Furnace for Growth of Crystalline Silicon Ingot 高品質シリコンバルク多結晶の成長を行います。
Gas-source Molecular Beam Epitaxy System ガスを原料にしてシリコンやゲルマニウムの超薄膜の成長を行います。
In situ Observation System of Crystal Growthデジタル顕微鏡と加熱チャンバーを組み合わせたシステムで結晶成長の様子をその場観察します。
Sputtering System with Multiple Targets反射防止膜やアモルファス薄膜を成膜します。
Resistive Heating Evaporator 基板加熱機構や基板移動機構を搭載しており、シリサイドの薄膜の成長用に使用しています。
Horizontal Furnace 6インチ角までの試料の熱処理を行います。
Measurement System for Solar Cells 擬似太陽光を照射し、太陽電池の変換効率測定や分光感度特性を評価することができます。
Solar Simulator 156mm角の面積に擬似太陽光を照射することができます。
X-ray Diffraction System 結晶の格子定数や歪みを評価します。
Rapid Thermal Annealing System太陽電池のpn接合を形成します。
Measurement System for Minority Carrier Diffusion Length SPV法により結晶シリコンの少数キャリア拡散長の面内分布を測定します。
Measurement System for Minority Carrier Lifetimeマイクロ波光電動減衰法により少数キャリアのライフタイムを測定します。
Spectrophotometer 試料の反射率や透過率を測定をします。
Nanofinder System Raman散乱分光装置を基礎とし、歪みや組成の空間分布を光をプローブとして測定できます。
Photoluminescence Imaging System レーザで半導体を励起して、それによる半導体の発光をCCDで捉えます。結晶シリコンの欠陥の多い箇所は発光しにくいので、欠陥があるところを可視化できます。
Photoluminescence Spectra Measurement System 半導体レーザで試料を励起したときのフォトルミネッセンス(発光)を分光器とGe検出器/光電子増倍管により測定します。
Measurement System for Quasi-steady-state Photoconductivity フラッシュランプを利用してシリコンの光伝導度の時間変化を測定することで、シリコン中の少数キャリアライフタイムを測定することができます。
Fourier Transform Infrared Spectrometer 赤外分光分析により結晶中の不純物測定などを行います。
Scanning Electron Microscope結晶方位解析や元素分析も可能な走査型電子顕微鏡です。
Screen Printing System 金属ペーストを用いて、太陽電池の電極を印刷します。
DC Magnetron Sputtring System金属薄膜などを堆積することができます。
Directional Reflectance Microscope (DRM)MSH-MR100可視光領域の波長での指向性反射率イメージ測定を、高速・高精細に行います。
顕微鏡システムを採用することで、微小エリアでの反射率イメージ測定が可能になり、反射率イメージより結晶方位分布を求めることが可能です。
半導体ウエハのエッチング表面の結晶方位の分布の測定に最適です。
Furnace for Growth of Crystalline Silicon Ingot 高品質シリコンバルク多結晶の成長を行います。
Gas-source Molecular Beam Epitaxy System ガスを原料にしてシリコンやゲルマニウムの超薄膜の成長を行います。
In situ Observation System of Crystal Growthデジタル顕微鏡と加熱チャンバーを組み合わせたシステムで結晶成長の様子をその場観察します。
Sputtering System with Multiple Targets反射防止膜やアモルファス薄膜を成膜します。
Resistive Heating Evaporator 基板加熱機構や基板移動機構を搭載しており、シリサイドの薄膜の成長用に使用しています。
Horizontal Furnace 6インチ角までの試料の熱処理を行います。
Measurement System for Solar Cells 擬似太陽光を照射し、太陽電池の変換効率測定や分光感度特性を評価することができます。
Solar Simulator 156mm角の面積に擬似太陽光を照射することができます。
X-ray Diffraction System 結晶の格子定数や歪みを評価します。
Rapid Thermal Annealing System太陽電池のpn接合を形成します。
Measurement System for Minority Carrier Diffusion Length SPV法により結晶シリコンの少数キャリア拡散長の面内分布を測定します。
Measurement System for Minority Carrier Lifetimeマイクロ波光電動減衰法により少数キャリアのライフタイムを測定します。
Spectrophotometer 試料の反射率や透過率を測定をします。
Nanofinder System Raman散乱分光装置を基礎とし、歪みや組成の空間分布を光をプローブとして測定できます。
Photoluminescence Imaging System レーザで半導体を励起して、それによる半導体の発光をCCDで捉えます。結晶シリコンの欠陥の多い箇所は発光しにくいので、欠陥があるところを可視化できます。
Photoluminescence Spectra Measurement System 半導体レーザで試料を励起したときのフォトルミネッセンス(発光)を分光器とGe検出器/光電子増倍管により測定します。
Measurement System for Quasi-steady-state Photoconductivity フラッシュランプを利用してシリコンの光伝導度の時間変化を測定することで、シリコン中の少数キャリアライフタイムを測定することができます。
Fourier Transform Infrared Spectrometer 赤外分光分析により結晶中の不純物測定などを行います。
Scanning Electron Microscope結晶方位解析や元素分析も可能な走査型電子顕微鏡です。
Screen Printing System 金属ペーストを用いて、太陽電池の電極を印刷します。
DC Magnetron Sputtring System金属薄膜などを堆積することができます。
Spectroscopic Ellipsometry