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招待講演・セミナー講師　

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2018--2017--2016--2015--2014--2013--2012--2011--2010--2009 --2007--2003--2002 --2001

2019
"Machine Learning for SiC top-seeded solution growth- Prediction, Optimization and Visualization", Toru Ujihara, Yosuke Tsunooka, Goki Hatasa, Can Zhu, Kentaro Kutsukake, Taka Narumi, Shunta Harada, Miho Tagawa, May 2, CS-MANTECH in Hyatt Regency Minneapolis, Minneapolis, April 29 - May 2(2019), 17.3, (Invited Presentation). "結晶成長における機械学習の活用（SiC溶液成長を例にして）"， 宇治原徹, 2019年 日本セラミックス協会，東京工業大学 大岡山キャンパス，2019年4月12日，(招待講演). "顕微ラマン分光法によるGaN中の転位欠陥解析と機械学習の活用"， 宇治原徹, 小久保信彦, 角岡洋介, 藤榮文博, 井爪将, 恩田正一, 山田永, 清水三聡, 原田俊太, 田川美穂, 2019年 第66回応用物理学会春季学術講演会，2019年3月9日，東京工業大学 大岡山キャンパス，2019年3月9日〜12日, [9p-W541-2], (招待講演). "機械学習による結晶成?モデリングと最適条件?動取得(SiC溶液成?を例に)"， 宇治原徹, 中部イノベネット平成30年度 第2回窓口コーディネーター会議，名古屋栄ビルディング特別会議室，2019年2月26日，(招待講演). topへ戻る
2018
"機械学習による結晶成長モデリングと最適条件自動取得（SiC溶液成長を例に）"， 宇治原徹, 結晶成長解析セミナー2018，横浜ビジネスパーク，2018年12月7日, (招待). "Thermal conduction in Magneli phase titanium oxides with an ordered arrangement of planar defects"， 原田俊太, 第30回 相変化研究会シンポジウム(PCOS2018)，2018年12月6日〜7日，黒部市宇奈月国際会館，2018年12月7日, (招待). "Machine Learning for SiC top-seeded solution growth- Prediction, Optimization and Visualization -"， Toru Ujihara, 国際シンポジウムMSST2018(The 7th International Symposium on Materials Science and Surface Technology 2018)，関東学院大学，2018年12月6日, IL02 (Invited Talk). "樹脂の熱伝導率を向上させるAlN ウィスカーフィラーについての開発"， 宇治原徹, 第29回フィラーシンポジウム，2018年11月29日〜30日，ホテルグランテラス富山，2018年11月29日, (招待講演). "Solution Growth of High-Quality SiC Crystals for Power Devices"， S. Harada, October 23, 第６回日中結晶成.結晶工学討論会(日中シンポ)，千里ライフサイエンスセンター サイエンスホール, October 21-24(2018), invited. "ラマン分光法によるGaN単結晶における貫通転位の歪み場解析"， 小久保信彦, 角岡洋介, 藤榮文博, 大原淳士, 恩田正一,山田永, 清水三聡, 原田俊太, 田川美穂, 宇治原徹, 2018年 第79回応用物理学会秋季学術講演会, 2018年9月18日, 名古屋国際会議場, 2018年9月18日〜21日, [18a-146-7],(招待講演). "AI技術で結晶成長研究開発を桁違いに高速にする -SiC結 晶成長を例にして-"， 宇治原徹, 2018年 第79回応用物理学会秋季学術講演会, 2018年9月18日, 名古屋国際会議場, 2018年9月18日〜21日, [18p-CE-4],(招待講演). "溶液成長法による高品質SiC結晶成長と機械学習の活用", 宇治原 徹, 大阪電気通信大学エレクトロニクス基礎研究所ワークショップ 界面・ナノ構造・結晶成長への機械学習の応用と実践, 大阪電気通信大学, 2018年7月21日, 招待講演. "Process Design of SiC Solution Growth with Machine Learning Technology"， T. Ujihara, July 10, Asia-Pacific Conference on Silicon Carbide and Related Materials（APCSCRM2018），Beijing，July 9-11(2018), invited. "機械学習を活用した高品質SiC溶液成長法の開発とその応用", 宇治原 徹, 産総研・名大 GaN-OILシンポジウム2018, 名古屋大学, 2018年5月23日, 講演. "裸眼で拡張現実！！プロジェクションマッピングとAIで世界最先端研究を丸見えに", 尾崎竜二, 北川 正義, 宇治原 徹, Unite Tokyo 2018, 東京国際フォーラム, 2018年5月9日, 講演. "SiCの結晶成長と加工における機械学習の活用例", 宇治原 徹, 公益社団法人精密工学会 プラナリゼーションCMPとその応用技術専門委員会 第165回研究会, プラザエフ, 2018年4月25日, 講演. "超高品質SiC溶液成長法の開発と機械学習を用いた高度化", 宇治原 徹, 第305回 新規事業研究会, 東京工業大学, 2018年4月21日, 講演. "機械学習を活用した最適成長条件の探索と大口径化に向けた検討"， 宇治原徹, 日本結晶成長学会第102回バルク成長分科会研究会, 2018年3月28日, 名古屋大学, 2018年3月28日, (招待講演). "SiC溶液成長における欠陥変換による高品質化"， 原田俊太, 日本結晶成長学会第102回バルク成長分科会研究会, 2018年3月28日, 名古屋大学, 2018年3月28日, (招待講演). "結晶成長プロセスにおける高速最適化と可視化技術"， 宇治原徹, 金属学会シンポジウム 材料評価・プロセスにおける「使える」インフォマティクス, 2018年2月9日, 名古屋大学 野依記念学術記念交流館, 2018年2月9日, (招待講演). topへ戻る
2017
"樹脂の熱伝導率を向上させるＡｌＮウィスカーフィラー", 宇治原 徹, 平成29年度窒化物等次世代半導体実用化情報提供セミナー, 名古屋工業大学, 2017年12月26日, 講演. "樹脂の熱伝導率を向上させるＡｌＮウィスカーフィラー", 宇治原 徹, 中部経済産業局「地域中核企業創出・支援事業」研究会 「半導体デバイスの熱対策に必要な技術の探索」, 名古屋大学, 2017年12月21日, 講演. "AI 技術で新素材の合成過程を「丸見え」にする", 宇治原 徹, 第13回協定講座シンポジウム　「計算機科学と情報科学を活用した研究の新展開」, 神戸大学六甲台第２キャンパス, 2017年12月20日, 講演. "可視光励起光電子分光による伝導帯キャリアの直接観測", 宇治原 徹, （独）日本学術振興会「結晶加工と評価技術」第 145 委員会　第156回研究会, 明治大学 駿河台キャンパス, 2017年12月14日, 講演. "結晶成長におけるプロセスインフォマティクスの試み（SiC溶液成長を例に）", 宇治原 徹, 第２２回結晶工学セミナー 結晶工学 × データサイエンス, 工学院大学 新宿キャンパス, 2017年12月12日, 基調講演. "結晶成長プロセスにおける機械学習・可視化技術− 省エネ半導体材料SiCへの応用 −", 宇治原 徹, 第19回 名古屋大学-NTT 技術交流会, ANAクラウンプラザホテル, 2017年11月14日, 講演. "高熱伝導度を実現するAlNウィスカー材料の開発", 宇治原 徹, 平成29年度プロセス研究会　第1回講演会, 東京工業大学, 2017年9月9日, 講演. "溶液成長による超高品質SiC結晶の実現とインフォマティクスへの展開", 宇治原 徹, 半導体信頼性技術ガイドラインセミナー, 一般社団法人電子情報技術産業協会, 2017年8月30日, 講演. "SiC結晶成長技術とパワーデバイスへの展開", 宇治原 徹, 第77回マテリアルズ・テーラリング研究会, 財団法人 加藤山崎教育基金 軽井沢研修所, 2017年7月29日, 講演. "Trial of Process Informatics in SiC Solution Growth"， T. Ujihara, July 6, Academic Seminar on Material Science and Engineering, National University of Singapore, July 6(2017), invited. "窒化アルミニウムウィスカー状フィラーの開発", 宇治原 徹, サイエンス＆テクノロジー株式会社主催セミナー, 吹上ホール, 2017年6月29日, 講演. "IoT時代における共感工学　〜AIと人間の新しい関係〜", 宇治原 徹, 名古屋市中小企業イノベーション創出プロジェクト「IoT・新技術応用研究会」第1回セミナー, ナディアパーク, 2017年6月28日, 講演. "SiC バルク(溶液成長法最前線)", 宇治原 徹, 日本結晶成長学会主催「第1回 結晶成長基礎セミナー」, 産総研臨海副都心センター, 2017年6月20日, 講演. "SiC溶液成長における最適条件高速探索手法の提案"， 角岡 洋介, 小久保 信彦, 原田 俊太, 田川 美穂,宇治原 徹, 2017年第64回応用物理学会春季学術講演会，2017年3月16日，パシフィコ横浜，2017年3月14日〜17日, [15p-MH-4], (招待講演)． topへ戻る
2016
"High Quality SiC Single Crystal Grown by Soltion Growth Method"， T. Ujihara, November 24, 2016 Fall Meeting of the Korean Ceramics Society, soul Korea, November 23-25(2016), invited. "Trial of Process Informatics in SiC Solution Growth"， T. Ujihara, S. Harada, Y. Tsunooka, N. Kokubo, K. Murayama, R. Murai, M. Tagawa, October 7, The 3rd International Conference on Universal Village (UV 2016)，Nagoya Japan，October 6-8(2016), invited. "Enantioselective bias on circularly polarized laser-induced chiral crystallization from NaClO3 solution with plasmonic Ag nanoparticles", H. Niinomi, T. Sugiyama, M. Tagawa, M. Maruyama, T. Omatsu, T. Ujihara, Y. Mori, August 12, 2016, the 18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-18), Nagoya Japan, August 7-12, Fr-G09-2, invited. "Control of Macrostep Structure for High-Quality SiC Grown by Liquid Phase Epitaxy", T. Ujihara, C. Zhu, K. Murayama, S. Harada, M.Tagawa, August 8, 2016, the 18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-18), Nagoya Japan, August 7-12, Mo1-G04-1, invited. "溶液法による高品質 SiC 結晶成長とその必要性"， 松本 利希，川口 昂彦，畑野 敬史，原田 俊太，飯田 和昌，宇治原 徹，生田 博志， 第27回シリサイド系半導体研究会，2016年3月22日，小山台会館，2016年3月22日，(招待講演). "成長過程における転位変換現象を利用した高品質 SiC 溶液成長", 宇治原徹, 材料の微細組織と機能性第133委員会　第230回研究会, 東京理科大学　森戸記念館, 2016年1月30日, ＜招待講演＞ topへ戻る
2015
"転位変換現象を利用した超高品質 SiC 結晶の溶液成長", 宇治原徹, 2015年第35回表面科学学術講演会／第56回真空に関する連合講演会　真空・表面科学合同講演会　合同シンポジウム「パワーデバイスにおけるワイドキャップ半導体の最前線」, つくば国際会議場, 2015年12月1日〜3日, 1Bp01, 2015年12月1日,《依頼講演》. "やるかやらないか〜リーダーシップとは何か？〜", 宇治原徹, 名古屋大学リーディング大学院プログラム　Joint Symposium, 名古屋大学東山キャンパス, ES総合館ESホール, 2015年11月3日, 基調講演. "Introduction of SiC Solution Growth‐in comparison with other growth methods", T. Ujihara, October 4, 16th International Conference on Silicon Carbide and Related Materials(ICSCRM2015), Giardini Naxos, Italy, October 4-9, (2015), Tutorial Program, oral. “新第6次産業革命とは・・「人と技術の融合」の必要性”, 宇治原徹, 第76回応用物理学会秋季学術講演会特別シンポジウム,名古屋国際会議場　センチュリーホール（約3000人）, 2015年9月16日. “SiC溶液成長過程における欠陥変換メカニズムの解明と超高品質結晶の実現”, 宇治原徹, 2015年8月8日, 第71回マテリアルズ・テーラリング研究会, 長野県, （公財）加藤山崎教育基金　軽井沢研修所, 2015年8月8日-9日. "Car Materials and Processing", T.Ujihara, Nagoya University, RWDC Summer School Program in Istanbul Technical University, Turkey, 30 June, 28 June-11 July, (2015). "Ultra high quality SiC crystal grown by solution method", T. Ujihara, S. Harada, K. Aoyagi, M. Tagawa, T. Sakai, June 16, 11th CMCEE, Hyatt Regency Vancouver, BC Canada, June 14-19, (2015), CMCEE-T4-S5-018-2015. "Development of Visible-Light Photoemission Spectroscopy for the Evaluation of Conduction Bands in Semiconductors", T. Ujihara, May 29, BIT's 4th Annual World Congress of Advanced Materials-2015 (WCAM-2015), Chongqing International Convention & Exhibition Center, Chongqing, China, May 27-29, (2015),Sector 10-1. "High quality SiC crystal grown by solution method", T. Ujihara, International Conference on Chemical, Materials and Bio-Sciences for Sustainable Development(ICCMBSD-2015), January 10, Walchand College of Arts and Science, Solapur, Mumbai, India, January 8-10, (2015). topへ戻る
2014
「溶液からの窒化アルミニウム材料の作製」, 宇治原徹, 窒化アルミニウム・窒化ケイ素の高性能・低コスト化に向けた生成プロセスの開発〜放熱基板等の高性能・低コスト化に向けたAlN・SiNの生成プロセス〜, サイエンス＆テクノロジー　セミナー, 東京・品川区大井町　きゅりあん, 2014年9月2日 "Dislocation conversion during SiC solution growth for high-quality crystal", S. Harada, Y. Yamamoto, S. Xiao, N. HARA, D. Koike, T. Mutoh, M. Tagawa, T. Sakai, T. Ujihara, September 23, 10th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials(ECSCRM 2014), the congress center of World Trade Center, Grenoble, France, September 21-25(2014), TU1-IS-01, oral invited. "DNA-mediated Nanoparticle Crystallization", M. Tagawa, O.g Gang, T. Isogai, S. Nakada, E.i Akada, S. Harada, T. Ujihara, The International Symposium on Material Architectonics for Sustainable Action(MASA), Tsukuba, Japan, July 18th(2014).oral 「地上と無重力での結晶表面の二次元過飽和度および成長速度分布の測定」,. 村山 健太, 表面・界面ダイナミクスの数理　�Z,東京大学, 2014年4月24日, 2014年4月23日-25日. 「n 型およびp 型SiC 溶液成長過程における欠陥挙動と高品質結晶成長」, 原田俊太, 日本結晶成長学会バルク成長分科　第91回分科会, 名古屋大学ベンチャービジネスラボラトリー, 2014年3月27日. "Ultra-high quality SiC crystal grown by solution method", T.Ujihara, ICSEM 2014 (International Conference on Science and Engineering of Materials, January 8th, Sharda University, Greater Noida, India, January 6-8th(2014).oral. topへ戻る
2013
「次世代パワーデバイス〜SiCパワーデバイスの確立と見通し〜」， 宇治原徹， 次世代ものづくり基盤技術産業展 TECH Biz EXPO 2013，2013年10月10日. 「溶液法による超高品質SiC 結晶成長」, 宇治原徹，原田俊太， 第37回結晶成長討論会，長野勤労者いこいの村アゼィリア飯綱，長野県，日本結晶成長学会，2013年9月27日，2013年9月25日-27日.（招待講演） 「高効率電力利用を実現する次世代パワーデバイスのための材料開発（SiC単結晶、高熱伝導AlNフィラー）」, 宇治原徹, テクノ・フェア名大２０１３, 2013年9月6日. 「溶液法の現状と課題」, 宇治原徹, （公社）応用物理学会　先進パワー半導体研究会　第8回個別討論会　「SiC基板結晶に求められるスペック」, 名古屋大学, ES総合館ES会議室, 2013年7月19日. 「マクロステップを利用した高品質SiC溶液成長」, 宇治原徹, 日本結晶成長学会ナノ構造・エピタキシャル成長分科会　2013春季講演会,SiC結晶成長講演会　〜SiC半導体の現在の課題と将来展望〜, 大阪大学, 銀杏会館3階, 2013年6月21日, 2013年6月20日〜21日. 「次世代パワーデバイスに向けた超高品質SiC結晶の育成」, 宇治原徹, 名古屋大学グリーンモビリティ連携研究センター　第10回次世代自動車公開シンポジウム「モビリティ・イノベーション」, 日本大学　生産工学部39号館6階 スプリングホール, 千葉県,2013年3月19日. 「パワーエレクトロニクス技術」, 宇治原徹, 中部産業連盟主催『技術担当役員のための次世代自動車最新技術･動向講座』【東海地区開催】“次世代自動車”をにらんだ戦略が構築できる企業をめざして！第３回 次世代自動車「電気／電池」,2013年2月15日. topへ戻る
2012
「SiC溶液成長法の現状と最新動向★徹底解説」, 宇治原徹, Electronic Journal 第1496回 Technical Seminar, 2012年12月4日. 「省エネ技術の急先鋒・パワーエレクトロニクスのための次世代材料（SiC）開発」, 宇治原徹, テクノ・フェア名大２０１２, 2012年8月31日. 「溶液成長による超高品質SiC結晶の可能性」, 宇治原徹, 応用物理学会結晶工学分科会主催　第136回結晶工学分科会研究会「省エネ・創エネ技術における結晶工学の最前線 −超伝導、窒化物、太陽電池ー」,学習院創立百周年記念会館小講堂, 東京都,2012年4月20日. 「高品質SiC溶液成長」, 宇治原徹, 2012年電子情報通信学会総合大会, 岡山大学, 岡山県, 2012年3月22日. 「溶液成長法によるSiC高品質結晶の実現」　〜”Ultra-high quality”の可能性〜, 宇治原徹, 名古屋大学野依記念学術交流館２階　カンファレンスホール, 愛知県, 2012年3月21日, 名古屋大学グリーンモビリティ連携研究センター「第3回次世代自動車公開シンポジウム 〜次世代自動車材料技術研究の地域間連携をめざして〜」. “Solution growth of high-quality SiC crystal”, Toru Ujihara, INDO-JAPAN Conference on Frontier Nano-Materials for Energy (FNE-2012), January 9, Sharda University, Greater Noida, India, Janualy 9-11(2012). topへ戻る
2011
「SiC 溶液成長における貫通転位の変換過程　ーUltra-High Quality の可能性ー」, 宇治原徹，原田俊太，山本祐治，関和明，堀尾篤史，三橋貴仁, 愛知県産業労働センター(ウインクあいち), 愛知県,12月9日, 公益社団法人応用物理学会　第20回シリコンカーバイド(SiC)及び関連ワイドギャップ半導体研究会, 2011年12月8日-9日. �U-3 「SiC溶液成長法の最新動向★徹底解説　〜欠陥密度低減に優れた溶液成長法を詳解〜」, 宇治原徹, Electronic Journal 第1020回 Technical Seminar, 2011年12月5日. 「パワーエレクトロニクス関連材料の研究動向」, 宇治原徹, 第１回次世代自動車地域産学官フォーラム　技術開発セミナー&ラボツアー, 2011年11月14日. 「グリーンビークルの小型高効率電力変換を可能にする次世代パワーデバイス用材料(SiC基板)の開発」, 宇治原徹, テクノ・フェア名大２０１１, 2011年9月2日. 「次世代パワーデバイス材料（高品質SiC 結晶）の開発」, 宇治原徹, 名古屋銀行「次世代自動車に関するセミナー」, 2011年8月9日. 「グリーンビークル戦略マップ・ロードマップ−パワーエレクトロニクス領域−」, 宇治原徹, 次世代自動車産学官フォーラム　技術開発セミナー 次世代自動車クラスター形成に向けた「GV(グリーンビークル)戦略マップ・ロードマップ」,2011年7月11日. “SiC 溶液成長における多形制御と結晶性評価”, 宇治原徹, （独）日本学術振興会「結晶加工と評価技術」第145 委員会 第126回研究会, 2011年6月16日. “溶液成長法によるSiC結晶の多形安定性・結晶性評価”, 宇治原徹, 中部地区４機関ナノテク総合支援　平成22年度成果報告会開催, 2011年3月30日. “溶液法によるSiC結晶成長　ー多形制御・結晶性ー”, 宇治原徹, 第58回　応用物理学関係連合講演会　シンポジウム 「グリーンイノベーションに向けたSiCパワーエレクトロニクス開発の進展」, 2011年3月24日. “SiC結晶品質制御と溶液成長基板の展望”, 宇治原徹, 電子ジャーナル　テクニカルセミナー 「SiC高速成膜・結晶欠陥制御技術徹底解説」, 2011年1月28日. topへ戻る
2010
“Solution growth of high-quality and large-area 3C-SiC”, T. Ujihara, K. Seki, R. Tanaka, S. Kozawa, Alexander, Y. Takeda, The 16th International Conference on Crystal Growth(ICCG-16) in conjunction with The 14th International Conference on Vapor Growth and Epitaxy(ICVGE-14), Beijing, China, August 8-13 (2010). “次世代パワーデバイス半導体SiCの溶液成長”, 宇治原徹, 日本金属学会・日本鉄鋼協会東海支部学術討論会, 2010年2月23日. topへ戻る
2009
“パワーデバイスをめざした高品質ＳｉＣ溶液成長”, 宇治原徹, 第２回 材料バックキャストテクノロジーシンポジウム, 2009年10月2日. “超高輝度・高スピン偏極度フォトカソード”, 金 秀光, 山本尚人, 中川靖英, 真野篤志, 加藤鷹紀, 谷奥雅俊, 宇治原徹, 竹田美和, 山本将博, 奥見正治, 中西 彊, 坂 貴, 堀中博道, 加藤俊宏, 安江常夫, 越川孝範、 第70回応用物理学会学術講演会, 2009年9月10日. “ＳｉＣ単結晶成長、基板の開発・加工技術”, 宇治原徹, 「ＳｉＣ単結晶成長、基板の開発・加工技術」セミナー 溶液成長法の基礎とＳｉＣ結晶成長への応用, 大田区産業プラザ, 東京都, 2009年8月31日. “先端材料開発のための結晶成長の基礎と応用”, 宇治原徹, 第14回東海支部基礎セミナー, 「溶液法の基礎とSiC結晶成長への応用」, 2009年6月24日. “協同現象の観点からの生体膜相分離の制御”, 宇治原徹, 「G蛋白質シグナル」＆「膜輸送複合体」合同若手ワークショップ2009, 神戸, 2009年1月31日. topへ戻る
2007
“半導体ナノ構造の結晶成長と応用（広帯域光源と偏極電子源を中心に）”, 宇治原徹, 第16回ナノテク部会研究会, 2007年1月26日. topへ戻る
2003
“融液・溶液成長過程における歪み誘起多結晶化”, 宇治原徹, 日本物理学会　結晶成長分科会シンポジウム「過冷却液体からの核生成・結晶成長」，東北大学，2003年3月28日. topへ戻る
2002
“強磁性合金の相分解における自発磁化の影響”, 宇治原徹, フォーラム 「強磁場中相変態を利用した組織制御・機能制御」, 日本鉄鋼協会　2002年4月18日. “溶解・析出過程における金属融液内の組成分布・温度分布その場測定”, 宇治原徹, 低温科学研究所研究会 「成長している結晶の界面と環境相のダイナミクス」, 北海道大学低温科学研究所, 2002年3月19-20日. topへ戻る
2001
“高温溶液組成その場測定とその応用”, 宇治原徹, 第1回「融液物性と液体構造」研究会, 日本宇宙フォーラム, 2001年11月22日. “均一組成SiGeバルク結晶成長のための測定技術−　成長温度測定・組成的過冷却実測・溶液拡散係数測定の試み　−”, 宇治原徹, 第50回日本結晶成長学会バルク成長分科会研究会, 湘南工科大学東京キャンパス, 2001年8月24日. “In-situ measurement of concentration distributions in a high temperature solution”, T. Ujihara, The University of Tokyo and National Cheng Kung University Joint Workshops on Advanced Semiconductor Materials and Devices, 15 March 2001.