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総説・解説


“ 溶液法による高品質SiC結晶成長”,
宇治原徹,
CERAMICS JAPAN,　vol.53,　pp.849-852,（2018）.

“バルク結晶成長のこの10年”,
宇治原 徹, 島村清史, 宇佐美 徳隆, 太子 敏則, 樋口 幹雄, 吉村 政志,
JOURNAL OF THE JAPANESE ASSOCIATION FOR CRYSTAL GROWTH(日本結晶成長学会誌),42,[1], pp.64-68, (2015).

“SiC 結晶成長における多形制御 〜速度論的多形制御法の提案（3C-SiC 溶液成長を例に）〜”,
関 和明,原田 俊太,宇治原　徹,
日本結晶成長学会誌, 40(4), pp.253-260, (2013).

“SiC溶液成長の最近の展開”,
原田 俊太,山本 祐治,関 和明,宇治原　徹,
日本結晶成長学会誌, 40, pp.25-32, (2013).

“超高品質SiC溶液成長”,
宇治原徹,　原田俊太,　山本祐治,関和明,
応用物理,　vol.82,　No.4,　pp.326-329,（2013）.

“ＳｉＣ単結晶の溶液成長”,
宇治原徹,
Materials Stage 9月号 p.46 (2009).

“次世代のＳｉＣ高品質基板結晶作製技術　溶液法によりマイクロパイプ・基底面転位を低減　産学の連携を深め、実用化をめざす”,
宇治原徹, 竹田美和,
Semiconductor FPD World 11月号 p.55 (2009).

“生体膜における相分離構造に関する研究”,
宇治原徹,
まてりあ　46, 433 (2007).

“太陽 電池用Si系バルク多結晶の結晶成長及び太陽電池特性　―多結晶Siの融液成長のその場観察とバルク多結晶SiGeの特性評価―”,
藤原航三, 宇佐美徳隆, 藩伍根, 宇治原徹, 野村明子, 野瀬嘉太郎, 宍戸統悦, 中嶋一雄,
日本結晶成長学会誌 32, 291-296(2005).

“材料工学からの太陽電池研究”,
宇治原徹,
まてりあ 949-953 (2004) .

“SiGeバルク単結晶と多結晶の成長技術およびそれらのデバイス応用 : 均一組成のバルク単結晶とミクロ分散的組成分布を有する太陽電池用バルク多結晶”,
中嶋一雄, 藤原航三, 宇佐美徳隆, 藩伍根, 佐崎元, 宇治原徹, 宍戸統悦,
日本結晶成長学会誌 61, 29-37 (2004).

“均一組成SiGeバルク結晶成長と関連する測定技術”,
宇治原徹, 我妻幸長, 宇佐美徳隆, 佐崎元, 藤原航三, 宍戸統悦, 中嶋一雄,
日本結晶成長学会誌 29, 339-348 (2002).