松原弘明, 水野恒平, 竹内幸久, 原田俊太, 宇治原徹, 青木祐一, 小原公和, 9月19日, 公益社団法人日本セラミックス協会 第25回秋季シンポジウム,名古屋大学, 2012年 9月19日-21日, 1PG10 ★　“溶液法による超高品質SiC結晶成長”, 宇治原徹, 原田俊太,山本祐治, 関　和明, 9月19日, 公益社団法人日本セラミックス協会 第25回秋季シンポジウム,名古屋大学, 2012年 9月19日-21日, 1Q22 “BaFe2(As,P)2超伝導薄膜のMBE成長と粒界特性の評価”, 森　康博,　坂上彰啓,　川口昂彦,　田渕雅夫,　宇治原徹,　竹田美和,生田博志, 9月12日,　公益社団法人応用物理学会　2012年秋季 第73回 応用物理学関係連合講演会,　愛媛大学城北地区,　愛媛県,　2012年9月11日-14日, 12a-A2-8. “NdFeAs (O,F)薄膜を用いた超伝導接合の作製”, 川口昂彦, 角谷直紀, 田渕雅夫, 宇治原徹, 竹田美和, 生田博志,　 9月12日,　公益社団法人応用物理学会　2012年秋季 第73回 応用物理学関係連合講演会,　愛媛大学城北地区,　愛媛県,　2012年9月11日-14日, 12a-A2-9. “溶液法によるサファイア基板上へのAlN単結晶成長”, 松原弘明, 水野恒平, 竹内幸久, 原田俊太, 木藤泰男, 奥野英一, 宇治原徹, 9月12日,　公益社団法人応用物理学会　2012年秋季 第73回 応用物理学関係連合講演会,　愛媛大学城北地区,　愛媛県,　2012年9月11日-14日, 12a-PB4-6. “DPBフリー3C-SiCの溶液成長”, 関　和明, 原田俊太, 宇治原徹, 9月12日,　公益社団法人応用物理学会　2012年秋季 第73回 応用物理学関係連合講演会,　愛媛大学城北地区,　愛媛県,　2012年9月11日-14日, 12a-H7-3. “4H-SiC溶液成長における貫通刃状転位の選択的変換”, 原田俊太, 山本祐治, 関　和明, 堀尾篤史, 三橋貴仁, 宇治原徹, 9月12日,　公益社団法人応用物理学会　2012年秋季 第73回 応用物理学関係連合講演会,　愛媛大学城北地区,　愛媛県,　2012年9月11日-14日, 12a-H7-6. “SiC溶液成長における流れがステップバンチングに及ぼす影響”, Can Zhu, 原田俊太, 関　和明, 新家寛正, 宇治原徹, 9月12日,　公益社団法人応用物理学会　2012年秋季 第73回 応用物理学関係連合講演会,　愛媛大学城北地区,　愛媛県,　2012年9月11日-14日, 12a-H7-7. “TSSG法で育成した4H-SiC結晶の窒素ドーピング挙動”, 楠　一彦, 関　和明, 原田俊太, 亀井一人, 矢代将斉, 宇治原徹, 9月11日,　公益社団法人応用物理学会　2012年秋季 第73回 応用物理学関係連合講演会,　愛媛大学城北地区,　愛媛県,　2012年9月11日-14日, 11p-PB2-2. “レーザー励起半導体電子源を用いた30kVパルスTEMの開発”, 田中信夫, 桑原真人, 楠 聡一郎, 浅野秀文, 宇治原徹, 齋藤 晃, 竹田美和, 中西 彊, 日本顕微鏡学会第68回学術講演会, つくば国際会議場, 2012年5月14日-16日, . “スピン編極TEMにおけるNEAフォトカソードからの低エネルギー分散ビームの生成”, 楠 聡一郎, 桑原真人, 宇治原徹, 浅野秀文, 竹田美和, 中西 彊, 齋藤 晃, 田中信夫, 日本顕微鏡学会第68回学術講演会, つくば国際会議場, 2012年5月14日-16日. topへ戻る
2011
●国際学会 "Reduction of Defects in SiC by Solution Growth for High Performance Power Device", S. Harada, Alexander, K. Seki, Y. Yamamoto, T. Ujihara, J. Yamasaki, N. Tanaka, January 19, Interational symposium on role of electron microscopy in industry, Nagoya, Aichi, Japan, January 19-20 (2012). ★　"Solution growth of high-quality SiC crystal", T. Ujihara, January 9, INDO-JAPAN Conference on Frontier Nano-Materials for Energy (FNE-2012), Sharda University, Greater Noida, India, Janualy 9-11(2012). "Solution growth of high-quality SiC crystal - polytype control and defect elimination -", T. Ujihara, December 22, Nagoya Univ.-Tsinghua Univ.-Toyota Motor Corp.-Hokkaido Univ.  Univ. Electro. Sci. Tech. China Joint Symposium - Materials Science and Nanotechnology for the 21th Century - , University of Electronic Science & Technology of China, Chengdu, P. R. China, December 21-24 (2011). "Formation of Different Polytypes during 4H-SiC Solution Growth", S. Harada, Alexander, K. Seki, Y. Yamamoto, T. Ujihara, J. Yamasaki, N. Tanaka, December 10, International Symposium on EcoTopia Science 2011 (ISETS ’11), Nagoya, Aichi, Japan, December 9-12 (2011). "Injection system of spin-polarized transmission microscopy", M. Kuwahara, S. Kusunoki, F. Ichihashi, Y. takeda, K. Saitoh, T. Ujihara, H. Asano, T. Nakanishi, and N. Tanaka, International Symposium on EcoTopia Science 2011 (ISETS ’11), Nagoya, Aichi, Japan, December 9-12(2011). ★　"Solution growth of high-quality SiC crystal for next-generation power device materials", S. Harada, T. Ujihara, 1st Global Conference on Materials and Technology for the Future “Green Vehicle”, Dortmund, Germany, November 21(2011). "Polytype transformation path on 4H-SiC during top-seeded solution growth", S. Harada, Alexander, K. Seki, Y. Yamamoto and T. Ujihara, September 29, 2011 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2011), Nagoya, Aichi, Japan, September 28-30 (2011). "Dissociation of Screw Dislocations Assisted by Step-flow Process in SiC Solution Growth", T. Ujihara, S. Kozawa, K. Seki, Y. Yamamoto, Alexander and S. Harada, September 28, 14th International Conference on Defects - Recognition, Imaging and Physics in Semiconductors (DRIP14), Miyazaki, Japan, September 25-29 (2011). "Conversion Mechanism of Threading Screw Dislocation During SiC Solution Growth", T. Ujihara, S. Kozawa, K. Seki, Alexander, Y. Yamamoto, and S. Harada, September 14, The 2011 International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 2011), Cleveland, Ohio, USA, September 11-16 (2011). "Stable Growth of 4H-SiC Single Polytype by Controlling the Surface Morphology Using a Temperature Gradient in Solution Growth", Y. Yamamoto, K. Seki, S. Kozawa, Alexander, S. Harada, and T. Ujihara, September 12, The 2011 International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 2011), Cleveland, Ohio, USA, September 11-16 (2011). "Polytype-Controlled Solution Growth of 3C-SiC on 6H-SiC (0001) by Supersaturation in Si-Sc-C Ternary System", K. Seki, Alexander, S. Kozawa, Y. Yamamoto, T. Ujihara, and Y. Takeda, September 12, The 2011 International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 2011), Cleveland, Ohio, USA, September 11-16 (2011). "Development of spin-polarized and pulsed TEM", M. Kuwahara, T. Nakanishi, Y. Takeda, K. Saito, T. Ujihara, H. Asano, and N. Tanaka, Electron Microscopy and Analysis Group Conference 2011, Birmingham, UK, September 6-9(2011). "Improvement of reaction rate in AlN solution growth by Mg vapor supply", K. Mizuno, T. Ujihara, Y. Takeda, Y. Aoki, Y. Takeuchi, July 11, 9th International Conference on Nitride Semiconductors, Glasgow, UK, July 10-15 (2011). "Polytype-Selective Growth of SiC by Supersaturation Control in Solution Growth", K. Seki, Alexander, S. Kozawa, T. Ujihara, Y. Takeda, June 29, 5th International Workshop on Crystal Growth Technology(IWCGT-5), Berlin, Germany, June 26-30 (2011). ●国内学会 “BaFe2(As,P)2超伝導薄膜のMBE成長と超伝導接合の作製”, 坂上彰啓,川口昂彦,大野俊也,田渕雅夫,宇治原徹,竹田美和,生田博志, 早稲田大学 早稲田キャンパス, 東京都, 3月16日, 2012年3月15日-18日, 公益社団法人応用物理学会　2012年春季 第59回 応用物理学関係連合講演会, 16p-B1-3. “SiC溶液成長における貫通らせん転位低減の促進”, 原田俊太,山本祐治,関　和明,堀尾篤史,三橋貴仁,宇治原徹, 早稲田大学 早稲田キャンパス, 東京都, 3月17日, 2012年3月15日-18日, 公益社団法人応用物理学会　2012年春季 第59回 応用物理学関係連合講演会, 17p-A8-2. “温度差を用いた成長速度増大による3C-SiCバルク成長”, 関　和明,山本祐治,原田俊太,宇治原徹,竹田美和, 早稲田大学 早稲田キャンパス, 東京都, 3月17日, 2012年3月15日-18日, 公益社団法人応用物理学会　2012年春季 第59回 応用物理学関係連合講演会, 17p-A8-3. “中間バンド型太陽電池における超格子構造の周期性がミニバンドに及ぼす影響”, 志村大樹,橋本和弥,桑原真人,松波雅治,伊藤孝寛,木村真一,酒井武信,原田俊太,竹田美和,宇治原徹, 早稲田大学 早稲田キャンパス, 東京都, 3月18日, 2012年3月15日-18日, 公益社団法人応用物理学会　2012年春季 第59回 応用物理学関係連合講演会, 18p-C1-3. “SiC 溶液成長における貫通転位の変換過程　ーUltra-High Quality の可能性ー”, 宇治原徹,原田俊太,山本祐治,関和明,堀尾篤史,三橋貴仁, 愛知県産業労働センター(ウインクあいち), 愛知県,12月9日, 公益社団法人応用物理学会　第20回シリコンカーバイド(SiC)及び関連ワイドギャップ半導体研究会, 2011年12月8日-9日. �U-3 “成長速度論的多形選択成長を用いた3C-SiCバルク結晶の実現”, 関和明, 山本祐治, 原田俊太, 宇治原徹, 竹田美和, 愛知県産業労働センター(ウインクあいち), 愛知県,12月9日, 公益社団法人応用物理学会　第20回シリコンカーバイド(SiC)及び関連ワイドギャップ半導体研究会, 2011年12月8日-9日. P-15 “溶液法を用いた4H-SiC結晶における貫通らせん転位の消滅”, 山本祐治, 原田俊太, 関和明, 堀尾篤史, 三橋貴仁, 宇治原徹, 愛知県産業労働センター(ウインクあいち), 愛知県,12月9日, 公益社団法人応用物理学会　第20回シリコンカーバイド(SiC)及び関連ワイドギャップ半導体研究会, 2011年12月8日-9日. P-16 “MBE法によるNdFeAs（O,F）上へのCaF2絶縁膜成長”, 上村彦樹, 川口昂彦, 大野俊也, 田渕雅夫, 宇治原徹, 竹田美和, 生田博志, つくば国際会議場, 茨城県, 11月4日, 第41回結晶成長国内会議（NCCG-41）,日本結晶成長学会, 2011年11月3日-5日.04PS28 “溶液成長における4H-SiC上での多形変化挙動”, 原田俊太, アレキサンダー, 関和明, 山本祐治, 宇治原徹, つくば国際会議場, 茨城県, 11月5日, 第41回結晶成長国内会議（NCCG-41）,日本結晶成長学会, 2011年11月3日-5日. 05aB02 “SiC溶液成長における転位変換過程”, 宇治原徹, 小澤茂太, 山本祐治, 関和明, 原田俊太, つくば国際会議場, 茨城県, 11月5日, 第41回結晶成長国内会議（NCCG-41）,日本結晶成長学会, 2011年11月3日-5日. 05aB03 “6H-SiC上への3C-SiC溶液成長における速度論的多形選択メカニズム”, 関和明, 山本祐治, 原田俊太, 宇治原徹, 竹田美和, つくば国際会議場, 茨城県, 11月5日, 第41回結晶成長国内会議（NCCG-41）,日本結晶成長学会, 2011年11月3日-5日. 05aB04 “AlN溶液成長においてMg蒸気圧が融液の窒化に与える影響”, 水野恒平, 松原弘明, 竹内幸久, 原田俊太, 宇治原徹, 青木祐一, 小原公和, つくば国際会議場, 茨城県, 11月5日, 第41回結晶成長国内会議（NCCG-41）,日本結晶成長学会, 2011年11月3日-5日. 05aB10 “Al融液窒化法における高密度AlN形成メカニズム”, 水野恒平, 松原弘明, 竹内幸久, 原田俊太, 宇治原徹, 青木祐一, 小原公和, 北海道大学, 北海道, 9月9日, 公益社団法人日本セラミックス協会 第24回秋季シンポジウム, 2011年9月7日-9日, 3E03. “過飽和度制御による6H-SiC(0001)上への3C-SiC溶液成長”, 関 和明,山本祐治,原田俊太,宇治原徹,竹田美和, 山形大学　小白川キャンパス, 山形県, 8月30日, 第72回応用物理学会学術講演会, 2011年8月29日-9月2日, 30a-ZB-1. “SiC溶液成長における貫通らせん転位分解メカニズム”, 宇治原徹,小澤茂太,関　和明,山本祐治,原田俊太, 山形大学　小白川キャンパス, 山形県, 8月30日, 第72回応用物理学会学術講演会, 2011年8月29日-9月2日, 30a-ZB-2. “MBE法によるBaFe2(As,P)2超伝導薄膜の成長”, 坂上彰啓,川口昂彦,田渕雅夫,宇治原徹,竹田美和,生田博志, 山形大学　小白川キャンパス, 山形県,8月31日, 第72回応用物理学会学術講演会, 2011年8月29日-9月2日, 31a-ZT-8. “NdFeAs(O,F)薄膜の超伝導特性の基板依存性”, 上村彦樹,川口昂彦,大野俊也,田渕雅夫,宇治原徹,竹田美和,生田博志, 山形大学　小白川キャンパス, 山形県, 8月31日, 第72回応用物理学会学術講演会, 2011年8月29日-9月2日, 31a-ZT-9. “MBE成長したNdFeAsO薄膜へのフッ素ドーピング”, 川口昂彦,上村彦樹,大野俊也,田渕雅夫,宇治原徹,竹田美和,生田博志, 山形大学　小白川キャンパス, 山形県, 8月31日, 第72回応用物理学会学術講演会, 2011年8月29日-9月2日, 31a-ZT-10. “AlGaAs中間層及びSi3N4反射防止膜の導入による透過型GaAs/GaAsP歪み超格子スピン偏極フォトカソードの量子効率向上”, 市橋史朗,金 秀光,山本尚人,真野篤志,桑原真人,渕 真悟,宇治原徹,竹田美和, 山形大学　小白川キャンパス, 山形県, 8月31日, 第72回応用物理学会学術講演会, 2011年8月29日-9月2日, 31a-ZA-13. “酸化物基板表面上の細胞膜モデルシステム：支持平面脂質膜のダイナミクスと基板表面の影響”, 手老龍吾,佐崎 元, 宇治原徹, 宇理須恒雄, 応用物理学会　有機分子・バイオエレクトロニクス分科会　研究会, 神戸大学, 2011年6月24-25日. “スピン編極パルス透過電子顕微鏡の開発2”、 田中信夫、中西彊、竹田美和、浅野秀文、齋藤晃、宇治原徹、桑原真人、 日本顕微鏡学会第67回学術講演会, 福岡, 5月17日, 2011年5月16-18日. “スピン偏極パルスTEM用電子源と照射系の開発”, 桑原真人, 中西 彊, 竹田美和, 浅野秀文, 齋藤晃, 宇治原徹, 田中信夫, 福岡国際会議場, 福岡県, 5月16日, 日本顕微鏡学会第６７回学術講演会, 2011年5月16-18日. “MBE法によるNdFeAs(O,F)超伝導薄膜の成長と評価”, 上村彦樹, 川口昂彦, 大野俊也, 田渕雅夫, 宇治原徹, 竹田美和, 生田博志, 第58回 応用物理学関係連合講演会, 神奈川工科大学, 2011年3月24-27日. “TEM法による超格子の層厚変調のメカニズムの解析”, 金 秀光, 中原弘貴, 斎藤 晃, 坂 貴, 宇治原徹, 田中信夫, 竹田美和, 第58回 応用物理学関係連合講演会, 神奈川工科大学, 2011年3月24-27日. “溶液成長における4H-SiC(0001)面上の成長多形変化過程の観察”, アレキサンダー, 関 和明, 小澤茂太, 山本裕治, 宇治原徹, 竹田美和, 第58回 応用物理学関係連合講演会, 神奈川工科大学, 2011年3月24-27日. “溶液成長により作製したSiC結晶の転位挙動解析”, 小澤茂太, 関 和明, 山本祐治, Alexander, 宇治原徹, 竹田美和, 第58回 応用物理学関係連合講演会, 神奈川工科大学, 2011年3月24-27日. “溶液法によるSiC結晶成長　ー多形制御・結晶性ー”, 宇治原徹, 第58回 応用物理学関係連合講演会, 神奈川工科大学, 2011年3月24-27日. “Mg気相供給を用いた多結晶AlNの溶液成長”, 水野恒平, 松原弘明, 宇治原徹, 竹田美和, 青木祐一, 竹内幸久, 日本セラミックス協会 2011年 年会, 静岡大学, 浜松キャンパス, 2011年3月16-18日. “放射光トポグラフィーによるSiC溶液成長における転位挙動解析”, 小澤 茂太, 関 和明, 山本祐治, Alexander, 宇治原徹, 山口博隆, 竹田美和, ＰＦ研究会「Ｘ線トポグラフィーの現状と展望」, 高エネルギー加速器研究機構, つくば, 2011年1月11-12日. topへ戻る
2010
●国際学会 "Laser light patterning on phase-separated domain in supported lipid bilayer", M. Uchida, T. Ujihara, R. Tero, Y. Takeda, The 2010 International Chemical Congress of Pacific Basin Societies (Pacifichem), Honolulu, Hawaii, USA, 15-20 December (2010). "Hierarchic lipid diffusion in supported lipid bilayers on oxide surfaces", R. Tero, G. Sazaki, T. Ujihara, T. Urisu, The 2010 International Chemical Congress of Pacific Basin Societies (Pacifichem), Honolulu, Hawaii, USA, December 15-20 (2010). "Elimination of local thickness modulation in GaAs/GaAsP strained superlattices for high spin-polarization photocathodes", X.G. Jin, Y. Maeda, T. Sasaki, S. Arai, S. Fuchi, T. Ujihara, Y. Takeda, Workshop on Sources of Polarized Leptons and High Brightness Electron Beams, Bonn, Germany, September 21-24 (2010). ★　"Superlattice photocathode development for low emittance", M. Kuwahara, M. Yamamoto, X. G. Jin, T. Ujihara, T. Nakanishi, Y. Takeda, Photocathode Physics for Photoinjectors, NY, USA, October 12-14(2010). "Pulsed spin-polarized electron source toward a transmission electron microscope", M. Kuwahara, T. Nakanishi, N. Tanaka, Y. Takeda, H. Asano, K. Saito and T. Ujihara, 17th International Microscopy Congress I1501, Rio de Janeiro, Brazil, September 19-24 (2010). "Development of a Spin-Polarized and Short-Pulsed Transmission Electron Microscope", N. Tanaka, T. Nakanishi, Y. Takeda, H. Asano, K. Saito, T. Ujihara and M. Kuwahara, 17th International Microscopy Congress I1501, Rio de Janeiro, Brazil, September 19-24 (2010). "SiC polytype grown on {0001} seed crystal by solution growth", K. Seki, Alexander, S. Kozawa, T. Ujihara, Y. Takeda, 8th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials, Oslo, Norway, August 29- September 2 (2010). "Defect evaluation of SiC crystal grown by solution method: The study bysynchrotron X-ray topography and etching method", S. Kozawa, K. Seki, Alexander, T. Ujihara, Y. Takeda, 8th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials, Oslo, Norway, August 29-September 2 (2010). "Formation mechanism of 3C-SiC on 6H-SiC (0001) by solution growth", K. Seki, Alexander, S. Kozawa, T. Ujihara, Y. Takeda, The 16th International Conference on Crystal Growth(ICCG-16) in conjunction with The 14th International Conference on Vapor Growth and Epitaxy(ICVGE-14), Beijing, China, August 8-13 (2010). "Solution growth of high-quality and large-area 3C-SiC", T. Ujihara, K. Seki, R. Tanaka, S. Kozawa, Alexander, Y. Takeda, The 16th International Conference on Crystal Growth(ICCG-16) in conjunction with The 14th International Conference on Vapor Growth and Epitaxy(ICVGE-14), Beijing, China, August 8-13 (2010). "Improvement of quantum efficiency by introduction of AlGaAs inter-layer in transmission-type spin-polarized photocathode", X.G. Jin, F. Ichihashi, M. Kuwahara, S. Fuchi, S. Okumi, T. Ujihara, T. Nakanishi, Y. Takeda, The 16th International Conference on Crystal Growth(ICCG-16) in conjunction with The 14th International Conference on Vapor Growth and Epitaxy(ICVGE-14), Beijing, China, August 8-13 (2010). "Increase of Spectral Width of Stacked InAs Quantum Dots on GaAs by Controlling Spacer Layer Thickness", K. Tani, S. Fuchi, R. Mizutani, T. Ujihara, Y. Takeda, The 16th International Conference on Crystal Growth(ICCG-16) in conjunction with The 14th International Conference on Vapor Growth and Epitaxy(ICVGE-14), Beijing, China, August 8-13 (2010). "MBE growth and characterization of superconducting NdFeAs(O,F) epitaxial films on GaAs(001)", H. Uemura, T. Kawaguchi1, T. Ohno, M. Tabuchi, T. Ujihara, K. Takenaka, Y. Takeda, H. Ikuta, The 16th International Conference on Crystal Growth(ICCG-16) in conjunction with The 14th International Conference on Vapor Growth and Epitaxy(ICVGE-14), Beijing, China, August 8-13 (2010). "Effects of GaAs inter-layer on uniformity of GaAs/GaAsP strained superlattice for spin-polarized photocathodes", X.G. Jin, Y. Maeda, T. Sasaki, S. Arai, S. Fuchi, T. Ujihara, Y. Takeda, The 16th International Conference on Crystal Growth (ICCG-16), HE6 Beijing International Convention Center, Beijing China, August 8-13 (2010). "Effects of defects and local thickness modulation on spin-polarization in photocathodes based on GaAs/GaAsP strained superlattices", X.G. Jin, Y. Maeda, T. Sasaki, S. Arai, S. Fuchi, T. Ujihara, Y. Takeda, The 23rd International Vacuum Nanoelectronics Conference (IVNC 2010), 8.5, Palo Alto, California, USA, July 26-30 (2010). "TEM analysis of SiC crystal grown on (001) 3C-SiC CVD substrate by solution growth", K. Morimoto, R.Tanaka, K. Seki, T. Tokunaga, T. Ujihara, K. Sasaki, Y. Takeda, K. Kuroda, The 2nd International Symposium on Advanced Microscopy and Theoretical Calculations, June 24-26 (2010). "500kV Gun development at KEK", M.Yamamoto, Y. Honda , T. Miyajima , K. Sato, T. Muto, T. Uchiyama, Y. Saito, M. Kobayvashi, R. Hajima, N. Nishimori, R. Nagai, M. Kuriki, H. Iijima, S. Matsuba, C. Shonaka, D. Kubo, M. Kuwahara, S. Okumi, T. Nakanishi, T. Ujihara, Y. Takeda, H. Kurisu , 48th ICFA Advanced Beam Dynamics Workshop on Future Light Sources, SLAC National Accelerator Laboratory, USA, March 1-5 (2010). ●国内学会 “6H-SiC上への3C-SiC溶液成長における成長多形と過飽和度の関係”, 関 和明, アレキサンダー, 小澤茂太, 山本祐治, 宇治原徹, 竹田美和, 11月25日, 第20回学生による材料フォーラム, 名古屋大学豊田講堂, 名古屋市, 2010年11月25日. “液相法によるAlN多結晶体合成とMg添加効果”, 水野恒平, 宇治原徹, 竹田美和, 青木祐一, 竹内幸久, 井上 哲, 11月25日, 第20回学生による材料フォーラム, 名古屋大学豊田講堂, 名古屋市, 2010年11月25日. “6H-SiC(0001)上への溶液成長における3C-SiC優先成長メカニズム”, 関 和明, アレキサンダー, 小澤茂太, 山本祐治, 宇治原徹, 竹田美和, 第19回シリコンカーバイド(SiC)及び関連ワイドギャップ半導体研究会, つくば国際会議場, つくば市, 2010年10月20-22日. “溶液成長における4H-SiCの成長多形安定性”, アレキサンダー, 関 和明, 小澤茂太, 山本祐治, 宇治原徹, 竹田美和, 第19回シリコンカーバイド(SiC)及び関連ワイドギャップ半導体研究会, つくば国際会議場, つくば市, 2010年10月20-22日. “溶液成長で作製したSiC結晶における欠陥挙動の評価”, 小澤茂太, 関 和明, アレキサンダー, 山本祐治, 宇治原徹, 竹田美和, 第19回シリコンカーバイド(SiC)及び関連ワイドギャップ半導体研究会, つくば国際会議場, つくば市, 2010年10月20-22日. “液相法によるAlN多結晶体合成とMg添加効果”, 水野恒平, 宇治原徹, 竹田美和, 青木祐一, 竹内幸久, 井上 哲, 日本金属学会2010年秋期（第147回）大会, 北海道大学, 2010年9月25-27日. “MBE法によるLnFeAs(O,F)超伝導薄膜（Ln=La,Nd）の成長と物性評価”, 大野俊也, 川口昂彦, 上村彦樹, 田渕雅夫, 宇治原徹, 竹中康司, 竹田美和, 生田博志, 日本物理学会　2010年秋季大会, 2010年9月23-26日. “AlGaAs中間層の導入による透過型 GaAs/GaAsP歪み超格子スピン偏極フォトカソードの高量子効率化”, 市橋史朗, 金 秀光, 桑原真人, 山本尚人, 前多悠也, 橋本和弥, 渕 真悟, 奥見正治, 宇治原徹, 中西 彊, 竹田美和, 第71回応用物理学会学術講演会, 長崎大学, 文教キャンパス, 2010年9月14-17日. “MBE法によるGaAs基板上のLnFeAs(O,F)超伝導薄膜の成長”, 川口昂彦, 上村彦樹, 大野俊也, 田渕雅夫, 宇治原徹, 竹中康司, 竹田美和, 生田博志, 第71回応用物理学会学術講演会, 長崎大学, 文教キャンパス, 2010年9月14-17日. “MBE法によるMgO基板上へのNdFeAs(O,F)薄膜の成長”, 上村彦樹, 川口昂彦, 大野俊也, 田渕雅夫, 宇治原徹, 竹中康司, 竹田美和, 生田博志, 第71回応用物理学会学術講演会, 長崎大学, 文教キャンパス, 2010年9月14-17日. “GaAs上InAs積層量子ドットの発光のスペーサー層厚さ制御による広帯域化”, 谷 和馬, 渕 真悟, 宇治原徹, 竹田美和, 第71回応用物理学会学術講演会, 長崎大学, 文教キャンパス, 2010年9月14-17日. “6H-SiC上への3C-SiCヘテロ成長における多形変換過程”, 関 和明, アレキサンダー, 小澤茂太, 宇治原徹, Patrick Chaudouet, Didier Chaussende, 竹田美和, 第71回応用物理学会学術講演会, 長崎大学, 文教キャンパス, 2010年9月14-17日. “スピン偏極パルスTEM用電子銃の特性評価”, 桑原真人, 中西 彊, 田中信夫, 竹田美和, 浅野秀文, 斎藤晃, 宇治原徹, 日本顕微鏡学会 第66回学術講演会, 2010年5月23-26日. “スピン偏極パルス透過電子顕微鏡の開発１”, 田中信夫, 中西 彊, 竹田美和, 浅野秀文, 斎藤 晃, 宇治原徹, 桑原真人, 日本顕微鏡学会 第66回学術講演会, 2010年5月23-26日, 24aB05-O. “一分子蛍光追跡法による脂質二重膜中の幅広い時間・空間スケールでの分子拡散挙動のその場観察”, 手老龍吾, 佐崎 元, 宇治原徹, 宇理須恒雄, 日本化学会第90回春季年会, 近畿大学本部キャンパス, 2010年3月26-29日, 2C5-16. “ミュオニウムスピン交換法による半導体（Si,GaAs）中の伝導電子スピン偏極測定”, 鳥養映子, 白木一郎, 永嶺謙忠, 下村浩一郎, Pavel Bacule, 石田勝彦, 大石一城, 竹田美和, 宇治原徹, 坂 貴, 加藤俊宏, 横山浩司, Harry Tom, Roland Kawakami, Francis Pratt, 日本物理学会第65回年会, 岡山大学津島キャンパス, 2010年3月20-23日. “スピン偏極電子ビームによる表面磁区構造変化の動画像観察”, 中西 彊, 桑原真人, 奥見正治, 真野篤志, 中川靖英, 山本尚人, 金 秀光, 宇治原徹, 竹田美和, 鈴木雅彦, 安江常夫, 越川孝範, 孝橋照生, 大嶋 卓, 坂 貴, 堀中博道, 加藤俊宏, 山本将博, 日本物理学会第65回年会, 岡山大学津島キャンパス, 2010年3月20-23日. “MBE法によるNdFeAs(O,F)超伝導薄膜の成長と物性評価”, 川口昂彦, 上村彦樹, 大野俊也, 田渕雅夫, 宇治原徹, 竹中康司, 竹田美和, 生田博志, 日本物理学会第65回年会, 岡山大学津島キャンパス, 2010年3月20-23日. “溶液成長で成長したSiC結晶における放射光トポグラフィーとエッチングによる欠陥評価”, 小澤茂太, 関 和明, アレキサンダー, 宇治原徹, 竹田美和, 第57回応用物理学関係連合講演会, 東海大学湘南キャンパス, 2010年3月17-20日. “SiC溶液成長における種結晶の極性面と成長多形の関係”, アレキサンダー, 関 和明, 小澤茂太, 宇治原徹, 竹田美和, 第57回応用物理学関係連合講演会, 東海大学湘南キャンパス, 2010年3月17-20日. “溶液法による6H-SiC{0001}上への3C-SiCヘテロ成長メカニズム”, 関 和明, 小澤茂太, 宇治原徹, 竹田美和, 第57回応用物理学関係連合講演会, 東海大学湘南キャンパス, 2010年3月17-20日. “スピン偏極電子源用GaAs/GaAsP歪み超格子フォトカソードにおける欠陥と層厚変調の偏極度への影響”, 金 秀光, 前多悠也, 市橋史朗, 橋本和弥,渕 真悟, 宇治原徹, 竹田美和, 第57回応用物理学関係連合講演会, 東海大学湘南キャンパス, 2010年3月17-20日. “人工脂質二重膜における膜欠陥の低減と相分離ドメイン凝集への影響”, 内田昌志, 宇治原徹, 手老龍吾, 竹田美和, 第57回応用物理学関係連合講演会, 東海大学湘南キャンパス, 2010年3月17-20日. “脂質二重膜内の階層的な分子拡散挙動その場観察のための蛍光顕微鏡”, 手老龍吾, 佐崎元, 宇治原徹, 宇理須恒雄, 第57回応用物理学関係連合講演会, 東海大学湘南キャンパス, 2010年3月17-20日. “MBEによるGaAs(001)基板上へのNdFeAs(O,F)超伝導薄膜の成長”, 上村彦樹, 川口昂彦, 大野俊也, 田渕雅夫, 宇治原徹, 竹中康司, 竹田美和, 生田博志, 第57回応用物理学関係連合講演会, 東海大学湘南キャンパス, 2010年3月17-20日. “MBE法によるNdFeAs(O,F)超伝導薄膜の成長と物性評価”, 川口昂彦, 上村彦樹, 大野俊也, 田渕雅夫, 宇治原徹, 竹中康司, 竹田美和, 生田博志, 第57回応用物理学関係連合講演会, 東海大学湘南キャンパス, 2010年3月17-20日. “次世代パワーデバイス半導体SiCの溶液成長”, 宇治原徹, 日本金属学会・日本鉄鋼協会東海支部学術討論会「次世代自動車の普及と地球温暖化対策を目指す最先端材料研究」, 名古屋大学, 2010年2月23日. topへ戻る
2009
●国際学会 "Growth of Transmission-type photocathode based on a GaAs-GaAsP strained superlattice for real time SPLEEM", T. Ujihara, X.G. Jin, Y. Maeda, S. Fuchi, Y. Takeda, N. Yamamoto, A. Mano,Y. Nakagawa, S. Okumi, M. Yamamoto, T. Nakanishi, T. Saka, T. Kato, M. Suzuki, M. Hashimoto, T. Yasue, T. Koshikawa, T. Ohshima, T. Kohashi and H. Horinaka, 7th International Symposium on Atomic Level Characterizations for New Materials and Devices (ALC`09), Hawaii, USA, December 6-11 (2009). "Development of high brightness and highly spin polarized low energy electron microscope", T. Yasue, M. Suzuki, M. Hashimoto, M. Kuwahara, A. Mano, Y. Nakagawa, S. Okumi, T. Nakanishi, X.G. Jin, N. Yamamoto, T. Ujihara, Y. Takeda, M. Yamamoto, T. Ohshima, T. Kohashi, T. Saka, T. Kato, H. Horinaka, and T. Koshikawa, 7th International Symposium on Atomic Level Characterizations for New Materials and Devices (ALC`09), Hawaii, USA, December 6-11 (2009). "Strain of GaAs/GaAsP superlattices used as spin-polarized electron photocathodes, determined by X-ray diffraction", T. Saka, Y. Ishida, M. Kanda, X.G. Jin, Y. Maeda, S. Fuchi, T.Ujihara Y. Takeda, T. Matsuyama, H. Horinaka, T. Kato, N. Yamamoto, A. Mano, Y. Nakagawa, M. Kuwahara, S. Okumi, T. Nakanishi, M. Yamamoto, T. Ohshima, T. Kohashi, M. Suzuki, M. Hashimoto, T. Yasue, T. Koshikawa, 7th International Symposium on Atomic Level Characterizations for New Materials and Devices (ALC`09), Hawaii, USA, December 6-11 (2009). "High brightness and highly polarized electron beam for real-time measurement in SPLEEM", M. Kuwahara, A. Mano, Y. Nakagawa, S. Okumi, T. Nakanishi, M.Suzuki, T. Yasue, T. Koshikawa, X.G. Jin, N. Yamamoto, T. Ujihara, Y. Takeda, M. Yamamoto, T. Ohshima, T. Kohashi, T. Saka, T. Kato and H. Horinaka, 7th International Symposium on Atomic Level Characterizations for New Materials and Devices (ALC`09), Hawaii, USA, December 6-11 (2009). "Real time observation of growth process of magnetic thin films by SPLEEM with high brightness and high spin-polarized electron source", M. Suzuki, M. Hashimoto, T. Yasue, T. Koshikawa, Y. Nakagawa, A. Mano, N. Yamamoto, M. Yamamoto, T. Konomi, M. Kuwahara, S. Okumi, T. Nakanishi, X.G. Jin, M. Tanioku, T. Ujihara, Y. Takeda, T. Kohashi, T. Ohshima, T. Saka, T. Kato and H. Horinaka, 7th International Symposium on Atomic Level Characterizations for New Materials and Devices (ALC`09), Hawaii, USA, December 6-11 (2009). "MBE GROWTH AND CHARACTERIZATION OF NdFeAsO THIN FILMS", T. Kawaguchi, H. Uemura, T. Ohno, R. Watanabe, M. Tabuchi, T. Ujihara, K. Takenaka, Y. Takeda, H. Ikuta, 22nd INTERNATIONAL SYMPOSIUM OF SUPERCONDUCTIVITY (ISS22), Tsukuba, Japan, November 2-4 (2009). "CHARACTERIZATION AND THE PHYSICAL PROPERTIES OF MBE GROWN NdFeAsO THIN FILMS", H. Uemura, T. Kawaguchi, T. Ohno, R. Watanabe, M. Tabuchi, T. Ujihara, K. Takenaka, Y. Takeda, H. Ikuta, 22nd INTERNATIONAL SYMPOSIUM OF SUPERCONDUCTIVITY (ISS22), Tsukuba, Japan, November 2-4 (2009). "Stacking Faults Induced by Polytype Transformation in 6H-SiC Grown on 3C-SiC with Solution Growth", K. Seki, K. Morimoto, T. Ujihara, T. Tokunaga, K. Sasaki, K. Kuroda, Y. Takeda, 13th International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2009 (ICSCRM2009), Nuremberg, Germany, October 11-16 (2009). "Large-area 3C-SiC crystal grown on 6H-SiC substrate by solution growth", T. Ujihara,　K. Seki,　R. Tanaka,　Y. Takeda, 13th International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2009 (ICSCRM2009), Nuremberg, Germany, October 11-16 (2009). "Polytype-Stabilized Solution Growth of 3C-SiC", T. Ujihara,　K. Seki,　R. Tanaka,　Y. Takeda, 2009 International Conference on. Solid State Devices and Materials. (SSDM 2009),Sendai, Japan, October 7-9 (2009). "Development of super-high brightness and high spin-polarization photocathodes for SPLEEM, ERL, and ILC", X.G. Jin, N. Yamamoto, Y. Nakagawa, A. Mano, M. Tanioku, T. Ujihara, Y. Takeda, S. Okumi, M. Yamamoto, T. Nakanishi , Second HOPE Meeting, Hakone, Japan, September 27 - October 1 (2009). "TEM investigation on structural perfection of GaAs/GaAsP strained superlattice for high-performance spin-polarized electron source", X.G. Jin, Y. Maeda, S. Fuchi, T. Ujihara, Y. Takeda, N. Yamamoto, S. Okumi, T. Nakanish, 10th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures (ACSIN-10), Wed1245, Granada, Spain, September 21-25 (2009). "Growth of Epitaxial NdFeAsO Thin Films by Molecular Beam Epitaxy and their Characterization", H. Ikuta, T. Kawaguchi, H. Uemura, T. Ohno, R. Watanabe, M. Tabuchi, T. Ujihara, K. Takenaka and Y. Takeda , 9th International Conference on Materials and Mechanisms of Superconductoivity, Tokyo, Japan, September 7-12 (2009). "Active Control of Gel-Phase and Raft Domain Condensation in Supported Lipid Bilayer", T. Ujihara, 2nd International Symposium on Nanomedicine (ISNM2009) Asian Core Symposium -Nano and Biomedical Molecular Science-, Okazaki, Japan, February 5-7 (2009). ●国内学会 “6H-SiC(0001)上に溶液成長した3C-SiC の表面モフォロジー”, 関 和明, アレキサンダー, 小澤茂太, 宇治原徹, 竹田美和, 第18回(2009年）SiC及び関連ワイドギャップ半導体講演会, 神戸国際会議場, 兵庫神戸市, 2009年12月17-18日. “6H-SiC(0001)面上への3C-SiC溶液成長”, 小澤茂太, 関 和明, アレキサンダー, 宇治原徹, 竹田美和, 第39回結晶成長国内会議, 名古屋大学, 2009年11月12-14日. “MBEによるGaAs基板(001)面上へのNdFeAs(O,F)超伝導薄成長”, 上村彦樹, 川口昂彦, 大野俊也, 渡邉諒太郎, 田渕雅夫, 宇治原徹, 竹中康司, 竹田美和, 生田博志, 第39回結晶成長国内会議, 名古屋大学, 2009年11月12-14日. “一方向に優先的に成長する樹枝状二次元島の研究− Kinetic Monte-Carlo Simulationによる再現 −”, 菊田翔平, 神部拓也, 西田幸司, 高岸洋一, 平井 豪, 宇治原徹, 中田俊隆, 第39回結晶成長国内会議, 名古屋大学, 2009年11月12-14日. “TEMによるスピン偏極電子源用GaAs/GaAsP歪み超格子構造の結晶性の評価”, 金 秀光, 前多悠也, 渕 真悟, 宇治原徹, 竹田美和, 第39回結晶成長国内会議, 名古屋大学, 2009年11月12-14日. “溶液成長によってCVD製3C-SiC基板上に成長させた結晶のTEM解析”, 森本 海, 関 和明, 徳永智春, 宇治原徹, 佐々木勝寛, 黒田光太郎, 日本金属学会東海支部　第19回学生による材料フォーラム, 豊橋サイエンスコア, 愛知県, 2009年11月13日. “MBE法による鉄ヒ素系薄膜の作製”, 川口昂彦, 上村彦樹, 大野俊也, 渡邉諒太郎, 田渕雅夫, 宇治原徹, 竹中康司, 竹田美和, 生田博志, 日本物理学会2009年秋季大会, 熊本大学黒髪キャンパス, 2009年9月10-13日, 26aPS-108. “3C/6H-SiCヘテロ界面に誘起された積層欠陥のTEM観察”, 関 和明, 森本 海, 宇治原徹, 徳永智春, 佐々木勝寛, 黒田光太郎, 竹田美和, 第70回応用物理学会学術講演会, 富山大学, 2009年9月8-11日. “スピン偏極電子源用GaAs/GaAsP歪み超格子構造における層厚の変調と偏極度への影響”, 金 秀光, 前多悠也, 渕 真悟, 宇治原徹, 竹田美和, 第70回応用物理学会学術講演会, 富山大学, 2009年9月8-11日. “超高輝度・高スピン偏極度フォトカソード”, 金 秀光, 山本尚人, 中川靖英, 真野篤志, 加藤鷹紀, 谷奥雅俊, 宇治原徹, 竹田美和, 山本将博, 奥見正治, 中西 彊, 坂 貴, 堀中博道, 加藤俊宏, 安江常夫, 越川孝範, 第70回応用物理学会学術講演会, 富山大学, 2009年9月8-11日. “光照射による人工脂質二重膜相分離ドメイン凝集制御における光強度の影響”, 内田昌志, 宇治原徹, 手老龍吾, 竹田美和, 第70回応用物理学会学術講演会, 富山大学, 2009年9月8-11日. “高偏極度・高輝度電子源を用いたSPLEEMによる実時間磁区観察”, 鈴木雅彦, 橋本道廣, 安江常夫, 越川孝範, 中川靖英, 真野篤志, 山本尚人, 山本将博, 許斐太郎, 桑原真人, 奥見正治, 中西 彊, 金 秀光, 加藤鷹紀, 谷奥雅俊, 宇治原徹, 竹田美和, 孝橋照生, 大島 卓, 坂 貴, 加藤俊宏, 堀中博道, 第70回応用物理学会学術講演会, 富山大学, 2009年9月8-11日. “MBE法によるNdFeAsO薄膜の成長と評価(I)”, 川口昂彦, 上村彦樹, 大野俊也, 渡邉諒太郎, 田渕雅夫, 宇治原徹, 竹中康司, 竹田美和, 生田博志, 第70回応用物理学会学術講演会, 富山大学, 2009年9月8-11日. “MBE法によるNdFeAsO薄膜の成長と評価(II)”, 上村彦樹, 川口昂彦, 大野俊也, 渡邉諒太郎, 田渕雅夫, 宇治原徹, 竹中康司, 竹田美和, 生田博志, 第70回応用物理学会学術講演会, 富山大学, 2009年9月8-11日. “溶液成長法の基礎とＳｉＣ結晶成長への応用”, 宇治原徹, 「ＳｉＣ単結晶成長、基板の開発・加工技術」セミナー, 東京都, 2009年8月31日. “溶液法の基礎とSiC結晶成長への応用”, 宇治原徹, 第14回東海支部基礎セミナー「先端材料開発のための結晶成長の基礎と応用」, 2009年6月24日. “4H-SiC溶液成長における固液界面エネルギーの面方位依存性と成長多形との関係”, 宇治原徹, 田中 亮, 関 和明, 竹田美和, 第56回応用物理学関係連合講演会, 筑波大学, 茨城県, 2009年3月30日-4月2日. “SiC溶液成長におけるSi溶媒への第三元素(Al, Sc)添加と多形変化”, 関 和明, 田中 亮, 宇治原徹, 竹田美和, 第56回応用物理学関係連合講演会, 筑波大学, 茨城県, 2009年3月30日-4月2日. “6H-SiC(0001)基板上への3C-SiC(111)バルク結晶の溶液成長”, 関 和明, 田中 亮, 宇治原徹, 竹田美和, 第56回応用物理学関係連合講演会, 筑波大学, 茨城県, 2009年3月30日-4月2日. “TEMとAFMによるスピン偏極電子源用GaAs/GaAsP歪み超格子の結晶性の評価”, 金 秀光, 谷奥雅俊, 前多悠也, 渕 真悟, 宇治原徹, 竹田美和, 山本尚人, 中川靖英, 山本将博, 奥見正治, 中西 彊, 第56回応用物理学関係連合講演会, 筑波大学, 茨城県, 2009年3月30日-4月2日. “単結晶TiO2(100)表面上での吸着脂質ベシクルの形状変化への基板材料および光照射の影響”, 手老龍吾, 宇治原徹, 宇理須恒雄, 第56回応用物理学関係連合講演会, 筑波大学, 茨城県, 2009年3月30日-4月2日. “固体基板上脂質二重膜における光照射による相分離ドメイン局所形成メカニズムの検討”, 宇治原徹, 山内庸詞, 内田昌志, 手老龍吾, 竹田美和, 第56回応用物理学関係連合講演会, 筑波大学, 茨城県, 2009年3月30日-4月2日. “MBE法によるNdFeAsO薄膜の作製”, 川口昂彦, 田渕雅夫, 宇治原徹, 竹中康司, 竹田美和, 生田博志, 第56回応用物理学関係連合講演会, 筑波大学, 茨城県, 2009年3月30日-4月2日. topへ戻る
2008
●国際学会 "Shape Transformation of Absorbed Vesicles on Step-and-Terrace TiO2(100) Surfece", R. Tero, T. Ujihara, T. Urisu, International Union of Materials Research Societies International Conference in Asia (IUMRS-ICA 2008), Nagoya Congress Center, Nagoya, Japan, December 9-13 (2008). "Effect of Applied Voltage on the Size of Phase Separated Domains in Lipid Binary Bilayers Supported on SiO2/Si substrates", Y. Yamauchi, T. Ujihara, R. Tero, Y. Takeda, International Union of Materials Research Societies International Conference in Asia (IUMRS-ICA 2008), Nagoya Congress Center, Nagoya, Japan, December 9-13 (2008). "Local Condensation of Artificial Raft Domains in Supported Lipid Bilayer under Light Irradiation in PSM-DOPC-Cholesterol System", T. Ujihara, S. Suzuki, Y. Yamauchi, R. Tero, Y. Takeda, International Union of Materials Research Societies International Conference in Asia (IUMRS-ICA 2008), Nagoya Congress Center, Nagoya, Japan, December 9-13 (2008). "Super-high brightness and high-spin-polarization electrons source based on a novel transmission-type GaAs/GaAsP strained superlattice Defects and polarization", T. Ujihara, X.G. Jin, M. Tanioku, Y. Maeda, S. Fuchi, Y. Takeda, N. Yamamoto, A. Mano, Y. Nakagawa, S. Okumi, M. Yamamoto, T. Nakanishi, T. Saka, H. Horinaka, T. Yasue, and T. Koshikawa, Workshop on Sources of Polarized Electrons and High Brightness Electron Beams (PESP2008), Jefferson Lab, Newport News, USA, October 1-3 (2008). "New transmission-type photocathode structure based on strain-compensated superlattice", X.G. Jin, M. Tanioku, Y. Maeda, S. Fuchi, T. Ujihara, Y. Takeda, N. Yamamoto, A. Mano, Y. Nakagawa, S. Okumi, M. Yamamoto, T. Nakanishi, T. Saka, H. Horinaka, T. Yasue, and T. Koshikawa, Workshop on Sources of Polarized Electrons and High Brightness Electron Beams (PESP2008), Jefferson Lab, Newport News, USA, October 1-3 (2008). "Status of 200keV beam operations at Nagoya University", M.Yamamoto, T.Konomi, S.Okumi, Y.Nakagawa, T.Nakanishi, N.Yamamoto, M.Tanioku, X.Jin, T.Ujihara, Y.Takeda, F.Furuta, H.Matsumoto, M.Yoshioka, M.Kuriki, C.Shonaka, D.Kubo, H.Okamoto , Workshop on Sources of Polarized Electrons and High Brightness Electron Beams (PESP2008), Jefferson Lab, Newport News, USA, October 1-3 (2008). "High Brightness and High Polarization Electron Source Using Transmission Photocathode", N. Yamamoto, X.G. Jin, A. Mano, Y. Nakagawa, T. Nakanishi, T. Ujihara, S. Okumi, M. Yamamoto, T. Konomi, Y. Takeda, T. Ohshima, T. Saka, T. Kato, H. Horinaka, T. Yasue, and T. Koshikawa, Workshop on Sources of Polarized Electrons and High Brightness Electron Beams (PESP2008), Jefferson Lab, Newport News, USA, October 1-3 (2008). " Polytype transformation during solution growth on 3C-SiC seed crystals", K. Seki, R. Tanaka, T. Ujihara, and Y. Takeda, 7th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials, Barcelona, Spain, September 7-11 (2008). "Solution growth on free-standing (001) 3C-SiC epilayers", R. Tanaka, K. Seki, T. Ujihara, and Y. Takeda, 7th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials, Barcelona, Spain, September 7-11 (2008). "Highly spin-polarized electron photocathode based on GaAs/GaAsP superlattice grown on mosaic-structured buffer layer", X.G. Jin, Y. Maeda, M. Tanioku, T. Ujihara, S. Fuchi, Y. Takeda, N. Yamamoto, A. Mano, Y. Nakagawa, S. Okumi, M. Yamamoto, T. Nakanishi, T. Saka, H. Horinaka, T. Kato, T. Yasue and T. Koshikawa, 14th International Conference of Metalorganic Vapor Phase Epitaxy (ICMOVPE2008), Metz, France, June 1-6 (2008). ●国内学会 “VLS法によるSiC単結晶の成長”, 小宮山聰, 吉川和男, 田中 亮, 関 和明, 宇治原徹, 第17回(2008年）SiC及び関連ワイドギャップ半導体講演会, 大田区産業プラザ, 東京都, 2008年12月8-9日. “3C-SiC(111)面への溶液成長における多形変化と高密度積層欠陥の生成”, 関 和明, 田中 亮, 宇治原徹, 森本 海, 徳永智春, 佐々木勝寛, 黒田光太郎, 竹田美和, 第17回(2008年）SiC及び関連ワイドギャップ半導体講演会, 大田区産業プラザ, 東京都, 2008年12月8-9日. “3C-SiC種結晶(001)面上への高品質3C-SiC低温溶液成長”, 田中 亮, 関 和明, 宇治原徹, 竹田美和, 第17回(2008年）SiC及び関連ワイドギャップ半導体講演会, 大田区産業プラザ, 東京都, 2008年12月8-9日. “SiO2/Si上に形成した脂質二重膜相分離ドメインの光照射輸送制御”, 宇治原徹, 鈴木翔也, 山内庸詞, 手老龍吾, 竹田美和, 第1回サポーティッドメンブランワークショップ(WSM2007), 蒲郡温泉「天の丸」, 愛知県額田郡, 2008年11月16-17日. “サポーティッドメンブレンへの形成過程、構造、物性への固体基板表面の影響”, 手老龍吾, 宇治原徹, 宇理須恒雄, 第1回サポーティッドメンブランワークショップ(WSM2007), 蒲郡温泉「天の丸」, 愛知県額田郡, 2008年11月16-17日. “半導体基板上脂質二重膜の形成およびゲル相ドメイン制御とそのラフト構造への応用”, 鈴木翔也, 山内庸詞, 宇治原徹, 手老龍吾, 竹田美和, 第1回サポーティッドメンブランワークショップ(WSM2007), 蒲郡温泉「天の丸」愛知県額田郡, 2008年11月16-17日. “半導体基板上のDMPS-DOPC二元系脂質膜の電界印加による相分離ドメインのサイズ変化”, 山内庸詞, 鈴木翔也, 宇治原徹, 手老龍吾, 竹田美和, 第1回サポーティッドメンブランワークショップ(WSM2007), 蒲郡温泉「天の丸」愛知県額田郡, 2008年11月16-17日. “Si基板／SiO2薄膜上二元系脂質二重膜相分離ドメイン・サイズの電圧印加効果”, 山内庸詞, 宇治原徹, 手老龍吾, 竹田美和, 第61回コロイドおよび界面化学討論会, 九州大学, 福岡県, 2008年9月7-9日. “ステップ&テラスTiO2(100)表面上に吸着したリン脂質ベシクルの形状変化”, 手老龍吾, 宇治原徹, 宇理須恒雄, 第61回コロイドおよび界面化学討論会, 九州大学, 福岡県, 2008年9月7-9日. “(001)3C-SiC自立基板上への溶液成長における多形変化”, 田中 亮, 関 和明, 宇治原徹, 佐々木勝寛, 黒田光太郎, 竹田美和, 第69回応用物理学会学術講演会, 中部大学, 愛知県, 2008年9月2-5日. “3C-SiC種結晶上への溶液成長における多形変化”, 関 和明, 田中 亮, 宇治原徹, 徳永智春, 佐々木勝寛, 黒田光太郎, 竹田美和, 第69回応用物理学会学術講演会, 中部大学, 愛知県, 2008年9月2-5日. “GaAs/GaAsP歪み超格子偏極電子源におけるGaAsPバッファ層の結晶性と偏極度の関係”, 金 秀光, 谷奥雅俊, 前多悠也, 坂 貴, 渕 真悟, 宇治原徹, 竹田美和, 山本尚人,真野篤志, 中川靖俊, 山本将博, 奥見正治, 中西 彊, 堀中博道, 加藤俊宏, 安江常夫, 越川孝範, 第69回応用物理学会学術講演会, 中部大学, 愛知県, 2008年9月2-5日. “SiO2/Si基板上人工脂質膜相分離構造のドメインサイズにおける電圧印加効果”, 山内庸詞, 宇治原徹, 手老龍吾, 竹田美和, 第69回応用物理学会学術講演会, 中部大学, 愛知県, 2008年9月2-5日. “酸化物材料表面上に担持した脂質二重膜内の分子拡散挙動のその場観察：基板材料を選ばない1分子追跡法による解析”, 手老龍吾, 佐崎 元, 宇治原徹, 宇理須恒雄, 第69回応用物理学会学術講演会, 中部大学, 愛知県, 2008年9月2-5日. “実時間観察可能なSPLEEMに向けた高輝度偏極電子源の開発と性能評価”, 中川靖英, 真野篤志, 山本将博, 奥見正治, 許斐太郎, 斉藤 光, 中西 彊, 孝橋照生, 大嶋 卓, 金 秀光, 前多悠也, 宇治原徹, 竹田美和, 鈴木雅彦, 津野勝重, 安江常夫, 越川孝範, 第69回応用物理学会学術講演会,中部大学, 愛知県, 2008年9月2-5日. “無転位歪み補償半導体超格子による高品質スピン偏極電子源の設計と作製”, 谷奥雅俊, 金　秀光, 前多悠也, 許斐太郎, 中川靖英, 渕 真悟, 山本将博, 宇治原徹, 中西 彊, 竹田美和, 第69回応用物理学会学術講演会, 中部大学, 愛知県, 2008年9月2-5日. “透過型スピン偏極電子源のための半導体超格子構造と結晶成長”, 宇治原徹, 第1回フォトカソード研究会, 表面ナノ構造とフォトカソード, シンクロトロン光応用研究センター, 佐賀大学, 佐賀県佐賀市, 2008年3月14-15日. “シングルステップTiO2 表面上でのリン脂質吸着ベシクルから平面二重膜への形状変化”, 手老龍吾, 宇治原徹, 宇理須恒雄, 日本化学会, 第８８春季年会, 立教大学池袋キャンパスおよび立教池袋中学校・高等学校, 2008年3月28日, 3L3-15. “GaAs/GaAsP歪み超格子構造電子源による超高輝度・高スピン偏極度の実現”, 金 秀光, 前多悠也,加藤鷹紀, 谷奥雅俊, 渕 真悟, 宇治原徹, 竹田美和, 山本尚人, 真野篤志, 中川靖英, 山本将博, 奥見正治, 中西 彊, 坂 貴, 堀中博道, 加藤俊宏, 安江常夫, 越川孝範, 第55回応用物理学関係連合講演会, 日本大学理工学部船橋キャンパス, 千葉県船橋市, 2008年3月27-30日, 27p-ZN-2. “高偏極度・高輝度・高効率電子源用無欠陥歪み補償半導体超格子構造の設計”, 谷奥雅俊, 加藤鷹紀, 中川靖英, 許斐太郎, 金 秀光, 前多悠也, 渕 真悟, 山本将博, 宇治原徹, 中西 彊, 竹田美和, 第55回応用物理学関係連合講演会,日本大学理工学部船橋キャンパス, 千葉県船橋市, 2008年3月27-30日, 27p-ZN-3. “電圧印加による人工脂質膜相分離ドメインのアクティブ制御”, 山内庸詞, 鈴木翔也, 宇治原徹, 手老龍吾, 竹田美和, 第55回応用物理学関係連合講演会, 日本大学理工学部船橋キャンパス, 千葉県船橋市, 2008年3月27-30日, 29a-ZJ-7. “SiO2/Si基板上PSM-DOPC-Cholesterol系脂質二重膜における相分離ドメインの観察と制御”, 鈴木翔也, 山内庸詞, 宇治原徹, 手老龍吾, 竹田美和, 2008年3月29日, 第55回応用物理学関係連合講演会, 日本大学理工学部船橋キャンパス, 千葉県船橋市, 2008年3月27-30日, 29a-ZJ-8. “光KFMによる多結晶Si太陽電池の少数キャリアライフタイム測定”, 瀧原昌輝, 宇治原徹, 高橋琢二, 第55回応用物理学関係連合講演会, 日本大学理工学部船橋キャンパス, 千葉県船橋市, 2008年3月27-30日, 30a-ZC-2. “光KFMによる多結晶Si太陽電池の少数キャリア拡散長及び移動度測定”, 瀧原昌輝, 宇治原徹, 高橋琢二, 2008年3月30日, 第55回応用物理学関係連合講演会, 日本大学理工学部船橋キャンパス, 千葉県船橋市, 2008年3月27-30日, 30a-ZC-3. topへ戻る
2007
●国際学会 "Super-high brightness spin-polarized transmission photocathode based on GaAs-GaAsP strained superlattice structure on GaP substrate", X.G. Jin, Y. Nakagawa, N. Yamamoto, A. Mano, T. Kato, M. Tanioku, T. Ujihara, Y. Takeda, S. Okumi, M. Yamamoto, T. Nakanishi, T. Saka, H. Horinaka, T. Yasue, and T. Koshikawa, 9th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures, Komaba Research Campus of the University of Tokyo, Tokyo, Japan, November 11-15 (2007), 13Ap 1-4.oral. "Polarization improvement of spin-polarized electrons from strain-compensated GaAs/GaAsP superlattice photocathode", T. Kato, R. Sakai, M. Tanioku, Y. Nakagawa, Y. Maeda, X.G. Jin, S. Fuchi, M. Yamamoto, T. Ujihara, Y. Takeda, and T. Nakanishi, 9th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures, Komaba Research Campus of the University of Tokyo, Tokyo, Japan, November 11-15 (2007), 13Ap 1-5. oral. "Stability Growth Condition for 3C-SiC Crystals by Solution Technique", T. Ujihara, R. Maekawa, R. Tanaka, K. Sasaki, K. Kuroda and Y. Takeda, International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2007, Otsu, Japan, October 15-19 (2007). "Low Temperature Solution Growth of 3C-SiC Crystals in Si-Ge-Ti Solvent", R. Tanaka, T. Ujihara and Y. Takeda, International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2007, Otsu, Japan, October15-19 (2007). "Supported lipid bilayers membranes on SiO2 and TiO2:Substrate effects on membrane formation and shape transformation", R. Tero, T. Ujihara and T. Urisu, SPIE Optics East, Boston, MA, USA, September 8-12 (2007). "Supported planar lipid bilayers on step-and-terrace TiO2 surfaces", R. Tero, T. Ujihara and T. Urisu, American Chemical Society 234th National Meeting and Expositionl, Boston, MA, USA, August 25-29 (2007). "Effect of Si-Ti solvent on growth rate improvement in SiC solution growth", R. Tanaka, R. Maekawa, T. Ujihara and Y. Takeda, 15th International Conference on Crystal Growth, Salt Lake City, Utah, USA, August 12-17 (2007). "Solution growht of high quality 3C-SiC crystals", T. Ujihara, R. Maekawa, R. Tanaka, K. Sasaki, K. Kuroda and Y. Takeda, 15th International Conference on Crystal Growth, Salt Lake City, Utah, USA, August 12-17 (2007). "Effect of absorbed group-V atoms on the size distribution and optical properties of InAsP quantum dots fabricated by the droplet hetero-epitaxy", S. Fuchi, S. Miyake, S. Kawamura, W.S. Lee, T. Ujihara and Y. Takeda, 15th International Conference on Crystal Growth, q05, Salt Lake City, Utah, USA, August 12-17 (2007). "Supported planar lipid bilayers on TiO2 and SiO2 surfaces: Effects of surface atomic structures and chemical species", R. Tero, T. Ujihara, H. Watanabe and T. Urisu, American Chemical Society 233rd National Meeting and Exposition, Chicago, IL US, March 25-29 (2007). "Desorption time of As adsorbed on GaInAs surface analyzed by X-ray CTR scattering", A. Mori, Y. Ohtake, T. Ujihara, M. Tabuchi, and Y. Takeda, 19th International Conference on Indium Posphide and Related Materials (IPRM07), PB29, Kunibiki Messe, Matsue, Japan, May 14-18 (2007). ●国内学会 “Fabrication of DMPC-DOPC Lipid Binary Bilayers Supported on SiO2/Al/Si Substrate for Electrical　Control of Phase-Separated Structure”, Y. Yamauchi, S. Suzuki, T. Ujihara, R. Tero and Y. Takeda, 第18回日本MRS学術シンポジウム, 日本大学理工学部駿河台校舎, 2007年12月7-8日. “3C-SiC溶液成長における結晶多形安定性”, 宇治原徹, 田中 亮, 関 和明, 竹田美和, SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会第16回講演会, 愛知県女性総合センター（ウィルあいち）, 2007年11月29-30日. “高濃度Ca2+緩衝液を用いたベシクル展開法による平面状脂質二重膜の形成”, 鈴木翔也, 山内庸詞, 宇治原徹, 手老龍吾, 竹田美和, 応用物理学会, 2007年秋季学術講演会, 北海道工業大学, 2007年9月4-8日, 5p-P8-13. “Supported planar lipid bilayerのドメイン形状への基板表面構造の影響”, 手老龍吾, 宇治原徹, 宇理須恒雄, 応用物理学会, 2007年秋季学術講演会, 北海道工業大学, 2007年9月4-8日, 4p-P4-22. “SiCの溶液成長速度向上におけるSi-Ti溶媒の効果”, 田中 亮, 前川諒介, 宇治原徹, 竹田美和, 応用物理学会, 2007年秋季学術講演会, 北海道工業大学, 2007年9月4-8日, 4a-T-3. “分離閉じ込め構造による電流注入型Er, O共添加GaAs発光デバイスの発光強度増大”, 田中雄太, 宇木大輔, 山口岳宏, 渕真悟, 宇治原徹, 竹田美和, 第68回応用物理学会学術講演会, 北海道工業大学, 北海道札幌市, 2007年9月4-8日, 4p-ZK-3. “Er,O共添加GaAsを有する分離閉じ込め構造による1.5 μm帯の電流注入による発光強度の増大”, 宇木大輔, 山口岳宏, 田中雄太, 渕 真悟, 宇治原徹, 竹田美和, 電子情報通信学会, 電子デバイス/電子部品・材料/シリコン材料・デバイス研究会, 静岡県浜松市, 静岡大学浜松キャンパス, 2007年5月24-25日. “歪み補償型GaAs/GaAsP超格子偏極電子源の特性向上”, 加藤鷹紀, 酒井良介, 谷奥雅俊, 中川靖英, 前田義紀, 金 秀光, 渕 真悟, 山本将博, 宇治原徹, 中西 彊, 竹田美和, 電子情報通信学会, 電子デバイス/電子部品・材料/シリコン材料・デバイス研究会, 静岡県浜松市, 静岡大学浜松キャンパス, 2007年5月24-25日. “SiO2/Si基板上DMPC-DOPC脂質二重膜における相分離ドメインの光照射による形成位置制御”, 鈴木翔也, 宇治原徹, 手老龍吾, 竹田美和, 日本化学会, 第87春季年会, 関西大学千里山キャンパス, 2007年3月27日, 2K5-40. “3C-SiC 種結晶上への溶液成長と成長面による結晶多形変化”, 田中 亮, 前川諒介, 宇治原徹, 竹田美和, 日本金属学会, 2007年春期講演大会, 千葉工業大学津田沼キャンパス, 2007年3月27日. “高輝度・高スピン偏極度を有する電子源の開発”, 山本尚人, 真野篤志, 玉垣邦秋, 奥見正治, 山本将博, 桑原真人, 酒井良介, 森野貴典, 宇津 輝, 中西 彊, 大嶋 卓, 金 秀光, 宇治原徹, 竹田美和, 安江常夫, 越川孝範, 堀中博道, 坂 貴, 加藤俊宏, 2007年春季 第54回応用物理学関係連合講演会, 青山学院大学相模原キャンパス, 2007年3月27-30日, 29p-ZV-10. “歪み補償型GaAs/GaAsP超格子偏極電子源のバンド構造と偏極度への影響”, 加藤鷹紀, 酒井良介, 谷奥雅俊, 中川靖英, 前田義紀, 金 秀光, 渕 真悟, 山本将博, 宇治原徹, 中西 彊, 竹田美和, 2007年春季 第54回応用物理学関係連合講演会, 青山学院大学相模原キャンパス, 2007年3月27-30日, 29p-ZV-11. “基板表面原子レベル構造がsupported planar lipid bilayerの構造に及ぼす効果”, 手老龍吾, 宇治原徹, 宇理須恒雄, 2007年春季 第54回応用物理学関係連合講演会, 青山学院大学相模原キャンパス, 2007年3月27-30日, 28a-ZG-5. “SiO2/Si上に形成した脂質二重膜相分離ドメインのその場選択形成-光による局所加熱-”, 鈴木翔也, 宇治原徹, 手老龍吾, 竹田美和, 2007年春季 第54回応用物理学関係連合講演会, 青山学院大学相模原キャンパス, 2007年3月27-30日, 30a-SB-7. “ケルビンプローブフォース顕微鏡による多結晶シリコン太陽電池の局所的光起電力評価”, 瀧原昌輝, 五十嵐考俊, 宇治原徹, 高橋琢二, 2007年春季 第54回応用物理学関係連合講演会, 青山学院大学相模原キャンパス, 2007年3月27-30日, 27a-ZK-8. “ケルビンプローブフォース顕微鏡による多結晶シリコン太陽電池の少数キャリア拡散長測定”, 瀧原昌輝, 宇治原徹, 高橋琢二, 2007年春季 第54回応用物理学関係連合講演会, 青山学院大学相模原キャンパス, 2007年3月27-30日, 27a-ZK-9. “液滴ヘテロエピタキシーにより作製したInAsP量子ドットの発光特性　-ガスフローシーケンスの影響-”, 三宅信輔, 河村真一, 渕 真悟, 宇治原徹, 竹田美和, 2007年春季 第54回応用物理学関係連合講演会, 青山学院大学相模原キャンパス, 2007年3月27-30日, 29a-Q-1. “断面STMで観たInP-on-InGaAs界面の形状と組成分布：InP層厚依存性 II”, 叶 保明, 山川市朗, 李 祐植, 渕 真悟, 宇治原徹, 竹田美和, 中村新男, 2007年春季 第54回応用物理学関係連合講演会, 青山学院大学相模原キャンパス, 2007年3月27-30日, 29a-Q-5. topへ戻る
2006
●国際学会 "Supported phospholipid bilayers on SiO2 and TiO2 surfaces: Effects of surface chemical species and atomic structures", R. Tero,H. Watanabe,T. Ujihara,T. Urisu, Fifth East Asian Biophysics Symposium & Forty-Fourth Annual Meeting of the Biophysical Society of Japan (EABS & BSJ 2006), Okinawa, Japan, November 12-16 (2006). (ポスター) "Formation of domains in fluorescent lipids doped DMPC-DOPC binary bilayers supported on SiO2/Si substrates under local light irradiation", S. Suzuki,T. Ujihara,R. Tero,Y. Takeda, Fifth East Asian Biophysics Symposium & Forty-Fourth Annual Meeting of the Biophysical Society of Japan (EABS & BSJ 2006), Okinawa, Japan, November 12-16 (2006).(ポスター) "High density beam extraction from GaAs/GaAsP superlattice photocathode", M. Yamamoto, N. Yamamoto, R. Sakai, A. Utsu, T. Nakanishi, S. Okumi, M. Miyamoto, M. Kuwahara, T. Morino, K. Tamagaki, A. Mano, M. Kuriki, F. Furuta, T. Ujihara, and Y. Takeda, 17th International Spin Physics Symposium (SPIN2006), Kyoto, Japan, October 2-7 (2006). "Local Characterization of Photovoltage on Polycrystalline Silicon Solar Cells by KFM with Piezo-resistive Cantilever", M. Takihara, T. Igarashi, T. Ujihara and T. Takahashi, 2006 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2006), Yokohama, Japan, September 12-15 (2006). (ポスター) "Room-temperature optical gain at 1.54μm from Er,O-codoped GaAs with laser pumping", T. Yamaguchi, Y. Takemori, H. Ohnishi, A. Koizumi, T. Ujihara and Y. Takeda, 13th International Conference on Metal Organic Vapor Phase Epitaxy (ICMOVPE XIII), Miyazaki, Japan, May 22-26 (2006).(口頭) "Effect of Li doping on photoluminescence from Er,O-codoped GaAs", D. Uki, H. Ohnishi, T. Yamaguchi, Y. Takemori, A. Koizumi, T. Ujihara and Y. Takeda, 13th International Conference on Metal Organic Vapor Phase Epitaxy (ICMOVPE XIII), Miyazaki, Japan, May 22-26 (2006). "Evaluation of Strain Field around SiC Particle in Poly-Crystalline Silicon", T. Ujihara, T. Ichitsubo, N. Usami, K. Nakajima, Y. Takeda, 2006 IEEE 4th World Conference on Photovoltaic Energy Conversion (WCPEC4), Waikoloa , Hawaii, USA, May 7-12 (2006) .(ポスター) "The wideband light emission around 720 nm from ternary InAsP quantum dots with an intentionally broadened size and composition distribution", S. Miyake, W. S. Lee, T. Ujihara and Y. Takeda, The 18th Indium Phosphide and Related Materials Conference (IPRM06), Princeton University, Princeton, NJ, USA, May 7-11 (2006) .(ポスター) "Observation and control of phase separation in binary lipid bilayer membranes on semiconductor substrate", T. Ujihara, S. Suzuki, R. Tero, Y. Takeda, the 6th International Symposium on Biomimetic Materials Processing (BMMP-6), Nagoya, Japan, January 25-26 (2006). (ポスター) ●国内学会 “GaAs基板上に成長した有機薄膜に対する表面酸化物の影響”, 神部拓也, 西田幸司, 本同宏成, 久保貴資, 宇治原徹, 中田俊隆, 第３６回結晶成長国内会議（NCCG-36）, 大阪大学, 吹田キャンパス, 2006年11月1-3日, 03aD01. “単原子ステップTiO2表面上のsupported lipid bilayer形成”, 手老龍吾, 宇治原徹, 宇理須恒雄, 第５９回コロイドおよび界面化学討論会, 北海道大学, 2006年9月13-15日, P133. “自己検知型カンチレバーを用いたKFMによる多結晶シリコン太陽電池の局所的光起電力評価”, 瀧原昌輝, 五十嵐孝俊, 宇治原徹, 高橋琢二, 2006年秋季 第67回応用物理学会学術講演会, 立命館大学, びわこ・くさつキャンパス, 2006年8月29日-9月1日, 30a-Y-9. “SiO2/Al/Si基板上への脂質二重膜の形成と基板表面ラフネスの影響”, 鈴木翔也, 宇治原徹, 手老龍吾, 竹田美和, 2006年秋季 第67回応用物理学会学術講演会, 立命館大学, びわこ・くさつキャンパス, 2006年8月29日-9月1日, 31a-RB-7. “シングルステップ二酸化チタン表面上へのリン脂質二重膜堆積”, 手老龍吾, 宇治原徹, 宇理須恒雄, 2006年秋季 第67回応用物理学会学術講演会, 立命館大学, びわこ・くさつキャンパス, 2006年8月29日-9月1日, 31a-RB-8. “断面STMで観たInP-on-InGaAs界面の形状と組成分布：InP層厚依存性”, 叶 保明, 山川市朗, 李　祐植, 宇治原徹, 竹田美和, 中村新男, 2006年秋季 第67回応用物理学会学術講演会, 立命館大学, びわこ・くさつキャンパス, 2006年8月29日-9月1日, 31a-ZF-3. “InAsP量子ドットによる広帯域発光の波長チューニング”, 三宅信輔, 李 裕植, 河村真一, 渕 真悟, 宇治原徹, 竹田美和, 2006年秋季 第67回応用物理学会学術講演会, 立命館大学, びわこ・くさつキャンパス, 2006年8月29日-9月1日, 31a-ZF-5. “温度勾配を利用した高品質3C-SiC結晶の溶液成長”, 前川諒介, 渡辺賢司, 宇治原徹, 黒田光太郎, 竹田美和, 2006年秋季 第67回応用物理学会学術講演会, 立命館大学, びわこ・くさつキャンパス）, 2006年8月29日-9月1日, 30p-ZG-4. “GaAs/GaAsP歪み超格子偏極電子源の結晶性改善による高性能化”, 宇治原徹, 陳 博, 安井健一, 酒井良介, 山本将博, 中西 彊, 竹田美和, 電子情報通信学会, 電子デバイス/電子部品・材料/シリコン材料・デバイス研究会, 愛知県豊橋市, 豊橋技術科学大学, 2006年5月18-19日. “Er, Li共添加GaAsにおけるLiのPL発光に及ぼす影響”, 宇木大輔, 大西宏幸, 山口岳彦, 武森祐貴, 小泉淳, 宇治原徹, 竹田美和, 第53回応用物理学関係連合講演会, 武蔵工業大学, 2006年3月22-26日. “Si/SiO2基板上に形成した二元系脂質二重膜のゲル相―液晶相相分離構造の観察と制御”, 鈴木翔也, 宇治原徹, 手老龍吾, 竹田美和, 2006年春季 第53回応用物理学関係連合講演会, 武蔵工業大学世田谷キャンパス, 2006年3月22-26日, 22p-I-9. “GaAs 基板上の脂質二重膜の形成における基板表面状態の影響”, 宇治原徹, 手老龍吾, 鈴木翔也, 三宅信輔, 李 祐植, 宇理須恒雄, 竹田美和, 2006年春季 第53回応用物理学関係連合講演会, 武蔵工業大学世田谷キャンパス, 2006年3月22-26日, 22p-I-10. “Er, Li共添加GaAsにおけるLiのPL発光に及ぼす効果”, 宇木大輔, 大西宏幸, 山口岳宏, 武森祐貴, 小泉 淳, 宇治原徹, 竹田美和, 2006年春季 第53回応用物理学関係連合講演会, 武蔵工業大学世田谷キャンパス, 2006年3月22-26日, 23p-ZR-11. “光励起型VSL法によるEr,O共添加GaAsの利得測定”, 山口岳宏, 武森祐貴, 大西宏幸, 小泉 淳, 宇治原徹, 竹田美和, 2006年春季 第53回応用物理学関係連合講演会, 武蔵工業大学世田谷キャンパス, 2006年3月22-26日, 23p-ZR-12. “断面STMで観たInP-on-InGaAs界面の形状と組成分布：井戸層厚依存性”, 赤沼泰彦, 山川市朗, 李 祐植, 宇治原徹, 竹田美和, 中村新男, 2006年春季 第53回応用物理学関係連合講演会, 武蔵工業大学世田谷キャンパス, 2006年3月22-26日, 22a-Q-10. “サイズ分布とAs/P組成分布に広がりを持つInAsP量子ドットによる850 nm帯広帯域発光”, 三宅信輔, 李 祐植, 宇治原徹, 竹田美和, 2006年春季 第53回応用物理学関係連合講演会, 武蔵工業大学世田谷キャンパス, 2006年3月22-26日, 25p-T-16. “温度勾配を設けた溶液成長による低温安定相 3C-SiC 結晶の大量成長”, 前川諒介, 宇治原徹, 竹田美和, 日本金属学会2006年春期大会（第138回）, 早稲田大学, 大久保キャンパス, 2006年3月21-23日. topへ戻る
2005
●国際学会> “Electrical Properties around Grain Boundary of Poly-Crystalline Silicon for Solar Cell Evaluated Using the Conductive AFM”, T. Ujihara, K. Nakajima, Y. Takeda, 15th PVSEC, Shanghai, China, October 11-15 (2005). “Solution growth of SiC crystal with high growth rate using accelerated crucible rotation technique”, K. Kusunoki, K. Kamei, N. Okada, N. Yashiro, A. Yauchi, T. Ujihara, and K. Nakajima, International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2005 (ICSCRM2005), Pittsburgh, PA USA, September 18-23 (2005). “Growth of SiC single crystal from Si-C-(Co, Fe) ternary solution”, N. Yashiro, K. Kusunoki, K. Kamei, M. Hasebe, T. Ujihara and K. Nakajima, International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2005 (ICSCRM2005), Pittsburgh, PA USA, September 18-23 (2005). ”Analytical evaluation of growth process in a sub-micron scale selective-area growth by OMVPE”, T. Ujihara, Y. Yoshida, W. S. Lee, R. Oga, Y. Takeda, The 17th Indium Phosphide and Related Materials Conference (IPRM05), Glasgow, Scotland, UK, May 8-12 (2005). ●国内学会 “液滴へテロエピタキシーにより作製したInP量子ドット積層構造のスペーサ膜厚に発光特性”, 李 祐植, 陳 博, 三宅信輔, 宇治原徹, 竹田美和, 2005年秋季 第66回応用物理学会学術講演会, 徳島大学, 2005年9月7-11日, 9p-W-8. “液滴ヘテロエピタキシーにより作製したInP量子ドット積層構造のスペーサ膜厚による発光特性の変化”, 李 祐植, 陳 博, 三宅信輔, 宇治原徹, 竹田美和, 2005年秋季 第66回応用物理学会学術講演会, 徳島大学, 2005年9月7-11日, 10a-ZA-11. “選択成長により形成したInPメサ構造へのInAsドットの形成とサイズ均一性の向上”, 宇治原徹, 吉田義浩, 李 祐植, 竹田美和, 2005年秋季 第66回応用物理学会学術講演会, 徳島大学, 2005年9月7-11日, 10p-W-11. “As/P置換を施したGaAs上へのErPの成長と表面平坦性”, 大西宏幸, 小泉 淳, 山川市朗, 宇治原徹, 中村新男, 竹田美和, 2005年秋季 第66回応用物理学会学術講演会, 徳島大学, 2005年9月7-11日, 10a-ZA-11. “高効率スピン偏極度電子源のための高品質半導体超格子構造の設計と成長”, 陳 博, 渡辺 修, 李 祐植, 宇治原徹, 竹田美和, 山本将博, 中西 彊, 2005年秋季 第66回応用物理学会学術講演会, 徳島大学, 2005年9月7-11日, 10p-ZA-11. “自己検知AFMプローブを用いた多結晶シリコン太陽電池の局所光起電力測定”, 五十嵐考俊, 宇治原徹, 中嶋一雄, 高橋琢二, 2005年春季 第52回応用物理学関係連合講演会, 埼玉大学, 2005年3月29日-4月1日, 29p-YH-15. “OMVPE成長したEr添加GaInPの光学特性に与える成長温度の影響”, 武森祐貴, 小泉 淳, 大西宏幸, 山口岳宏, 宇治原徹, 竹田美和, 2005年春季 第52回応用物理学関係連合講演会, 埼玉大学, 2005年3月29日-4月1日, 31p-T-9. “OMVPE法によるInP選択成長における分子供給メカニズム”, 吉田義浩, 李 祐植, 宇治原徹, 竹田美和, 2005年春季 第52回応用物理学関係連合講演会, 埼玉大学, 2005年3月29日-4月1日, 31a-ZM-2. “ACRTを用いた溶液成長法によるSiC結晶成長”, 楠 一彦, 亀井一人, 岡田信宏, 矢代将斉, 八内昭博, 宇治原徹, 中嶋一雄, 2005年春季 第52回応用物理学関係連合講演会, 埼玉大学, 2005年3月29日-4月1日, 30p-YK-5. topへ戻る
2004
●国際学会 "Low growth temperature and proper solvent improving silicon crystals grown by LPE method for photovoltaic materials", T. Ujihara, Y. Satoh, K. Obara, W. Pan, K. Fujiwara, N. Usami, T. Shishido and K. Nakajima, 14th International Conference on Crystal Growth (ICCG14), Grenoble, France, August 9-13 (2004). "Growth of SiGe-on-insulator and its application as a substrate for epitaxy of strained-Si layer", N. Usami, K. Kutsukake, W. Pan, K. Fujiwara, T. Ujihara, B. Zhang, T. Yokoyama, K. Nakajima, 14th International Coference on Crystal Growth (ICCG14), Grenoble, France, August 9-13 (2004). "Control of the grain orientations of organic semiconductor PTCDA thin film crystals epitaxially grown on H-Si(111) substrate using vicinal steps", G. Sazaki, T. Fujino, N. Usami, T. Ujihara, K. Fujiwara, K. Nakajima, 14th International Coference on Crystal Growth (ICCG14), Grenoble, France, August 9-13 (2004). "Growth and properties of SiGe multicrystal with microscopic compositional distribution and their applications for high efficiency solar cells", K. Nakajima, K. Fujiwara, W. Pan, N. Usami, T. Ujihara, and T. Shishido, 14th International Coference on Crystal Growth (ICCG14), Grenoble, France, August 9-13 (2004). "Direct observation of melt growth behavior of polycrystalline silicon for solar cells", K. Fujiwara, Y. Obinata, T. Ujihara, N. Usami, W. Pan, G. Sazaki and K. Nakajima, 14th International Coference on Crystal Growth (ICCG14), Grenoble, France, August 9-13 (2004). "Restraining polycrystallization of multicomponent semiconductors using seed crystals with preferential orientation determined by the growth with seed crystals of random orientations", Y. Azuma, Y. Nishijima, N. Usami, K. Fujiwara, T. Ujihara, K. Nakajima, 14th International Coference on Crystal Growth (ICCG14), Grenoble, France, August 9-13 (2004). "Local Photovoltage Mapping on Polycrystalline Silicon Solar Cells through Electrostatic Force Detected by AFM with Piezoresistive Cantilever", T. Igarashi, T. Ujihara and T. Takahashi, 12th International Colloquium on Scanning Probe Microscopy (ICSPM12), Izu, Japan, December 9-11 (2004). "Low growth temperature avoiding the degradation of solar cell property on silicon crystals by LPE method", T. Ujihara, Y. Satoh, K. Obara, W. Pan, K. Fujiwara, N. Usami, T. Shishido, 19th European Photovoltaic Solar Energy Conference (EUPVSEC19), Paris France, June 7-11 (2004). "Systematic Variation of Si Spacer Width in Solar Cells with Stacked Ge Islands and its Effect on Photovoltaic Performance", N. Usami, A. Alguno, W. Pan, K. Sawano, K. Fujiwara, T. Ujihara, Y. Shiraki, K. Nakajima, 19th European Photovoltaic Solar Energy Conference (EUPVSEC19), Paris France, June 7-11 (2004). ●国内学会 “液滴ヘテロエピタキシー法によるGaInP上InP量子ドットの形成と光学的特性の評価”, 李 祐植, 大賀 涼, 内田夏苗, 吉田義浩, 宇治原徹, 竹田美和, 2004年秋季 第65回応用物理学会学術講演会, 東北学院大泉キャンパス, 2004年9月1-4日, 2p-ZK-13. “SiGe多結晶太陽電池の効率増加の要因に関して”, 宇佐美徳隆, 藤原航三, 藩 伍根, 宇治原徹, 下川隆一, 中嶋一雄, 2004年秋季 第65回応用物理学会学術講演会, 東北学院大泉キャンパス, 2004年9月1-4日, 1a-ZL-7. “Si-Ti-C3元系溶液を用いた6H-SiC結晶の溶液成長”, 矢代将斉, 楠 一彦, 亀井一人, 長谷部光弘, 宇治原徹, 中嶋一雄, 2004年秋季 第65回応用物理学会学術講演会, 東北学院大泉キャンパス, 2004年9月1-4日, 4a-K-1. “PTCDA薄膜の形態に及ぼす基板−有機薄膜間相互作用力の効果”, 西方 督, 佐崎 元, 郡司 敦, 藩 伍根, 宇佐美徳隆, 宇治原徹, 藤原航三, 中嶋一雄, 3月28日, 2004年春季 第51回応用物理学関係連合講演会, 東京工科大学, 2004年3月28-31日, 28p-ZF-13. “HOPG基板上の銅フタロシアニンエピタキシャル薄膜結晶に及ぼすアニーリング効果”, 郡司 敦, 西方 督, 宇佐美徳隆, 宇治原徹, 佐崎 元, 中嶋一雄, 2004年春季 第51回応用物理学関係連合講演会, 東京工科大学, 2004年3月28-31日, 28p-ZF-14. “太陽電池用多結晶Siの方位制御”, 藤原航三, 澤田幸平, 宇治原徹, 藩 伍根, 宇佐美徳隆, 中嶋一雄, 2004年春季 第51回応用物理学関係連合講演会, 東京工科大学, 2004年3月28-31日, 28p-P4-3. “コンダクティブAFMを用いた太陽電池用多結晶シリコン粒界近傍の電気特性評価”, 宇治原徹, 寺山剛司, 渡 元, 藩 伍根, 藤原航三, 佐崎 元, 宇佐美徳隆, 中嶋一雄, 2004年春季 第51回応用物理学関係連合講演会, 東京工科大学, 2004年3月28-31日, 28p-P4-4. “太陽電池用ミクロ分散的組成分布を有する多結晶SiGeの成長”, 藤原航三, 藩 伍根, 宇佐美徳隆, 宇治原徹, 中嶋一雄, 2004年春季 第51回応用物理学関係連合講演会, 東京工科大学, 2004年3月28-31日, 28p-P4-12. “ミクロ分散的組成分布を有する高効率多結晶SiGe太陽電池の実現”, 藩 伍根, 藤原航三, 宇佐美徳隆, 宇治原徹, 中嶋一雄, 2004年春季 第51回応用物理学関係連合講演会, 東京工科大学, 2004年3月28-31日, 28p-P4-13. “LPE法により作製したSi結晶の太陽電池特性と低温成長の有効性”, 佐藤祐輔, 宇治原徹, 藩 伍根, 藤原航三, 佐崎 元, 宇佐美徳隆, 中嶋一雄, 2004年春季 第51回応用物理学関係連合講演会, 東京工科大学, 2004年3月28-31日, 28p-P4-15. “優先方位種結晶を利用することによるSiGeバルク結晶の多結晶化の抑制”, 我妻幸長, 宇佐美徳隆, 藤原航三, 宇治原徹, 中嶋一雄, 2004年春季 第51回応用物理学関係連合講演会, 東京工科大学, 2004年3月28-31日, 28p-ZC-3. “GaAs(110)種結晶を利用したInGaAsバルク単結晶の成長”, 我妻幸長, 西嶋由人, 宇佐美徳隆, 藤原航三, 宇治原徹, 中嶋一雄, 2004年春季 第51回応用物理学関係連合講演会, 東京工科大学, 2004年3月28-31日, 28p-ZC-4. “空間分解ラマン分光によるSGOI上Siの歪み分布の解析”, 沓掛健太朗, 宇佐美徳隆, 宇治原徹, 佐崎 元, 藤原航三, 横山敬志, 中嶋一雄, 2004年春季 第51回応用物理学関係連合講演会, 東京工科大学, 2004年3月28-31日, 30a-YL-8. “太陽電池効率改善におけるGe島状結晶の効果”, アルグノアーノルド, 宇佐美徳隆, 藩 伍根, 宇治原徹, 藤原航三, 佐崎 元, 澤野憲太郎, 白木靖寛, 横山敬志, 中嶋一雄, 2004年春季 第51回応用物理学関係連合講演会, 東京工科大学, 2004年3月28-31日, 30p-YL-7. “SiGe多結晶の局所構造と太陽電池特性との相関”, 宇佐美徳隆, 藤原航三, 藩 伍根, ウルブリヒトロナウド, 宇治原徹, 中嶋一雄, 2004年春季 第51回応用物理学関係連合講演会, 東京工科大学, 2004年3月28-31日, 30p-YL-8. “金属溶媒を用いた6H-SiC自立結晶の溶液成長”, 楠 一彦, 宗藤伸治, 亀井一人, 長谷部光弘, 宇治原徹, 中嶋一雄, 2004年春季 第51回応用物理学関係連合講演会, 東京工科大学, 2004年3月28-31日, 28a-YL-5. “液相エピタキシャル法によりマイクロパイプ上に成長した6H-SiCホモエピ層の結晶性評価”, 宇治原徹, 宗藤伸治, 楠 一彦, 亀井一人, 藤原航三, 佐崎 元, 宇佐美徳隆, 中嶋一雄, 2004年春季 第51回応用物理学関係連合講演会, 東京工科大学, 2004年3月28-31日, 28a-YL-6. “有機半導体薄膜結晶の粒成長制御について”, 佐崎 元, 郡司 敦, 西方 督, 宇佐美徳隆, 藩 伍根, 宇治原徹, 藤原航三, 中嶋一雄, 2004年春季 第51回応用物理学関係連合講演会, 東京工科大学, 2004年3月28-31日, 30p-A-5. topへ戻る
2003
●国際学会 "Crystal quality evaluation of 6H-SiC layers grown by liquid phase epitaxy around micropipes using micro-Raman scattering spectroscopy", T. Ujihara, S. Munetoh, K. Kusunoki, K. Kamei, N. Usami, K. Fujiwara, G. Sazaki, and K. Nakajima, International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2003 (ICSCRM2003), Lyon, France, October 5-10 (2003). "Solution growth of self standing 6H-SiC single crystal using metal solvent", K. Kusunoki, S. Munetoh, K. Kamei, M. Hasebe, T. Ujihara and K. Nakajima, International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2003 (ICSCRM2003), Lyon, France, October 5-10 (2003). "TEM studies on the initial stage of seeded solution growth of 6H-SiC using metal solvent", K. Kamei, K. Kusunoki, S. Munetoh, T. Ujihara and K. Nakajima, International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2003 (ICSCRM2003), Lyon, France, October 5-10 (2003). "Melt Growth of SiGe Bulk Crystals with Uniform Composition and SiGe Multicrystals with Microscopic Compositional Distribution for New Si/SiGe Heterostructural Solar Cells", K. Nakajima, K. Fujiwara, Y. Azuma, N. Usami, T. Ujihara, G. Sazaki, The Fourth Romanian Conference on Advanced Materials, Constanta, Romania, September 15-18 (2003). "Control of the Grain Orientations of Organic Semiconductor PTCDA Thin Film Crystals Epitaxially Grown on Hydrogen-Terminated Si(111) Substrate", G. Sazaki, T. Fujino, N. Usami, T. Ujihara, K. Fujiwara, K. Nakajima, The Fourth Romanian Conference on Advanced Materials, Constanta, Romania, September 15-18 (2003). "Prediction of strain induced poly-crystallization during crystal growth", T. Ujihara, K. Fujiwara, G. Sazaki, N. Usami, K. Nakajima, Fifteenth American Conference on Crystal Growth and Epitaxy, Keystone, Colorado, July 20-24 (2003). "Way to choose appropriate solvents to prepare high-quality crystalline-silicon layers by LPE method for photovoltaic materials", T. Ujihara, K. Obara, K. Fujiwara, G. Sazaki, N. Usami, T. Shishido, K. Nakajima, Fifteenth American Conference on Crystal Growth and Epitaxy, Keystone, Colorado, July 20-24 (2003). "In situ observation of solid-liquid interface during crystal growth from silicon melt", K. Fujiwara, T. Ujihara, N. Usami, G. Sazaki, and K. Nakajima, Fifteenth American Conference on Crystal Growth and Epitaxy, Keystone, Colorado, July 20-24 (2003). "Way to choose appropriate solvents to prepare high-quality crystalline-silicon layers by LPE method for photovoltaic materials", T. Ujihara, K. Obara, K. Fujiwara, G. Sazaki, N. Usami, T. Shishido, K. Nakajima, Fifteenth American Conference on Crystal Growth and Epitaxy, Keystone, Colorado, July 20-24 (2003). "Growth and properties of SiGe multicrystals with microscopic compositional distribution for new Si/SiGe heterostructural solar cells", K. Nakajima, K. Fujiwara, N. Usami, T. Takahashi, T. Ujihara, G. Sazaki, T. Shishido, Fifteenth American Conference on Crystal Growth and Epitaxy, Keystone, Colorado, July 20-24 (2003). "Observation of geometrical selection of SiGe bulk crystal using EBSP measurement and its utilization for restraining polycrystallization", Y.Azuma, N. Usami, K. Fujiwara, T. Ujihara, G. Sazaki, Y. Murakami, K. Nakajima, Fifteenth American Conference on Crystal Growth and Epitaxy, Keystone, Colorado, July 20-24 (2003). "How to grow a protein crystal of better quality: proposals from crystal growth physics", G. Sazaki, T. Matsui, T. Ujihara, K. Fujiwara, N. Usami, K. Nakajima, Crystallogenesis and Protein Crystallography, Mexico City, Mexico, June 23-26 (2003). "Fabrication of solar cell with stacked Ge islands for enhanced absorption in the infrared regime", N. Usami, A. Alguno, K. Fujiwara, T. Ujihara, G. Sazaki, K. Nakajima, and *Y. Shiraki, in European Materials Research Society 2003 Spring Meeting, Strasbourg, France, June 10-13 (2003). "Structure and property of directionally grown SiGe multicrystals with microscopic compositional distribution", K. Fujiwara, T. Takahashi, N. Usami, T. Ujihara, G. Sazaki and K. Nakajima, 3rd World Conference on Photovoltaic Energy Conversion, Osaka, May 11-18 (2003). "Direct observations of crystal growth from silicon", K. Fujiwara, K. Nakajima, T. Ujihara, N. Usami, G. Sazaki, H. Hasegawa, S. Mizoguti and K.Nakajima, 3rd World Conference on Photovoltaic Energy Conversion, Osaka, May 11-18 (2003). "Spatial distribution of composition and strain in multicrystalline SiGe bulk crystal and their impact on solar cell application", N. Usami, T. Takahashi, A. Alguno, K. Fujiwara, T. Ujihara, G. Sazaki, and K. Nakajima, 3rd World Conference on Photovoltaic Energy Conversion, Osaka, May 11-18 (2003). "What is the most important growth parameter on crystal quality of the silicon layer by LPE method?", T. Ujihara, K. Obara, N. Usami, K. Fujiwara, G. Sazaki, T. Shishido, K. Nakajima, Proc. 3rd World Conference on Photovoltaic Energy Conversion Joint Conference of 13th International PV Science & Engineering Conference30th IEEE PV Specialists Conference 18th European PV Solar Energy Conference, Osaka International Convention Center (Grand Cube, Osaka) Osaka, Japan, May 11-18 (2003). "Impact of the annealing temperature on the homogeneity of SiGe-on-insulator", N. Usami, K. Kutsukake, K. Fujiwara, T. Ujihara, G. Sazaki, S. Ito, B. P. Zhang *and K. Nakajima, The Third International Conference on SiGe(C) Epitaxy and Heterostructures, Santa Fe, New Mexico, U.S.A, March 9-12 (2003). "Epitaxial structure and growth behavior of organic semiconductor thin film crystals on hydrogen terminated Si(111) substrate", G. Sazaki, T. Fujino, K. Fujiwara, T. Ujihara, N. Usami, and K. Nakajima, First Kyoto Workshop on Computational Materials Science, Kyoto University, March 1-4 (2003). "Local strain in multicrystalline-SiGe and its impact on the band structure", N. Usami, T. Takahashi, K. Fujiwara, T. Ichitsubo, T. Ujihara, G. Sazaki, and K. Nakajima, First Kyoto Workshop on Computational Materials Science, Kyoto University, March 1-4 (2003). "Fabrication of SiGe-on-insulator by rapid thermal annealing of Ge thin film on Si-on-insulator substrate", K. Kutsukake, N. Usami, T. Ujihara, K. Fujiwara, G. Sazaki, K. Nakajima, B. P. Zhang, and Y. Segawa, First International SiGe Technology and Device Meeting, Nagoya, Japan, January 15-17 (2003). ●国内学会 “多結晶シリコンの融液成長過程のその場観察と方位決定メカニズム”, 藤原航三, 大日方善一, 宇治原徹, 宇佐美徳隆, 佐崎 元, 中嶋一雄, 第６４回応用物理学関係連合講演会, 福岡大学, 七隈キャンパス, 2003年8月30日-9月2日, 31p-D-3. “SiGeバルク結晶の面方位競合関係の観察及びその多結晶化の抑制への応用”, 我妻幸長, 宇佐美徳隆, 藤原航三, 宇治原徹, 佐崎 元, 村上義弘, 中嶋一雄, 第６４回応用物理学関係連合講演会, 福岡大学, 七隈キャンパス, 2003年8月30日-9月2日, 30a-P1-27. “多結晶SiGeおよび多結晶Siの融液成長過程のその場観察”, 藤原航三, 大日方善一, 宇治原徹, 宇佐美徳隆, 佐崎 元, 中嶋一雄, 第６４回応用物理学関係連合講演会, 福岡大学, 七隈キャンパス, 2003年8月30日-9月2日, 31a-H-1. “Ga溶媒を用いた太陽電池用LPE-Si結晶のライフタイム成長温度依存性”, 佐藤祐輔, 宇治原徹, 小原和夫, 藤原航三, 佐崎 元, 宇佐美徳隆, 宍戸統悦, 中嶋一雄, 第６４回応用物理学関係連合講演会, 福岡大学, 七隈キャンパス, 2003年8月30日-9月2日, 31a-H-3. “空間分解ラマン分光によるSGOI中HF欠陥の解析”, 沓掛健太朗, 宇佐美徳隆, 宇治原徹, 藤原航三, 佐崎 元, 中嶋一雄, 第６４回応用物理学関係連合講演会, 福岡大学, 七隈キャンパス, 2003年8月30日-9月2日, 31a-H-5. “積層Geドットを利用した太陽電池のSiスペーサ層厚が量子効率に及ぼす影響”, アルグノアーノルド, 宇佐美徳隆, 藤原航三, 宇治原徹, 澤野憲太郎, 佐崎 元, 白木靖寛, 中嶋一雄, 第６４回応用物理学関係連合講演会, 福岡大学, 七隈キャンパス, 2003年8月30日-9月2日, 31p-H-10. topへ戻る
2002
●国際学会 "Growth and optical properties of SiGe multicrystals with microscopic compositional distribution for new Si/SiGe heterostructural solar cells", K. Nakajima, N. Usami, K. Fujiwara, T. Takahashi, T. Ujihara, G. Sazaki, and T. Shishido, in PV in Europe from PV Technology to Energy Solutions Conference and Exhibition, Palazzo dei Congressi, Rome, Italy, October 7-11 (2002). "Effect of growth temperature on surface morphology and crystal quality of Si thin-film by liquid phase epitaxial growth technique", T. Ujihara, E. Kanda, K. Fujiwara, G. Sazaki, N. Usami, K. Nakajima, PV in Europe from PV Technology to Energy Solutions Conference and Exhibition, Palazzo dei Congressi, Roma, Italy, October 7-11 (2002). "Impurity effect on the quality of protein crystals evaluated by the X-ray diffraction method: dependency on the supersaturation" T. Matsui, G. Sazaki, T. Sato, T. Ujihara, K. Fujiwara, N.Usami, K. Nakajima, in the 5th China-Japan Workshop on Microgravity Sciences, Dunhuang, Gansu Province, China, September 3-6 (2002). "Built-in strain modulation in multicrystalline SiGe with microscopic compositional distribution", N. Usami, T. Takahashi, K. Fujiwara, T. Ujihara, G. Sazaki, and K. Nakajima, 26 th International Conference on Physics of Semiconductors, Edinburgh, UK, July 29-August 2 (2002). "Growth of SiGe bulk crystal with uniform composition by utilizing in situ monitoring of the crytal-solution interface", N. Usami, Y. Azuma, K. Fujiwara, T. Ujihara, G. Sazaki, Y. Murakami, and K. Nakajima, in the First International Symposium on Crystal Science and Technology, Yamanashi Univ.,Kofu, Japan, June 5 (2002). "Fabrication of SiGe substrate with uniform composition and its application to strain-controlled epitaxy for group-IV heterostructures", N. Usami, K. Kutsukake, Y. Azuma, K. Fujiwara, T. Ujihara, G. Sazaki, Y. Murakami, K. Nakagawa, and K. Nakajima, in the second international workshop on new group-IV semiconductors, Kofu, Japan, June 2-4 (2002). "Si/multicrystalline-SiGe heterostructure as a candidate for solar cells with high conversion efficiency", N Usami, T. Takahashi, K. Fujiwara, T. Ujihara, G. Sazaki, Y. Murakami, and K. Nakajima, in 29th IEEE Photovoltaic Specialists Conference, New Orleans, Louisiana, USA, May 20-24 (2002). "Grain growth of polycrystalline Si thin film for solar cells and its crystal properties", T. Ujihara, E. Kanda, K. Fujiwara, G. Sazaki, N. Usami, Y. Murakami, K. Kitahara, and K. ajima, in 29th IEEE Photovoltaic Specialists Conference, New Orleans, Louisiana, USA, May 20-24 (2002). "Mechanism of improvement in the quality of protein crystals by a homogeneous magnetic field", G. Sazaki, T. Matsui, T. Senda, T. Sato, Y. Matsuura, E. Kubota, T. Kazuoka, T. Ohshima, T. Ujihara, K. Fujiwara, N. Usami, K. Nakajima, M. Motokawa, in the 9th International Conference on Crystallization of Biological Macromolecules, Jena, Germany, March 23-28 (2002). "In-situ Measurement of the Marangoni Convection in a NaCl Aqueous Solution under Microgravity", G. Sazaki, S. Miyashita, M. Nokura, T. Matsui, T. Ujihara, K. Fujiwara, N. Usami, K. Nakajima, in the 9th International Conference on Crystallization of Biological Macromolecules, Jena, Germany, March 23-28 (2002). "Estimation of the quality of lysozyme crystal grown under controlled driving force", T Matsui, G. Sazaki, Takao Sato, T. Ujihara, K. Fujiwara, N. Usami, K. Nakajima, in the 9th International Conference on Crystallization of Biological Macromolecules, Jena, Germany, March 23-28 (2002). "Melt growth of SiGe bulk crystals with uniform composition and SiGe multicrystals with microscopic compositional distribution for heterostructure device applications", K. Nakajima, Y. Azuma, N. Usami, T. Ujihara, G. Sazaki, T. Takahashi, K. Fujiwara, and T. Shishido, in International Forum on Science and Technology of Crystal Growth, Sendai, Japan, March 3-4 (2002). "Mechanism of improvement in the quality of protein crystals by applying homogeneous magnetic field during the crystal growth", G. Sazaki, T. Matsui, T. Sato, Y. Matsuura, T.Senda, N. Igarashi, M. Tanaka, T. Ujihara, K. Fujiwara, N. Usami, H. Komatsu, and M. Motokawa, in the 2nd Japan-Netherlands Seminor on Crystal Growth: Theory and In-Situ Measurements, Akiu, Sendai, Japan, January 14-17 (2002). topへ戻る
2001
●国際学会 "Control of the compositional distribution of SiGe bulk crystal for ptoelectronic Applications", N. Usami, Y. Azuma, T. Takahashi, K. Fujiwara, T. Ujihara, G. Sazaki, Y. Murakami, K. Nakajima, in The 17th Korean Association of Crystal Growth Fall meeting, Hanseo University, Seosan, Korea, November 8-10 (2001). "New determination method for mutual diffusion coefficient of metal and semiconductor solutions based on Fick’s first law", T. Ujihara, K. Fujiwara, G. Sazaki, N. Usami and K. Nakajima, in Eleventh International Conference on Liquid and Amorphous Metals (LAM11), Yokohama, Japan, September 9-14 (2001). "Growth of SiGe bulk crystal with compositional uniformity over 20mm by controlling the growth temperature utilizing in situ monitoring system", K. Nakajima, Y. Azuma, N. Usami, T. Ujihara, G. Sazaki, K. Fujiwara, Y. Murakami, and T. Shishido, in Thirteenth American Conference on Crystal Growth and Epitaxy, Burlington, Vermont, USA, August 12-16 (2001). "Realization of SiGe bulk crystal with compositional uniformity over 20mm by controlling the growth temperature utilizing in situ monitoring system", Y. Azuma, N. Usami, T. Ujihara, G. Sazaki, K. Fujiwara, Y. Murakami, and K. Nakajima, in the Thirteenth International conference on Crystal Growth in Conjunction with the Eleventh International Conference on Vapor Growth and Epitaxy, July 30-August 4 (2001). "Optical and structural characterizations of SiGe bulk crystal grown by the multicomponent zone-melting method as a substrate for strain-controlled Si-based functional films", N. Usami, Y. Azuma, T. Ujihara, G. Sazaki, K. Fujiwara, and K. Nakajima, in the Thirteenth International Conference on Crystal Growth in Conjunction with the Eleventh International Conference on Vapor Growth and Epitaxy, July 30-August 4 (2001) . "New method for determination of mutual diffusion coefficient in metal and semiconductor solutions using in-situ composition measurement technique", T. Ujihara, G. Sazaki, K. Fujiwara, N. Usami, and K. Nakajima, in The Thirteenth International Conference on Crystal Growth in Conjunction with The Eleventh International Conference on Vapor Growth and Epitaxy, Kyoto, Japan, July 30-August 4 (2001). "Effects of a magnetic field on crystal growth processes of biological molecules", G. Sazaki, S. Yanagiya, T. Sato, Y. Matsuura, N. Igarashi, M. Tanaka, S.D. Durbin,S. Miyashita, T. Ujihara, K. Fujiwara, N. Usami, H. Komatsu, K. Nakajima, and M. Motokawa, in The Thirteenth International Conference on Crystal Growth in Conjunction with The Eleventh International Conference on Vapor Growth and Epitaxy, Kyoto, Japan, July 30-August 4 (2001). "In-situ observation of the Marangoni convection in a NaCl aqueous soution under microgravity", G. Sazaki, S. Miyashita, M. Nokura, T. Ujihara, K. Fujiwara, N. Usami, and K. Nakajima, in The Thirteenth International Conference on Crystal Growth in Conjunction with The Eleventh International Conference on Vapor Growth and Epitaxy, Kyoto, Japan, July 30-August 4 (2001). "In-situ monitoring system of the position and temperature at the crystal-solution interface", G. Sazaki, Y. Azuma, N. Usami, T. Ujihara, K. Fujiwara, S. Miyashita, and K. Nakajima, in The Thirteenth International Conference on Crystal Growth in Conjunction with The Eleventh International Conference on Vapor Growth and Epitaxy, Kyoto, Japan, July 30-August 4 (2001). "Melt growth of multicrystalline SiGe with large compositional distribution for new solar cell applications", K. Nakajima, N. Usami, K. Fujiwara, Y. Murakami, T. Ujihara, G. Sazaki, and T. Shishido, in European Materials Research Society 2001 Spring Meeting, Strasbourg, France, June 5-8 (2001) "Fabrication of SiGe bulk crystals with uniform composition as substrates for Si-based heterostructures", N. Usami, Y. Azuma, T. Ujihara, G. Sazaki, K. Fujiwara, Y. Murakami, and K. Nakajima, in European Materials Research Society 2001 Spring Meeting, Strasbourg, France, June 4-8 (2001). "Growth of SiGebulk crystal with uniform composition", N. Usami, Y. Azuma, T. Ujihara, G. Sazaki, K. Fujiwara, and K. Nakajima, in UK-Japan Co-operative seminar on Electronic Materials and Devices, St. Albains, UK, March 7-9 (2001). "In-situ measurement of concentration distributions in a high temperature solution", T. Ujihara, G. Sazaki, K. Fujiwara, N. Usami, and K. Nakajima, in The University of Tokyo and National Cheng Kung University Joint Workshop on Advanced Semiconductor Materials and Devices, Tainan, Taiwan, March 15 (2001). "Growth of SiGe bulk crystal with uniform composition by the muticomponent zone-melting method", N. Usami, Y. Azuma, T. Ujihara, G. Sazaki, K. Fujiwara, and K. Nakajima, in The University of Tokyo and National Cheng Kung University Joint Workshop on Advanced Semiconductor Materials and Devices, Tainan, Taiwan, March 15 (2001). "Successful fabrication of SiGe bulk crystal with uniform composition as a substrate for Si-based heterostructures", Y. Azuma, N. Usami, T. Ujihara, G. Sazaki, Y. Murakami, K. Fujiwara, S. Miyashita and K. Nakajima, in First International Workshop on New Group IV (Si-Ge-C) Semiconductors: Control of Properties and Applications to Ultrahigh Speed and Opto-Electronic Devices, Sendai, Japan, January 21-23 (2001). topへ戻る
2000
●国際学会 "Magnetic damping of the convection in an "aqueous" solution and enhancement in protein crystal perfection under magnetic field", G. Sazaki, T. Sato, Y. Matsuura, N. Igarashi, M. Tanaka, S. Miyashita, T. Ujihara, N. Usami, and K. Nakajima, The 1st Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology, Sendai, Japan, August 29-September 1 (2000). "Development of in-situ monitoring system of the position and temperature at the crystal-solution interface", G. Sazaki, T. Ujihara, Y. Azuma, S. Miyashita, N. Usami, and K. Nakajima, The 1st Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology, Sendai, Japan, August 29-September 1 (2000). "In-situmeasurement of concentration distribution of zinc in a gallium solution using the X-ray fluorescence spectrometry", T. Ujihara, S. Miyashita, G. Sazaki, N. Usami, and K. Nakajima, The 1st Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology, Sendai, Japan, August 29-September 1 (2000). " Phase diagram calculation for epitaxial growth of GaInAs on InP considering the surface, interface and strain energies", K. Nakajima, T. Ujihara, S. Miyashita, and G. Sazaki, in Twelfth American Conference on Crystal Growth and Epitaxy, Vail , Colorado, USA, August 13-18 (2000). "Effects of a magnetic field on the growth and dissolution rates of protein crystals: magnetic damping of natural convection", G. Sazaki, S. Yanagiya, S.D. Durbin, S. Miyashita, T. Ujihara, K. Nakajima, and M. Motokawa, the Eighth International Conference on Crystallization of Biological Macromolecules, Sandestin, Florida, USA, May 14-19 (2000). "Novel approach to control convection in an aqueous solution using a homogeneous magnetic field", G. Sazaki, S. Miyashita, T. Ujihara, N. Usami, K. Nakajima, the Fourth Japan-Canada Microgravity Workshop, Dunsmuir Lodge, Victoria, Canada, May 11-12 (2000). "Effects of the dislocation density and surface energy on phase diagrams of the S-K mode for the GaInN/GaN and GaPSb/GaP systems", K. Nakajima, T. Ujihara, S. Miyashita, and G. Sazaki, in Materials Research Society 2000 Spring Meeting, San Francisco, California, USA, April 24-28 (2000). topへ戻る
1999〜
●国際学会 "Effects of a magnetic field on the convection ina NaCl aqueous solution", G. Sazaki, S. Yanagiya, S. Miyashita, T. Ujihara, K. Nakajima, H. Komatsu, and M. Motokawa, the International Workshop on Chemical, Physical and Biological Processes under High Magnetic Fields, Omiya, Saitama, Japan, November 24-26, (1999). "Phase diagrams of the Stranski-Krastanov mode for III-V ternary quantum dots", K. Nakajima, T. Ujihara, S. Miyashita, G. Sazaki, in 1999 Xianshan Science Conferences on Photonics and Nonlinear Optical Crystals, Beijing, China, November 1-4 (1999). "Effects of a magnetic field on the protein crystallization", G. Sazaki, S. Yanagiya, S. Miyashita, T. Ujihara, K. Nakajima, H. Komatsu, K. Watanabe and M. Motokawa, in Recent Advancement in the Macromolecular Crystallization, San Diego, California, USA, August 22-25 (1999). "Effects of hydrostatic pressure on the growth kinetics of tetragonal and orthorhombic lysozyme crystals", G. Sazaki, Y. Nagatoshi, Y. Suzuki, S. Miyashita, T. Ujihara, K. Nakajima and H. Komatsu, in Recent Advancement in the Macromolecular Crystallization, San Diego, California, USA, August 22-25 (1999). "Phase diagrams and stable structures for Stranski-Krastanov mode of III-V ternary quantum dots", K. Nakajima, T. Ujihara, S. Miyashita and G. Sazaki, in the ’99 International Conference of The Korean Association of Crystal Growth (KACG) and 6th Korea-Japan Electronic Materials Growth Symposium (K-J EMGS), Seoul, Korea, June 6-9 (1999) topへ戻る